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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXA20RG1200DHG-TUB IXYS IXA20RG1200DHG-TUB 15.3975
RFQ
 ECAD 7026 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-SMD模块 IXA20 标准 125 w ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 600V，15a，56ohm，15V pt 1200 v 32 a 2.1V @ 15V，15a 1.55MJ（在）上，1.7MJ OFF） 48 NC -
IXFT23N60Q IXYS IXFT23N60Q -
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft23 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 23A（TC） 10V 320MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±30V 3300 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFX24N90Q IXYS IXFX24N90Q -
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX24 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 24A（TC） 10V 450MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 5900 PF @ 25 V - 500W（TC）
LKK47-06C5 IXYS LKK47-06C5 42.0228
RFQ
 ECAD 4502 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA LKK47 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 600V 47a 45mohm @ 44a，10v 3.9V @ 3mA 190nc @ 10V 6800pf @ 100V 超交界处
IXA4I1200UC-TUB IXYS IXA4I1200UC-tub 1.8237
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IXA4I1200 标准 45 W TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixa4i1200uc-tub Ear99 8541.29.0095 70 600V，3A，330OHM，15V pt 1200 v 9 a 2.1V @ 15V，3A （400µJ）（在300µJ上） 12 nc 70NS/250NS
MWI200-06A8T IXYS MWI200-06A8T -
RFQ
 ECAD 6303 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 底盘安装 E3 MWI200 675 w 标准 E3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 npt 600 v 225 a 2.5V @ 15V，200a 1.8 ma 不 9 nf @ 25 V
IXFD80N10Q-8XQ IXYS IXFD80N10Q-8XQ -
RFQ
 ECAD 1082 0.00000000 ixys Hiperfet™ 大部分 过时的 150°C（TJ） - 死 IXFD80N10Q MOSFET （金属 o化物） 死 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v - - - - - - -
MIXA30W1200TED IXYS Mixa30w1200 69.3383
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 Mixa30 150 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 pt 1200 v 43 a 2.1V @ 15V，25a 2.1 MA 是的
MWI100-06A8T IXYS MWI100-06A8T -
RFQ
 ECAD 7316 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 底盘安装 E3 MWI100 410 w 标准 E3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 npt 600 v 130 a 2.5V @ 15V，100a 1.2 ma 不 4.3 NF @ 25 V
IXFL34N100 IXYS IXFL34N100 30.8628
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixfl34 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 30A（TC） 10V 280mohm @ 30a，10v 5V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 9200 PF @ 25 V - 550W（TC）
IXSR35N120BD1 IXYS IXSR35N120BD1 -
RFQ
 ECAD 8997 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXSR35 标准 250 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 960V，35A，2.7OHM，15V 40 ns pt 1200 v 70 a 140 a 3.6V @ 15V，35a （5MJ）） 120 NC 36NS/160NS
IXFN100N10S3 IXYS IXFN100N10S3 -
RFQ
 ECAD 7704 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN100 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 100A（TC） 10V 15mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTH68P20T IXYS IXTH68P20T 18.9900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth68 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixth68p20t Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 68A（TC） 10V 55mohm @ 34a，10v 4V @ 250µA 380 NC @ 10 V ±15V 33400 PF @ 25 V - 568W（TC）
IXFK24N100Q3 IXYS IXFK24N100Q3 28.9700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK24 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 24A（TC） 10V 440MOHM @ 12A，10V 6.5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 1000W（TC）
VMO1200-01F IXYS VMO1200-01F 170.0700
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 ixys Hiperfet™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 y3-li VMO1200 MOSFET （金属 o化物） y3-li 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 1220a（TC） 10V 1.35MOHM @ 932a，10V 4V @ 64mA 2520 NC @ 10 V ±20V - -
MWI50-12A7 IXYS MWI50-12A7 -
RFQ
 ECAD 6895 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI50 350 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 85 a 2.7V @ 15V，50a 4 mA 不 3.3 NF @ 25 V
IXGA12N60CD1 IXYS IXGA12N60CD1 -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 ixys HiperFast™，Lightspeed™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA12 标准 100 W TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V，12a，18onm，15v 35 ns - 600 v 24 a 48 a 2.7V @ 15V，12A 90µJ（离） 32 NC 20N/60N
IXFH26N55Q IXYS IXFH26N55Q -
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH26 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 550 v 26a（TC） 10V 230MOHM @ 13A，10V 4.5V @ 4mA 92 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 375W（TC）
IXFT24N50Q IXYS IXFT24N50Q -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft24 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 230mohm @ 12a，10v 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXTA4N65X2 IXYS ixta4n65x2 3.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta4 MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4A（TC） 10V 850MOHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W（TC）
IXGR32N60CD1 IXYS IXGR32N60CD1 -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgr32 标准 140 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，32a，4.7Ohm，15V 25 ns - 600 v 45 a 120 a 2.7V @ 15V，32a 320µJ（离） 110 NC 25NS/85NS
IXTY8N65X2 IXYS IXTY8N65X2 2.9800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty8 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -1402-ixty8n65x2 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 650 v 8A（TC） 10V 500MOHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXGN120N60A3D1 IXYS IXGN120N60A3D1 -
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXGN120 595 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 200 a 1.35V @ 15V，100A 650 µA 不 14.8 nf @ 25 V
IXFN80N50Q3 IXYS IXFN80N50Q3 54.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN80 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn80n50q3 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 63A（TC） 10V 65mohm @ 40a，10v 6.5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 10000 PF @ 25 V - 780W（TC）
IXFK300N20X3 IXYS IXFK300N20X3 34.4000
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK300 MOSFET （金属 o化物） TO-264 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 300A（TC） 10V 4mohm @ 150a，10v 4.5V @ 8mA 375 NC @ 10 V ±20V 23800 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXFT30N85XHV IXYS IXFT30N85XHV 14.1200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft30 MOSFET （金属 o化物） TO-268（IXFT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 850 v 30A（TC） 10V 220MOHM @ 500mA，10V 5.5V @ 2.5mA 68 NC @ 10 V ±30V 2460 pf @ 25 V - 695W（TC）
IXTQ96N15P IXYS ixtq96n15p 6.0250
RFQ
 ECAD 9762 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ96 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 96A（TC） 10V 24mohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 3500 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXBX50N360HV IXYS IXBX50N360HV 70.6200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXBX50 标准 660 w to-247plus-hv 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，50a，5ohm，15V 1.7 µs - 3600 v 125 a 420 a 2.9V @ 15V，50a - 210 NC 46NS/205NS
IXGX72N60B3H1 IXYS IXGX72N60B3H1 -
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXGX72 标准 540 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，3ohm，15v 140 ns pt 600 v 75 a 450 a 1.8V @ 15V，60a 1.4mj（在）上，1MJ（1MJ） 225 NC 31ns/152ns
MDI550-12A4 IXYS MDI550-12A4 -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB MDI550 2750 w 标准 Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单身的 npt 1200 v 670 a 2.8V @ 15V，400A 21 ma 不 26 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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196-LFBGA裸露的垫子

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