RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFP10N60P	4.1400	RFQ	576	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	10A（TC）	10V	740MOHM @ 5A，10V	5.5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1610 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IXTQ32P20T	6.0893	RFQ	1972	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq32		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtq32p20t	Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	14500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT69N30P	11.3667	RFQ	3671	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft69		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	69A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4960 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH69N30P	11.4200	RFQ	4739	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH69		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	69A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4960 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXTP86N20T	6.2700	RFQ	100	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp86		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	86A（TC）	10V	29mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFN23N100	-	RFQ	1316	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN23		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1000 v	23A（TC）	10V	-	5V @ 8mA		±20V		-	600W（TC）
IXFB60N80P	29.5100	RFQ	3158	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB60		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	60a（TC）	10V	140mohm @ 30a，10v	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	18000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFK220N20X3	20.7100	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK220		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	220A（TC）	10V	6.2MOHM @ 110A，10V	4.5V @ 4mA	204 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
MWI225-12E9	-	RFQ	9658	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E+	MWI225			1400 w	标准	E+	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器														npt	1200 v	355 a		2.5V @ 15V，225a				1 MA	是的	14 NF @ 25 V
IXST40N60B2D1	-	RFQ	5529	ixys	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST40	标准				TO-268AA	-		（1 （无限）	到达不受影响	IXST40N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			-												pt	600 v	48 a		-	-		-
IXGM40N60	-	RFQ	9699	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM40	标准		250 w		TO-204AE	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			480V，40a，22ohm，15V											200 ns	-	600 v	75 a	150 a	2.5V @ 15V，40a	-	250 NC	100NS/600NS
IXGP20N120	-	RFQ	3723	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP20	标准		150 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			800V，20A，47OHM，15V												pt	1200 v	40 a	80 a	2.5V @ 15V，20A	6.5MJ（）	63 NC	28NS/400NS
IXFQ140N20X3	12.4800	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ140		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	140a（TC）	10V	9.6mohm @ 70a，10v	4.5V @ 4mA	127 NC @ 10 V	±20V	7660 pf @ 25 V	-	520W（TC）
FII50-12E	-	RFQ	7081	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FII50			200 w	标准	ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	半桥														npt	1200 v	50 a		2.6V @ 15V，30a				400 µA	不	2 NF @ 25 V
IXTH12N100	-	RFQ	9990	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH7N80	-	RFQ	1875年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH7		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFH7N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 2.5mA	130 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFH30N50Q3	13.7000	RFQ	288	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh30n50q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	6.5V @ 4mA	62 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	690W（TC）
IXFH23N60Q	-	RFQ	8251	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH23		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	23A（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±30V	3300 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFH17N80Q	-	RFQ	4678	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH17		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	17a（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFL38N100Q2	39.8160	RFQ	6238	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixfl38		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	614235	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	29A（TC）	10V	280mohm @ 19a，10v	5.5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IXFP26N65x3	6.2394	RFQ	4428	ixys	-	管子	积极的				IXFP26						-				238-ixfp26n65x3			50
MDI75-12A3	-	RFQ	4213	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	MDI75			370 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	单身的														npt	1200 v	90 a		2.7V @ 15V，50a				4 mA	不	3.3 NF @ 25 V
IXFK180N25T	20.1600	RFQ	1	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK180		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		250 v	180a（TC）	10V	12.9mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1390W（TC）
IXTY4N65X2	2.7700	RFQ	50	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty4		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixty4N65x2	Ear99	8541.29.0095	70		n通道		650 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±30V	455 pf @ 25 V	-	80W（TC）
IXFH88N30P	14.8700	RFQ	1809年	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH88		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTQ14N60P	5.4000	RFQ	3430	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq14		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtq14n60p	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP30N60X	4.9964	RFQ	9120	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP30		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	30A（TC）	10V	155mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	56 NC @ 10 V	±30V	2270 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFR32N80P	16.1963	RFQ	7752	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR32		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	20A（TC）	10V	290MOHM @ 16A，10V	5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXYN80N90C3H1	43.1400	RFQ	10	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn80			500 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	900 v	115 a		2.7V @ 15V，80a				25 µA	不	4.55 NF @ 25 V
IXTH3N120	6.3785	RFQ	1520	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²