RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXA220I650NA	-	RFQ	7676	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXA220			625 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	650 v	225 a						100 µA	不
IXFN55N50F	-	RFQ	5732	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN55		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	55A（TC）	10V	85MOHM @ 27.5A，10V	5.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXSH10N60B2D1	-	RFQ	4211	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh10	标准		100 W		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXSH10N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，10a，30ohm，15V											25 ns	pt	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	（430µJ））	17 NC	30NS/180NS
IXB80IF600NA	-	RFQ	6574	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXB80IF600	标准				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			-												NPT，Pt	600 v	120 a		-	-		-
IXGK50N120C3H1	17.5117	RFQ	6053	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK50	标准		460 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			600V，40a，2ohm，15V											75 ns	pt	1200 v	95 a	240 a	4.2V @ 15V，40a	2MJ（在）上，630µJ（OFF）	196 NC	31ns/123ns
IXFN48N50	29.3340	RFQ	3319	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN48		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN48N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
VII50-06P1	-	RFQ	1356	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vii			130 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥														npt	600 v	42.5 a		2.9V @ 15V，50a				600 µA	是的	16 NF @ 25 V
IXYP8N90C3	2.7929	RFQ	9759	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	IXYP8N90	标准		125 w		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			450V，8A，30OHM，15V												-	900 v	20 a	48 a	2.5V @ 15V，8a	（460µJ）（180µJ降），OFF）	13.3 NC	16NS/40NS
MIXA10WB1200TML	-	RFQ	4822	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	Mixa10			63 W	三相桥梁整流器	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														pt	1200 v	17 a		2.1V @ 15V，9A				100 µA	是的
IXTA98N075T7	-	RFQ	7083	ixys	沟	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta98		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	98A（TC）		-	-				-	-
IXGT24N170	-	RFQ	6112	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT24	标准		250 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1360v，50a，5ohm，15V												npt	1700 v	50 a	150 a	3.3V @ 15V，24a	8MJ（（）	106 NC	42NS/200NS
MIAA15WB600TMH	-	RFQ	3536	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MIAA15W			80 W	三相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														npt	600 v	23 a		2.5V @ 15V，15a				600 µA	是的	700 pf @ 25 V
IXFN34N80	31.3590	RFQ	3804	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN34		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		800 v	34A（TC）	10V	240mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXGA48N60A3	6.2000	RFQ	154	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA48	标准		300 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixga48n60a3	Ear99	8541.29.0095	50			480V，32A，5OHM，15V												pt	600 v	120 a	300 a	1.35V @ 15V，32a	（950µJ）（在），2.9MJ（2.9MJ）中	110 NC	25NS/334N
IXFE48N50Q	-	RFQ	1863年	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe48		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	41A（TC）	10V	110MOHM @ 24A，10V	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFB30N120Q2	-	RFQ	7703	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB30		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1200 v	30A（TC）		-	-				-	-
IXFA130N10T2-TRL	3.5036	RFQ	1377年	ixys	HiperFet™，Trencht2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA130		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa130n10t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	130a（TC）	10V	10.1MOHM @ 65A，10V	4.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXYH40N90C3D1	11.1000	RFQ	306	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		500 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7763666	Ear99	8541.29.0095	30			450V，40a，5ohm，15V											100 ns	-	900 v	90 a	180 a	2.5V @ 15V，40a	1.9mj（在），1MJ（1MJ）上	74 NC	27NS/78NS
IXGA15N100C	-	RFQ	5409	ixys	Lightspeed™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA15	标准		150 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，15a，10ohm，15V												-	1000 v	30 a	60 a	3.5V @ 15V，15a	850µJ（离）	73 NC	25NS/150NS
IXST24N60BD1	-	RFQ	8170	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST24	标准		150 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			480V，24a，33ohm，15V											25 ns	-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	1.3MJ（（）	41 NC	50NS/150NS
IXGH10N100AU1	-	RFQ	1881年	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgh10	标准		100 W		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH10N100AU1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			800V，10a，150ohm，15V											60 ns	-	1000 v	20 a	40 a	4V @ 15V，10a	2MJ（（）	52 NC	100NS/550NS
GWM120-0075x1-SMD	-	RFQ	5504	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）			75V	110a		4.9Mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	115nc @ 10V		-	-
IXSH35N140A	-	RFQ	4206	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh35	标准		300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35a，3ohm，15v												pt	1400 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	（4MJ））	120 NC	40NS/150NS
IXYP20N120A4	15.2094	RFQ	6637	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		375 w		TO-220（（IXYP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N120A4	Ear99	8541.29.0095	50			960V，20a，10ohm，15V											54 ns	pt	1200 v	80 a	135 a	1.9V @ 15V，20A	3.6mj（在）上，2.75mj off）	46 NC	12NS/275NS
IXXX100N60C3H1	23.3537	RFQ	3505	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	IXXX100	标准		695 w		加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，70a，2ohm，15V											140 ns	pt	600 v	170 a	340 a	2.2V @ 15V，70a	2MJ（在）上，950µJ（OFF）	150 NC	30NS/90NS
IXYH40N65C3D1	-	RFQ	2949	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		300 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											120 ns	pt	650 v	80 a	180 a	2.35V @ 15V，40a	（830µJ）（在360µJ上）	66 NC	23ns/110ns
IXYH40N120C4	15.9115	RFQ	8092	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		680 w		TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyH40N120C4	Ear99	8541.29.0095	30			960V，32A，5OHM，15V											55 ns	-	1200 v	120 a	230 a	2.5V @ 15V，32a	5.55MJ（在）上，1.55mj（1.55MJ）	92 NC	21NS/140NS
IXBL20N300C	-	RFQ	1340	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixbl20	标准		417 w		isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			1500V，20a，3ohm，15V											864 ns	-	3000 v	50 a	430 a	6V @ 15V，20A	23MJ（在）上，2.6MJ（2.6MJ）	425 NC	33NS/370NS
CSM350KN	-	RFQ	6179	ixys	-	大部分	过时的				CSM350						-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-CSM350KN	Ear99	8541.29.0095	25
IXFX32N80Q3	32.5900	RFQ	824	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX32		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx32n80q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	32A（TC）	10V	270mohm @ 16a，10v	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	6940 pf @ 25 V	-	1000W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²