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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTP8N50PM	-	RFQ	2199	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	4A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	41W（TC）
IXFH30N60Q	-	RFQ	8824	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	230MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	125 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFK32N100P	24.8900	RFQ	204	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	32A（TC）	10V	320MOHM @ 16a，10v	6.5V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	14200 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXGH10N100U1	-	RFQ	4360	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgh10	标准		100 W		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH10N100U1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			800V，10a，150ohm，15V											60 ns	-	1000 v	20 a	40 a	3.5V @ 15V，10a	2MJ（（）	52 NC	100NS/550NS
IXGP12N100	-	RFQ	5062	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP12	标准		100 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			800V，12a，120ohm，15V												-	1000 v	24 a	48 a	3.5V @ 15V，12A	2.5MJ（）	65 NC	100NS/850NS
IXGH10N170A	9.8400	RFQ	25	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgh10	标准		140 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，10a，22ohm，15V												npt	1700 v	10 a	20 a	6V @ 15V，5A	380µJ（OFF）	29 NC	46NS/190NS
IXFR21N50Q	-	RFQ	3250	ixys	-	管子	过时的				IXFR21						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
IXTP15N50L2	10.2500	RFQ	3989	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp15		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXBT2N250-Tr	16.8549	RFQ	6267	ixys	Bimosfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT2	标准		32 W		TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbt2n250-Tr	Ear99	8541.29.0095	400			2000V，2a，47ohm，15V											920 ns	-	2500 v	5 a	13 a	3.5V @ 15V，2a	-	10.6 NC	30NS/70NS
ixtx6n200p3hv	69.9500	RFQ	5005	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx6		MOSFET （金属 o化物）			to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtx6n200p3Hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		2000 v	6A（TC）	10V	4ohm @ 3a，10v	5V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFK44N80Q3	36.8200	RFQ	1118	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK44		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	44A（TC）	10V	190mohm @ 22a，10v	6.5V @ 8mA	185 NC @ 10 V	±30V	9840 pf @ 25 V	-	1250W（TC）
MWI100-06A8T	-	RFQ	7316	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	E3	MWI100			410 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	130 a		2.5V @ 15V，100a				1.2 ma	不	4.3 NF @ 25 V
IXFN100N10S3	-	RFQ	7704	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	100A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFH6N100F	-	RFQ	6900	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3A，10V	5.5V @ 2.5mA	54 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFN50N120SIC	82.8500	RFQ	20	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN50		sicfet （碳化硅）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	47A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.2V @ 2mA	100 nc @ 20 V	+20V，-5V	1900 pf @ 1000 V	-	-
IXSR35N120BD1	-	RFQ	8997	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSR35	标准		250 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			960V，35A，2.7OHM，15V											40 ns	pt	1200 v	70 a	140 a	3.6V @ 15V，35a	（5MJ））	120 NC	36NS/160NS
IXFH36N55Q2	-	RFQ	9702	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH36		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		550 v	36a（TC）	10V	180mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXGR32N60CD1	-	RFQ	4777	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr32	标准		140 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V											25 ns	-	600 v	45 a	120 a	2.7V @ 15V，32a	320µJ（离）	110 NC	25NS/85NS
IXFT18N90P	-	RFQ	5654	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft18		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	18A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±30V	5230 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXTY8N65X2	2.9800	RFQ	20	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty8		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1402-ixty8n65x2	Ear99	8541.29.0095	70		n通道		650 v	8A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXBN42N170A	41.0930	RFQ	6585	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXBN42			312 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1700 v	42 a		6V @ 15V，21a				50 µA	不	3.5 nf @ 25 V
IXTY2N60P	-	RFQ	9042	ixys	Polar™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty2		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		600 v	2A（TC）	10V	5.1OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	240 pf @ 25 V	-	55W（TC）
IXFX120N25P	17.2000	RFQ	11	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX120		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	120A（TC）	10V	24mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	185 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
MDI550-12A4	-	RFQ	8737	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MDI550			2750 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														npt	1200 v	670 a		2.8V @ 15V，400A				21 ma	不	26 NF @ 25 V
IXFQ60N503	10.5200	RFQ	24	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	60a（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	5V @ 4mA	96 NC @ 10 V	±30V	6250 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
IXGP12N120A3	4.3200	RFQ	4916	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP12	标准		100 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-												pt	1200 v	22 a	60 a	3V @ 15V，12A	-	20.4 NC	-
IXTT16N20D2	13.7900	RFQ	8995	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT16		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	16A（TC）	-	73mohm @ 8a，0v	-	208 NC @ 5 V	±20V	5500 PF @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）
IXGH20N120A3	7.7900	RFQ	7332	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准		180 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-IXGH20N120A3	Ear99	8541.29.0095	30			960V，20a，10ohm，15V												pt	1200 v	40 a	120 a	2.5V @ 15V，20A	2.85mj（在）上，6.47mj off）	50 NC	16NS/290NS
IXFK94N50P2	21.3400	RFQ	2	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK94		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	94A（TC）	10V	55mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	220 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	1300W（TC）
ixtc62n15p	-	RFQ	9751	ixys	Polarht™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc62		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 31a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²