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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFH130N15X3	11.9100	RFQ	41	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH130		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	130a（TC）	10V	9mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1.5mA	80 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXFN70N100X	68.1400	RFQ	51	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN70		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1000 v	56A（TC）	10V	89mohm @ 35a，10v	6V @ 8mA	350 NC @ 10 V	±30V	9150 PF @ 25 V	-	1200W（TC）
IXFT120N15P	9.6787	RFQ	9537	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT120		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	120A（TC）	10V	16mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXGH17N100AU1	-	RFQ	3770	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH17	标准		150 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH17N100AU1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			800V，17a，82ohm，15V											50 ns	-	1000 v	34 a	68 a	4V @ 15V，17a	3MJ（（）	100 NC	100NS/500NS
IXFT74N20Q	-	RFQ	4283	ixys	-	管子	过时的				ixft74						下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30					-
VIO25-06P1	-	RFQ	1575年	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vio			82 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	600 v	24.5 a		2.9V @ 15V，25a				600 µA	不	8 nf @ 25 V
IXTQ60N10T	3.6053	RFQ	8416	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ60		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtq60n10t	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	60a（TC）	10V	18mohm @ 25a，10v	4.5V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±30V	2650 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXGH36N60B3C1	-	RFQ	9289	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH36	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，5ohm，15V												pt	600 v	75 a	200 a	1.8V @ 15V，30a	（390µJ）（在800µJ上）	80 NC	20N/125NS
IXTT38N30L2HV	1987年20月20日	RFQ	1520	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt38		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixtt38n30l2hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	38A（TC）	10V	100mohm @ 19a，10v	4.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	400W（TC）
GWM180-004X2-SMD	-	RFQ	4704	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM180		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			40V	180a		2.5MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
VKM60-01P1	66.2520	RFQ	6337	ixys	Hiperfet™	盒子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	Eco-PAC2	VKM60		MOSFET （金属 o化物）	300W		Eco-PAC2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VKM 60-01 P1	Ear99	8541.29.0095	25	4（n n 通道（半桥）			100V	75a		25mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	260NC @ 10V		4500pf @ 25V	-
ixta10p50p-trl	6.8800	RFQ	2896	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta10		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		500 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	300W（TC）
MMIX1T600N04T2	39.4400	RFQ	20	ixys	FRFET®，Supremos®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1T600		MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		40 V	600A（TC）	10V	1.3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	590 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXFK180N07	-	RFQ	3320	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK180		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		70 v	180a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	568W（TC）
IXFX30N50Q	-	RFQ	2778	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX30		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 25 V	-	416W（TC）
IXFP4N100Q	5.9300	RFQ	334	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP4N100		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFV26N60P	-	RFQ	8220	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV26		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH70N65X3	14.4300	RFQ	5656	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH70		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh70n65x3	Ear99	8541.29.0095	300		n通道		650 v	70A（TC）	10V	44mohm @ 35a，10v	5.2V @ 4mA	66 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXTQ120N20P	12.1300	RFQ	66	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ120		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
IXFK15N100Q	-	RFQ	9302	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK15		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	15A（TC）	10V	700mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
MMIX1T660N04T4	21.9840	RFQ	8552	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1T660		MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIX1T660N04T4	Ear99	8541.29.0095	20		n通道		40 V	660a（TC）	10V	0.85MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	860 NC @ 10 V	±15V	44000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXFX170N20T	13.2463	RFQ	5389	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX170		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	170a（TC）	10V	11mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	265 NC @ 10 V	±20V	19600 pf @ 25 V	-	1150W（TC）
IXGH28N90B	-	RFQ	1974年	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH28	标准		200 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			720v，28a，4.7Ohm，15v												-	900 v	51 a	120 a	2.7V @ 15V，28a	1.2MJ（）	100 NC	30n/100n
IXTH10N100D2	17.5600	RFQ	8270	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.5OHM @ 5A，10V	-	200 NC @ 5 V	±20V	5320 PF @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）
IXTP88N085T	-	RFQ	6250	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp88		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	88A（TC）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	3140 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXA17IF1200HJ	9.9800	RFQ	3340	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA17IF1200	标准		100 W		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，15a，56ohm，15V											350 ns	pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，15a	1.55MJ（在）上，1.7MJ OFF）	47 NC	-
IXTF1N250	59.0700	RFQ	12	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	ixtf1		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7319967A	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		2500 v	1A（TC）	10V	40ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 25 V	-	110W
IXTA110N055T	-	RFQ	2797	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta110		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	110A（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4V @ 100µA	67 NC @ 10 V	±20V	3080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXFX360N10T	13.8500	RFQ	7057	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX360		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	360a（TC）	10V	2.9MOHM @ 100A，10V	5V @ 3mA	525 NC @ 10 V	±20V	33000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTP180N085T	-	RFQ	9439	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP180		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	180a（TC）	10V	5.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	430W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²