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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXYN120N65C3D1	-	RFQ	3169	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn120	标准		830 w		SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyn120n65c3d1	Ear99	8541.29.0095	10			400V，50a，2ohm，15V											29 ns	pt	650 v	190 a	620 a	2.8V @ 15V，100a	1.25mj（在）上，500µJ off）	265 NC	28NS/127NS
IXGP28N60A3M	-	RFQ	9086	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXGP28	标准		64 W		TO-220隔离选项卡	-				238-ixgp28n60a3m	Ear99	8541.29.0095	50			480V，24a，10ohm，15V											26 NS	pt	600 v	38 a	200 a	1.4V @ 15V，24a	-	66 NC	18NS/300NS
IXTY1R4N120P-TRL	2.0793	RFQ	3386	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty1r4n120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1200 v	1.4A（TC）	10V	13ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 100µA	24.8 NC @ 10 V	±30V	666 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IXTK120N25	-	RFQ	7444	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	120A（TC）	10V	20mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	360 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 25 V	-	730W（TC）
IXFP4N100Q	5.9300	RFQ	334	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP4N100		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFX210N30X3	34.6600	RFQ	34	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX210		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	210a（TC）	10V	5.5MOHM @ 105A，10V	4.5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	24200 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
Mixa101W1200EH	-	RFQ	5602	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa101			500 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														pt	1200 v	155 a		2.1V @ 15V，100a				300 µA	不
IXFH130N15X3	11.9100	RFQ	41	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH130		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	130a（TC）	10V	9mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1.5mA	80 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXDR30N120	-	RFQ	6790	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixdr30	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，30a，47ohm，15V												npt	1200 v	50 a	60 a	2.9V @ 15V，30a	4.6mj（在）上，3.4MJ off）	120 NC	-
IXFH150N17T	-	RFQ	3498	ixys	TrechHV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH150		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		175 v	150a（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	5V @ 3mA	155 NC @ 10 V	±30V	9800 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXFK220N20X3	20.7100	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK220		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	220A（TC）	10V	6.2MOHM @ 110A，10V	4.5V @ 4mA	204 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
ixta180n10t	6.1300	RFQ	3	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta180		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	615943	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	180a（TC）	10V	6.4mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTY1R4N100P	2.6384	RFQ	6346	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	17.8 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	63W（TC）
ixtq26n50p	7.2900	RFQ	154	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq26		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTH130N10T	6.4200	RFQ	6324	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH130		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTA200N055T2	4.2300	RFQ	50	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta200		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	200a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXKP24N60C5	5.3932	RFQ	8385	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXKP24		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
ixta1n100p-trl	1.7238	RFQ	5248	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IXTT80N20L	20.4300	RFQ	487	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT80		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	80A（TC）	10V	32MOHM @ 40a，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6160 pf @ 25 V	-	520W（TC）
ixta240n055t	-	RFQ	1411	ixys	TRENCHT2™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta240		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	240a（TC）	10V	3.6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
MUBW30-12E6K	-	RFQ	3129	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw			130 w	三相桥梁整流器	E1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														-	1200 v	30 a		3.6V @ 15V，30a				1 MA	是的	1.18 nf @ 25 V
IXFT80N65X2HV-TRL	11.8738	RFQ	7815	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixft80n65x2hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		650 v	80A（TC）	10V	38mohm @ 40a，10v	5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
ixtc36p15p	-	RFQ	5419	ixys	Polarp™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc36		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	22a（TC）	10V	120MOHM @ 18A，10V	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXTP08N100D2	2.4900	RFQ	1851年	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp08		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	800mA（TC）	-	21ohm @ 400mA，0v	-	14.6 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXTT30N50L	-	RFQ	4237	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	10200 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXGH31N60	-	RFQ	7023	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH31	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，31a，10ohm，15V												-	600 v	60 a	80 a	1.7V @ 15V，31a	6MJ（（）	80 NC	15NS/400NS
IXTY08N120P	-	RFQ	3299	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	IXTY08		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		1200 v	8A（TC）		-	-				-	-
IXTF1N450	101.4600	RFQ	7133	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	ixtf1		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		4500 v	900mA（TC）	10V	85ohm @ 50mA，10v	6.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IXFT70N65X3HV	10.6497	RFQ	8010	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的				IXFT70						-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixft70n65x3hv	Ear99	8541.29.0095	30
IXYX110N120B4	21.2800	RFQ	4844	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYX110	标准		1360 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyx110n120b4	Ear99	8541.29.0095	30			600V，50a，2ohm，15V											50 ns	-	1200 v	340 a	800 a	2.1V @ 15V，110a	3.6mj（在）上，3.85MJ off）	340 NC	45NS/390NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²