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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFE44N50QD2	-	RFQ	8425	ixys	Hiperfet™，耗尽	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	39A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXBA16N170AHV-TRL	42.1911	RFQ	8959	ixys	Bimosfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixba16	标准		150 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixba16n170ahv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			1360v，10a，10ohm，15V											360 ns	-	1700 v	16 a	40 a	6V @ 15V，10a	1.2MJ（）	65 NC	15NS/160NS
IXXH50N60B3D1	12.7900	RFQ	2916	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准		600 w		TO-247AD（IXXH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，36a，5ohm，15V											25 ns	pt	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）上，740µJ（OFF）	70 NC	27n/100ns
IXTH21N50	7.7060	RFQ	3883	ixys	Megamos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth21		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	21a（TC）	10V	250mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ixta160n075t	-	RFQ	9243	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta160		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	160a（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	360W（TC）
ixtk88n30p	11.6268	RFQ	7073	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk88		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
FMM60-02TF	18.8696	RFQ	3615	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM60		MOSFET （金属 o化物）	125W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			200V	33a		40mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		3700pf @ 25V	-
IXTQ30N50P	-	RFQ	1152	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTT64N25P	7.2430	RFQ	1501	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt64		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	64A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXFV96N15PS	-	RFQ	4344	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV96		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXCP01N90E	-	RFQ	6347	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXCP01		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	250mA（tc）	10V	80ohm @ 50mA，10v	5V @ 25µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	133 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IXFV30N50P	-	RFQ	9055	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV30		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
MIXA60WH1200TEH	126.5860	RFQ	5196	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	E3	Mixa60			290 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														-	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a				500 µA	是的
MMIX1F520N075T2	24.3200	RFQ	455	ixys	Gigamos™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F520		MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	625162	Ear99	8541.29.0095	20		n通道		75 v	500A（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	545 NC @ 10 V	±20V	41000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXGH40N60C2D1	-	RFQ	7945	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3ohm，15V											25 ns	pt	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，30a	（200µJ）	95 NC	18NS/90NS
IXCY01N90E	-	RFQ	9261	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXCY01		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	250mA（tc）	10V	80ohm @ 50mA，10v	5V @ 25µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	133 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IXBF32N300	81.7300	RFQ	25	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF32	标准		160 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-											1.5 µs	-	3000 v	40 a	250 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	-
IXGN200N60B3	44.7500	RFQ	981	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN200			830 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	300 a		1.5V @ 15V，100a				50 µA	不	26 NF @ 25 V
IXGH28N60B	-	RFQ	9496	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH28	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，28a，10ohm，15V												-	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，28a	2MJ（（）	68 NC	15NS/175NS
Mixa60w1200	88.4783	RFQ	3970	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa60			290 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														pt	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a				500 µA	是的
IXYA20N65B3	-	RFQ	3403	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixya20	标准		230 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，20A，20欧姆，15V											25 ns	-	650 v	58 a	108 a	2.1V @ 15V，20A	（500µJ）（700µJ）（OFF）	29 NC	12NS/103NS
IXDH35N60B	-	RFQ	8524	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXDH35	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			300V，35A，10欧姆，15V												npt	600 v	60 a	70 a	2.7V @ 15V，35a	1.6mj（在）上，800µJ（800µJ）	120 NC	-
IXYH8N250C	-	RFQ	9401	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH8N250	标准		280 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，8a，15ohm，15V											5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
GWM220-004P3-SL	-	RFQ	5404	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM220		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）			40V	180a		-	4V @ 1mA	94NC @ 10V		-	-
IXTH60N20L2	20.3800	RFQ	30	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	255 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFX240N15T2	21.2100	RFQ	4	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX240		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx240N15T2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	240a（TC）	10V	5.2MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	460 NC @ 10 V	±20V	32000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTT88N15	-	RFQ	1994	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt88		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	88A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXTP180N055T	-	RFQ	1440	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IXTP180		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	180a（TC）		-	4V @ 1mA				-	-
IXFK44N50P	12.7700	RFQ	7532	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK44		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	612450	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	44A（TC）	10V	140mohm @ 22a，10v	5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±30V	5440 pf @ 25 V	-	658W（TC）
MKE38P600TLB	-	RFQ	2226	ixys	-	大部分	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38P600		-	-		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-			600V	50A（TC）		-	-	-		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²