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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXYH16N170C	10.8700	RFQ	1	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		310 w	TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		850V，16a，10ohm，15V											19 ns	-	1700 v	40 a	100 a	3.8V @ 15V，16a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	56 NC	11NS/140NS
IXYH16N170CV1	14.2600	RFQ	30	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		310 w	TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		850V，16a，10ohm，15V											150 ns	-	1700 v	40 a	100 a	3.8V @ 15V，16a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	56 NC	11NS/140NS
IXYH24N170CV1	17.5100	RFQ	235	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh24	标准		500 w	TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		850V，24A，5OHM，15V											170 ns	-	1700 v	58 a	140 a	4V @ 15V，24a	3.6mj（在）上，1.76mj Off）	96 NC	16ns/155ns
IXFP4N85XM	3.3100	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IXFP4N85		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		850 v	3.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	247 PF @ 25 V	-	35W（TC）
Ixfp36n20x3m	4.7600	RFQ	218	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp36n20x3m	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	36W（TC）
IXFP36N20X3	4.6800	RFQ	387	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	176W（TC）
IXFA90N20X3	10.2300	RFQ	50	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA90		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXFH140N20X3	13.8500	RFQ	3084	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH140		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	140a（TC）	10V	9.6mohm @ 70a，10v	4.5V @ 4mA	127 NC @ 10 V	±20V	7660 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXFQ140N20X3	12.4800	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ140		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	140a（TC）	10V	9.6mohm @ 70a，10v	4.5V @ 4mA	127 NC @ 10 V	±20V	7660 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXFH180N20X3	17.3300	RFQ	600	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH180		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	180a（TC）	10V	7.5MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 4mA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXFT220N20X3HV	21.4200	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT220		MOSFET （金属 o化物）		TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	220A（TC）	10V	6.2MOHM @ 110A，10V	4.5V @ 4mA	204 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFK220N20X3	20.7100	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK220		MOSFET （金属 o化物）		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		200 v	220A（TC）	10V	6.2MOHM @ 110A，10V	4.5V @ 4mA	204 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFK300N20X3	34.4000	RFQ	7596	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK300		MOSFET （金属 o化物）		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		200 v	300A（TC）	10V	4mohm @ 150a，10v	4.5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFN300N20X3	48.6800	RFQ	2044	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN300		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		200 v	300A（TC）	10V	3.5MOHM @ 150A，10V	4.5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	695W（TC）
IXTA140N12T2	5.8746	RFQ	5648	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta140		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		120 v	140a（TC）	10V	10mohm @ 70a，10v	4.5V @ 250µA	174 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 25 V	-	577W（TC）
IXYH16N250CV1HV	31.9100	RFQ	6	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		500 w	TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1250V，16A，10OHM，15V											19 ns	-	2500 v	35 a	126 a	4V @ 15V，16a	4.75MJ（在）上，3.9MJ off）	97 NC	14NS/260NS
IXYH8N250C	-	RFQ	9401	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH8N250	标准		280 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1250V，8a，15ohm，15V											5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
IXYH8N250CV1HV	24.7200	RFQ	7153	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH8N250	标准		280 w	TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1250V，8a，15ohm，15V											5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
IXFD26N50Q-72	-	RFQ	8396	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	-	-	死	IXFD26N50Q		MOSFET （金属 o化物）		死	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	n通道		500 v	-	-	-	-		-		-	-
IXFD80N10Q-8XQ	-	RFQ	1082	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	150°C（TJ）	-	死	IXFD80N10Q		MOSFET （金属 o化物）		死	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	-	-	-	-		-		-	-
IXFH1799	-	RFQ	1983	ixys	-	管子	过时的				IXFH17					-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30				-
IXFH67N10Q	-	RFQ	3823	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH67		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	67A（TC）	10V	25mohm @ 33.5a，10V	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFJ80N10Q	-	RFQ	5955	ixys	-	管子	过时的				IXFJ80					-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30				-
IXFK80N10Q	-	RFQ	7231	ixys	-	管子	过时的				IXFK80					-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	25				-
IXFR21N50Q	-	RFQ	3250	ixys	-	管子	过时的				IXFR21					-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30				-
IXFR32N50	-	RFQ	5374	ixys	-	管子	过时的				IXFR32					-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30				-
IXFT74N20Q	-	RFQ	4283	ixys	-	管子	过时的				ixft74					下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30				-
ixft1874 tr	-	RFQ	9385	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				IXFT1874					-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000				-
IXFT40N30Q TR	-	RFQ	1309	ixys	Hiperfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT40		MOSFET （金属 o化物）		TO-268（IXFT）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		300 v	40a（TC）	10V	85mohm @ 20a，10v	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3560 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT52N30Q TRL	-	RFQ	3258	ixys	Hiperfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft52		MOSFET （金属 o化物）		TO-268（IXFT）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		300 v	52A（TC）	10V	60mohm @ 26a，10v	4V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	360W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²