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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXFT24N80P	11.5687	RFQ	4269	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft24		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		800 v	24A（TC）	10V	400mohm @ 12a，10v	5V @ 4mA	105 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	650W（TC）
IXFK210N17T	-	RFQ	3726	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK210		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		170 v	210a（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10V	5V @ 4mA	285 NC @ 10 V	±20V	18800 PF @ 25 V	-	1150W（TC）
IXFX210N17T	-	RFQ	3074	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX210		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		170 v	210a（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10V	5V @ 4mA	285 NC @ 10 V	±20V	18800 PF @ 25 V	-	1150W（TC）
IXFX170N20T	13.2463	RFQ	5389	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX170		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	170a（TC）	10V	11mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	265 NC @ 10 V	±20V	19600 pf @ 25 V	-	1150W（TC）
IXFK230N20T	26.4300	RFQ	3307	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK230		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		200 v	230a（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10V	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IXFN230N20T	37.7000	RFQ	401	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN230		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		200 v	220A（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10V	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1090W（TC）
IXFN180N25T	25.8900	RFQ	2851	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN180		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		250 v	168a（TC）	10V	12.9mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	900W（TC）
IXFK180N25T	20.1600	RFQ	1	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK180		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		250 v	180a（TC）	10V	12.9mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1390W（TC）
IXFX140N25T	13.2463	RFQ	7555	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX140		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		250 v	140a（TC）	10V	17mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	255 NC @ 10 V	±20V	19000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFX160N30T	20.1500	RFQ	811	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX160		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		300 v	160a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	335 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1390W（TC）
IXGR60N60C3C1	-	RFQ	2982	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR60	标准		170 w	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，40a，3ohm，15V												pt	600 v	75 a	260 a	2.5V @ 15V，40a	（830µJ）（在450µJ上）	115 NC	24NS/70NS
IXGP30N60C3C1	-	RFQ	6041	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP30	标准		220 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		300V，20A，5OHM，15V												pt	600 v	60 a	150 a	3V @ 15V，20A	（120µJ）（在），90µJ（90µJ）中	38 NC	17NS/42NS
IXGH30N60C3C1	-	RFQ	1110	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		220 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		300V，20A，5OHM，15V												pt	600 v	60 a	150 a	3V @ 15V，20A	（120µJ）（在），90µJ（90µJ）中	38 NC	17NS/42NS
IXGH48N60C3C1	-	RFQ	9427	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH48	标准		300 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，3ohm，15V												pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	（330µJ）（在230µJ上）	77 NC	19NS/60NS
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IXGP20N120A3	6.9200	RFQ	4644	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP20	标准		180 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		960V，20a，10ohm，15V												pt	1200 v	40 a	120 a	2.5V @ 15V，20A	2.85mj（在）上，6.47mj off）	50 NC	16NS/290NS
IXGH24N120C3H1	8.7748	RFQ	7480	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，20A，5OHM，15V											70 ns	pt	1200 v	48 a	96 a	4.2V @ 15V，20A	1.16mj（在）（470µJ）上）	79 NC	16ns/93ns
IXGP24N120C3	6.4216	RFQ	6887	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP24	标准		250 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		600V，20A，5OHM，15V												pt	1200 v	48 a	96 a	4.2V @ 15V，20A	1.16mj（在）（470µJ）上）	79 NC	16ns/93ns
IXGH30N120C3H1	9.3597	RFQ	7200	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，24A，5OHM，15V											70 ns	pt	1200 v	48 a	115 a	4.2V @ 15V，24a	1.45MJ（在）上，470µJ off）	80 NC	18NS/106NS
IXGT32N120A3	11.4300	RFQ	7039	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT32	标准		300 w	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-												pt	1200 v	75 a	230 a	2.35V @ 15V，32a	-	89 NC	-
IXGH40N120C3D1	14.6800	RFQ	1	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		380 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，30a，3ohm，15V											100 ns	pt	1200 v	75 a	180 a	4.4V @ 15V，30a	1.8mj（在）上，550µJ（OFF）	142 NC	17NS/130NS
IXTQ36N20T	-	RFQ	8891	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	-		-	-				-	-
IXTQ62N25T	-	RFQ	6083	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq62		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		250 v	62A（TC）		-	-				-	-
IXTQ72N20T	-	RFQ	1775年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq72		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	72A（TC）		-	-				-	-
IXTQ74N15T	-	RFQ	5488	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq74		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		150 v	74A（TC）		-	-				-	-
IXTQ88N15	-	RFQ	2016	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq88		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		150 v	88A（TC）	10V	-	-		±20V		-	-
IXTT30N50L	-	RFQ	4237	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	10200 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTT30N50L2	18.2200	RFQ	3405	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt30n50l2	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTU08N100P	-	RFQ	5859	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu08		MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道		1000 v	8A（TC）		-	-				-	-
IXTV102N25T	-	RFQ	6518	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv102		MOSFET （金属 o化物）		加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		250 v	102A（TC）		-	-				-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²