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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTY1R4N100P	2.6384	RFQ	6346	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	17.8 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	63W（TC）
IXFT50N85XHV	19.4700	RFQ	4313	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	50A（TC）	10V	105mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±30V	4480 pf @ 25 V	-	890W（TC）
ixtq26n50p	7.2900	RFQ	154	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq26		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
ixta80n10t	3.8500	RFQ	6	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	80A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±20V	3040 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXTH16N10D2	17.4000	RFQ	6666	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH16		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	16A（TC）	0V	64mohm @ 8a，0v	-	225 NC @ 5 V	±20V	5700 PF @ 25 V	耗尽模式	830W（TC）
IXTT120N15P	11.0100	RFQ	130	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT120		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	120A（TC）	10V	16mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	600W（TC）
ixta4n70x2	3.0778	RFQ	4686	ixys	Ultra X2	管子	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta4		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta4n70x2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		700 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±30V	386 pf @ 25 V	-	80W（TC）
IXSX35N120BD1	-	RFQ	1511	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXSX35	标准		300 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35A，5OHM，15V											40 ns	pt	1200 v	70 a	140 a	3.6V @ 15V，35a	（5MJ））	120 NC	36NS/160NS
IXFH60N60X3	12.4900	RFQ	13	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfh60n60x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	60a（TC）	10V	51MOHM @ 30a，10v	5V @ 4mA	51 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	625W（TC）
IXFN80N48	-	RFQ	7269	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		480 v	80A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9890 pf @ 25 V	-	700W（TC）
IXTM67N10	-	RFQ	6579	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	ixtm67		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		100 v	67A（TC）	10V	25mohm @ 33.5a，10V	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ixta6n50d2	8.1100	RFQ	1209	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta6		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	6A（TC）	-	500mohm @ 3a，0v	-	96 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
IXGT40N60C2D1	-	RFQ	8010	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT40	标准		300 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3ohm，15V											25 ns	pt	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，30a	（200µJ）	95 NC	18NS/90NS
IXTP76N25T	6.2100	RFQ	25	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP76		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	76A（TC）	10V	39mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTP48N20T	4.1800	RFQ	3242	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp48		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	48A（TC）	10V	50MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFA60N25X3	8.4800	RFQ	38	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA60		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	60a（TC）	10V	23mohm @ 30a，10v	4.5V @ 1.5mA	50 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXTA120P065T	6.5700	RFQ	1741年	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta120		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		65 v	120A（TC）	10V	10mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	13200 PF @ 25 V	-	298W（TC）
ixta56n15t	2.4295	RFQ	4538	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta56		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	56A（TC）	10V	36mohm @ 28a，10v	4.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
VID125-12P1	-	RFQ	6974	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vid			568 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	1200 v	138 a		3.4V @ 15V，125a				5 ma	是的	5.5 nf @ 25 V
IXTT20P50P	13.2600	RFQ	3	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt20		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	20A（TC）	10V	450MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXKP35N60C5	-	RFQ	9487	ixys	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixkp35		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	35A（TC）	10V	100mohm @ 18a，10v	3.9V @ 1.2mA	70 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	-
IXTH130N10T	6.4200	RFQ	6324	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH130		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXFX210N17T	-	RFQ	3074	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX210		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		170 v	210a（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10V	5V @ 4mA	285 NC @ 10 V	±20V	18800 PF @ 25 V	-	1150W（TC）
IXFV26N50PS	-	RFQ	7788	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV26		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 4mA	60 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXXH30N60C3	4.1893	RFQ	8415	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		270 w		TO-247AD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxh30n60c3	Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V											33 ns	-	600 v	60 a	110 a	2.4V @ 15V，24a	（500µJ）（在），270µJ（270µJ）中	37 NC	23ns/77ns
IXXT100N75B4HV	25.6637	RFQ	8797	ixys	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxt100N75B4HV	Ear99	8541.29.0095	30
IXFT26N50	-	RFQ	6258	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft26		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	26a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTA152N085T7	-	RFQ	1018	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta152		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	152a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
MMIX1T660N04T4	21.9840	RFQ	8552	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1T660		MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIX1T660N04T4	Ear99	8541.29.0095	20		n通道		40 V	660a（TC）	10V	0.85MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	860 NC @ 10 V	±15V	44000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXGR40N60B2D1	-	RFQ	6999	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准		167 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3.3ohm，15V											25 ns	pt	600 v	60 a	200 a	1.9V @ 15V，30a	400µJ（离）	100 NC	18NS/130NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²