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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFN80N50	60.9800	RFQ	8906	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN80N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	66A（TC）	10V	55mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9890 pf @ 25 V	-	700W（TC）
IXFV36N50P	-	RFQ	2442	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV36		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFH12N90P	10.1600	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	12A（TC）	10V	900mohm @ 6a，10v	6.5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	380W（TC）
IXFP4N60P3	-	RFQ	9222	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP4N60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp4n60p3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	4A（TC）	10V	2.2OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	6.9 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	114W（TC）
IXTT20P50P	13.2600	RFQ	3	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt20		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	20A（TC）	10V	450MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTK90N15	-	RFQ	3118	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk90		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	90A（TC）	10V	16mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXBA16N170AHV-TRL	42.1911	RFQ	8959	ixys	Bimosfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixba16	标准		150 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixba16n170ahv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			1360v，10a，10ohm，15V											360 ns	-	1700 v	16 a	40 a	6V @ 15V，10a	1.2MJ（）	65 NC	15NS/160NS
IXXH50N60B3D1	12.7900	RFQ	2916	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准		600 w		TO-247AD（IXXH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，36a，5ohm，15V											25 ns	pt	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）上，740µJ（OFF）	70 NC	27n/100ns
MWI50-12A7T	-	RFQ	3062	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI50			350 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	1200 v	85 a		2.7V @ 15V，50a				4 mA	是的	3.3 NF @ 25 V
IXTQ14N60P	5.4000	RFQ	3430	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq14		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtq14n60p	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH21N50	7.7060	RFQ	3883	ixys	Megamos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth21		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	21a（TC）	10V	250mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFA30N25X3	7.1400	RFQ	240	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA30		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfa30n25x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	30A（TC）	10V	60mohm @ 15a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXFN56N90P	61.8500	RFQ	8	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN56		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		900 v	56A（TC）	10V	135mohm @ 28a，10v	6.5V @ 3mA	375 NC @ 10 V	±30V	23000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
ixta160n075t	-	RFQ	9243	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta160		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	160a（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTH120N20X4	10.4200	RFQ	3042	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixth120n20x4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	120A（TC）	10V	9.5MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	417W（TC）
IXFA4N100P	4.2900	RFQ	6340	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA4N100		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	4A（TC）	10V	3.3ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1456 pf @ 25 V	-	150W（TC）
ixtu55n075t	-	RFQ	8188	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu55		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		75 v	55A（TC）		-	4V @ 25µA				-	-
MUBW50-12A8	152.1800	RFQ	1653	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw50			350 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-mubw50-12a8	Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														npt	1200 v	85 a		2.6V @ 15V，50a				3.7 MA	是的	3.3 NF @ 25 V
ixtk88n30p	11.6268	RFQ	7073	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk88		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFR55N50	-	RFQ	7344	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR55		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	48A（TC）	10V	90MOHM @ 27.5A，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	400W（TC）
FMM60-02TF	18.8696	RFQ	3615	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM60		MOSFET （金属 o化物）	125W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			200V	33a		40mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		3700pf @ 25V	-
IXTQ30N50P	-	RFQ	1152	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTQ36N20T	-	RFQ	8891	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	-		-	-				-	-
IXFX48N60Q3	28.7200	RFQ	38	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX48		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx48nnn60q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	48A（TC）	10V	140MOHM @ 24A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7020 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXTK120N25	-	RFQ	7444	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	120A（TC）	10V	20mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	360 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 25 V	-	730W（TC）
IXTT64N25P	7.2430	RFQ	1501	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt64		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	64A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXFX110N65X3	18.3853	RFQ	2257	ixys	-	管子	积极的				IXFX110						-				238-ixfx110n65x3			30
IXTN79N20	-	RFQ	9988	ixys	-	管子	过时的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN79		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	85A（TC）		-	4V @ 20mA				-	400W（TC）
IXGT60N60C3D1	-	RFQ	1714年	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT60	标准		380 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，3ohm，15V											25 ns	pt	600 v	75 a	300 a	2.5V @ 15V，40a	（800µJ）（在450µJ上）	115 NC	21NS/70NS
IXFV96N15PS	-	RFQ	4344	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV96		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	480W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²