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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
IXFI7N80P IXYS IXFI7N80P -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA ixfi7 MOSFET （金属 o化物） TO-262（I2PAK） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 7A（TC） 10V 1.44OHM @ 3.5A，10V 5V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±30V 1890 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXFK102N30P IXYS IXFK102N30P 16.4500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK102 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfk102n30p Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 102A（TC） 10V 33mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 224 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 700W（TC）
IXFK140N20P IXYS IXFK140N20P 16.6000
RFQ
 ECAD 3229 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK140 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 140a（TC） 10V，15V 18mohm @ 70a，10v 5V @ 4mA 240 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 830W（TC）
IXFK15N100Q IXYS IXFK15N100Q -
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK15 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 15A（TC） 10V 700mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFK16N90Q IXYS IXFK16N90Q -
RFQ
 ECAD 2406 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK16 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 900 v 16A（TC） 10V 650MOHM @ 8A，10V 5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXFK20N120 IXYS IXFK20N120 -
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK20 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1200 v 20A（TC） 10V 750MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 8mA 160 NC @ 10 V ±30V 7400 PF @ 25 V - 780W（TC）
IXFK27N80Q IXYS IXFK27N80Q 30.2600
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK27 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 800 v 27a（TC） 10V 320MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFK30N100Q2 IXYS IXFK30N100Q2 -
RFQ
 ECAD 4061 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK30 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 30A（TC） 10V 400mohm @ 15a，10v 5V @ 8mA 186 NC @ 10 V ±30V 8200 PF @ 25 V - 735W（TC）
IXFL38N100Q2 IXYS IXFL38N100Q2 39.8160
RFQ
 ECAD 6238 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixfl38 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 614235 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 29A（TC） 10V 280mohm @ 19a，10v 5.5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 13500 PF @ 25 V - 380W（TC）
IXFL44N60 IXYS IXFL44N60 -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFL44 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 41A（TC） 10V 130mohm @ 22a，10v 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 8900 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFL44N80 IXYS IXFL44N80 -
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFL44 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS264™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 800 v 44A（TC） 10V 165mohm @ 22a，10v 4V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 25 V - 550W（TC）
IXFN200N10P IXYS IXFN200N10P 28.9600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN200 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 200a（TC） 10V 7.5mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 235 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 25 V - 680W（TC）
IXFN20N120 IXYS IXFN20N120 -
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN20 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1200 v 20A（TC） 10V 750MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 8mA 160 NC @ 10 V ±30V 7400 PF @ 25 V - 780W（TC）
IXFN24N90Q IXYS IXFN24N90Q -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN24 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 24A（TC） - - - 500W（TC）
IXFN34N80 IXYS IXFN34N80 31.3590
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN34 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 34A（TC） 10V 240mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 270 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXFN38N100Q2 IXYS IXFN38N100Q2 48.3440
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN38 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 38A（TC） 10V 250mohm @ 19a，10v 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFN80N50Q2 IXYS IXFN80N50Q2 -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN80 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 72A（TC） 10V 60mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 12800 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFP10N80P IXYS IXFP10N80P 6.3800
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP10 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 10A（TC） 10V 1.1OHM @ 5A，10V 5.5V @ 2.5mA 40 NC @ 10 V ±30V 2050 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFP12N50PM IXYS IXFP12N50PM -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP12 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 6A（TC） 10V 500mohm @ 6a，10v 5.5V @ 1mA 29 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 50W（TC）
IXFP8N50PM IXYS IXFP8N50PM -
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP8N50 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 4.4A（TC） 10V 800MOHM @ 4A，10V 5.5V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±30V 1050 pf @ 25 V - 42W（TC）
IXFQ14N80P IXYS IXFQ14N80P -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ14 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 14A（TC） 10V 720MOHM @ 500mA，10V 5.5V @ 4mA 61 NC @ 10 V ±30V 3900 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFQ23N60Q IXYS IXFQ23N60Q -
RFQ
 ECAD 3417 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 盒子 积极的 - 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFQ23 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 23A（TC） - - - -
IXFR200N10P IXYS IXFR200N10P 18.9800
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR200 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 133a（TC） 10V 9MOHM @ 100A，10V 5V @ 8mA 235 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFR24N90Q IXYS IXFR24N90Q -
RFQ
 ECAD 4394 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 盒子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR24 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 900 v - - - - -
IXFR32N80P IXYS IXFR32N80P 16.1963
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR32 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 20A（TC） 10V 290MOHM @ 16A，10V 5V @ 8mA 150 NC @ 10 V ±30V 8800 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFR48N50Q IXYS IXFR48N50Q -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR48 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 40a（TC） 10V 110MOHM @ 24A，10V 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 310W（TC）
IXFR66N50Q2 IXYS IXFR66N50Q2 -
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR66 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 50A（TC） 10V 85mohm @ 33a，10v 5.5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 9125 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFT120N15P IXYS IXFT120N15P 9.6787
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT120 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 120A（TC） 10V 16mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 150 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXFT15N100Q IXYS IXFT15N100Q -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft15 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 15A（TC） 10V 700mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 170 NC @ 5 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFT20N80P IXYS IXFT20N80P -
RFQ
 ECAD 4391 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft20 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 20A（TC） 10V 520MOHM @ 10a，10v 5V @ 4mA 86 NC @ 10 V ±30V 4685 pf @ 25 V - 500W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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