SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IXTA80N10T IXYS ixta80n10t 3.8500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta80 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 80A(TC) 10V 14mohm @ 25a,10v 5V @ 100µA 60 NC @ 10 V ±20V 3040 pf @ 25 V - 230W(TC)
IXTA80N10T7 IXYS IXTA80N10T7 -
RFQ
ECAD 9490 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) ixta80 MOSFET (金属 o化物) TO-263-7(IXTA) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 80A(TC) 10V 14mohm @ 25a,10v 4.5V @ 100µA 60 NC @ 10 V ±30V 3040 pf @ 25 V - 230W(TC)
IXTA88N085T IXYS ixta88n085t -
RFQ
ECAD 7034 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta88 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 85 v 88A(TC) 10V 11mohm @ 25a,10v 4V @ 100µA 69 NC @ 10 V ±20V 3140 pf @ 25 V - 230W(TC)
IXTA98N075T7 IXYS IXTA98N075T7 -
RFQ
ECAD 7083 0.00000000 ixys 管子 积极的 - 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) ixta98 MOSFET (金属 o化物) TO-263-7(IXTA) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 98A(TC) - - - -
IXTC230N085T IXYS IXTC230N085T -
RFQ
ECAD 2621 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 ISOPLUS220™ IXTC230 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS220™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 85 v 120A(TC) - - - -
IXTH12N100L IXYS IXTH12N100L 22.5400
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth12 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12A(TC) 20V 1.3OHM @ 500mA,20v 5V @ 250µA 155 NC @ 20 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 400W(TC)
IXTH130N10T IXYS IXTH130N10T 6.4200
RFQ
ECAD 6324 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXTH130 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 130a(TC) 10V 9.1mohm @ 25a,10v 4.5V @ 250µA 104 NC @ 10 V ±20V 5080 pf @ 25 V - 360W(TC)
IXTH220N075T IXYS IXTH220N075T -
RFQ
ECAD 8771 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXTH220 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 75 v 220A(TC) 10V 4.5MOHM @ 25A,10V 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ±20V 7700 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXTH24N50L IXYS IXTH24N50L 22.5400
RFQ
ECAD 7442 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth24 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A(TC) 20V 300mohm @ 500mA,20v 5V @ 250µA 160 NC @ 20 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 400W(TC)
IXTH3N120 IXYS IXTH3N120 6.3785
RFQ
ECAD 1520 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth3 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 3A(TC) 10V 4.5OHM @ 500mA,10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 200W(TC)
IXTH50P10 IXYS IXTH50P10 11.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth50 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 606059 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 50A(TC) 10V 55mohm @ 25a,10v 5V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±20V 4350 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXTH96N20P IXYS IXTH96N20P 10.0300
RFQ
ECAD 1407 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth96 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 96A(TC) 10V 24mohm @ 500mA,10v 5V @ 250µA 145 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 600W(TC)
IXTK140N20P IXYS ixtk140n20p 16.0200
RFQ
ECAD 7100 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXTK140 MOSFET (金属 o化物) TO-264(IXTK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 140a(TC) 10V 18mohm @ 70a,10v 5V @ 500µA 240 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 800W(TC)
IXTK17N120L IXYS ixtk17n120l 46.4000
RFQ
ECAD 297 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA ixtk17 MOSFET (金属 o化物) TO-264(IXTK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtk17n120l Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1200 v 17a(TC) 20V 900mohm @ 8.5a,20v 5V @ 250µA 155 NC @ 15 V ±30V 8300 PF @ 25 V - 700W(TC)
IXTK88N30P IXYS ixtk88n30p 11.6268
RFQ
ECAD 7073 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA ixtk88 MOSFET (金属 o化物) TO-264(IXTK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 88A(TC) 10V 40mohm @ 44a,10v 5V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 25 V - 600W(TC)
IXFC110N10P IXYS IXFC110N10P -
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polarht™ 盒子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC110N10 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS220™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 60a(TC) 10V 17mohm @ 55a,10v 5V @ 4mA 110 NC @ 10 V ±20V 3550 pf @ 25 V - 120W(TC)
IXFC16N80P IXYS IXFC16N80P -
RFQ
ECAD 4492 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC16N80 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS220™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 9A(TC) 10V 650MOHM @ 8A,10V 5V @ 4mA 71 NC @ 10 V ±30V 4600 PF @ 25 V - 150W(TC)
IXFE50N50 IXYS IXFE50N50 -
RFQ
ECAD 2214 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 ixfe50 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 47A(TC) 10V 100mohm @ 25a,10v 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 500W(TC)
IXFH110N10P IXYS IXFH110N10P 7.8100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH110 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 110A(TC) 10V 15mohm @ 500mA,10v 5V @ 4mA 110 NC @ 10 V ±20V 3550 pf @ 25 V - 480W(TC)
IXFH170N10P IXYS IXFH170N10P 12.5700
RFQ
ECAD 9613 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH170 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 170a(TC) 10V 9mohm @ 500mA,10v 5V @ 4mA 198 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 715W(TC)
IXFH17N80Q IXYS IXFH17N80Q -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH17 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 17a(TC) 10V 600mohm @ 500mA,10v 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 400W(TC)
IXFH20N80P IXYS IXFH20N80P 10.5700
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH20 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 20A(TC) 10V 520MOHM @ 10a,10v 5V @ 4mA 86 NC @ 10 V ±30V 4685 pf @ 25 V - 500W(TC)
IXFH23N60Q IXYS IXFH23N60Q -
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH23 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 23A(TC) 10V 320MOHM @ 500mA,10V 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±30V 3300 PF @ 25 V - 400W(TC)
IXFH26N55Q IXYS IXFH26N55Q -
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH26 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 550 v 26a(TC) 10V 230MOHM @ 13A,10V 4.5V @ 4mA 92 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 375W(TC)
IXFH30N40Q IXYS IXFH30N40Q -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH30 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 400 v 30A(TC) 10V 160mohm @ 15a,10v 4V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3300 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFH32N50Q IXYS IXFH32N50Q -
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH32 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 32A(TC) 10V 160mohm @ 16a,10v 4.5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 4925 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXFH36N55Q2 IXYS IXFH36N55Q2 -
RFQ
ECAD 9702 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q2类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH36 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 550 v 36a(TC) 10V 180mohm @ 500mA,10v 5V @ 4mA 110 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 25 V - 560W(TC)
IXFH69N30P IXYS IXFH69N30P 11.4200
RFQ
ECAD 4739 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH69 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 69A(TC) 10V 49mohm @ 500mA,10v 5V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4960 pf @ 25 V - 500W(TC)
IXFH88N20Q IXYS IXFH88N20Q -
RFQ
ECAD 6020 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH88 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 88A(TC) 10V 30mohm @ 44a,10v 4V @ 4mA 146 NC @ 10 V ±30V 4150 PF @ 25 V - 500W(TC)
IXFH88N30P IXYS IXFH88N30P 14.8700
RFQ
ECAD 1809年 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH88 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 88A(TC) 10V 40mohm @ 44a,10v 5V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 25 V - 600W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库