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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ixta80n10t | 3.8500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 80A(TC) | 10V | 14mohm @ 25a,10v | 5V @ 100µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 3040 pf @ 25 V | - | 230W(TC) | |||
![]() | IXTA80N10T7 | - | ![]() | 9490 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | ixta80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263-7(IXTA) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 80A(TC) | 10V | 14mohm @ 25a,10v | 4.5V @ 100µA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 3040 pf @ 25 V | - | 230W(TC) | |||
ixta88n085t | - | ![]() | 7034 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta88 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 85 v | 88A(TC) | 10V | 11mohm @ 25a,10v | 4V @ 100µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 3140 pf @ 25 V | - | 230W(TC) | ||||
![]() | IXTA98N075T7 | - | ![]() | 7083 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 管子 | 积极的 | - | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | ixta98 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263-7(IXTA) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 98A(TC) | - | - | - | - | ||||||
![]() | IXTC230N085T | - | ![]() | 2621 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | ISOPLUS220™ | IXTC230 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS220™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 85 v | 120A(TC) | - | - | - | - | |||||||
![]() | IXTH12N100L | 22.5400 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | ixys | 线性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1000 v | 12A(TC) | 20V | 1.3OHM @ 500mA,20v | 5V @ 250µA | 155 NC @ 20 V | ±30V | 2500 PF @ 25 V | - | 400W(TC) | ||
![]() | IXTH130N10T | 6.4200 | ![]() | 6324 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXTH130 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 100 v | 130a(TC) | 10V | 9.1mohm @ 25a,10v | 4.5V @ 250µA | 104 NC @ 10 V | ±20V | 5080 pf @ 25 V | - | 360W(TC) | ||
![]() | IXTH220N075T | - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXTH220 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 75 v | 220A(TC) | 10V | 4.5MOHM @ 25A,10V | 4V @ 250µA | 165 NC @ 10 V | ±20V | 7700 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | |||
![]() | IXTH24N50L | 22.5400 | ![]() | 7442 | 0.00000000 | ixys | 线性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth24 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 24A(TC) | 20V | 300mohm @ 500mA,20v | 5V @ 250µA | 160 NC @ 20 V | ±30V | 2500 PF @ 25 V | - | 400W(TC) | ||
![]() | IXTH3N120 | 6.3785 | ![]() | 1520 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 3A(TC) | 10V | 4.5OHM @ 500mA,10V | 4.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 200W(TC) | ||
![]() | IXTH50P10 | 11.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 606059 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 100 v | 50A(TC) | 10V | 55mohm @ 25a,10v | 5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 4350 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |
![]() | IXTH96N20P | 10.0300 | ![]() | 1407 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth96 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 200 v | 96A(TC) | 10V | 24mohm @ 500mA,10v | 5V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 4800 PF @ 25 V | - | 600W(TC) | ||
![]() | ixtk140n20p | 16.0200 | ![]() | 7100 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXTK140 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264(IXTK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 200 v | 140a(TC) | 10V | 18mohm @ 70a,10v | 5V @ 500µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 7500 PF @ 25 V | - | 800W(TC) | ||
![]() | ixtk17n120l | 46.4000 | ![]() | 297 | 0.00000000 | ixys | 线性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | ixtk17 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264(IXTK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixtk17n120l | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 1200 v | 17a(TC) | 20V | 900mohm @ 8.5a,20v | 5V @ 250µA | 155 NC @ 15 V | ±30V | 8300 PF @ 25 V | - | 700W(TC) | |
![]() | ixtk88n30p | 11.6268 | ![]() | 7073 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | ixtk88 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264(IXTK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 300 v | 88A(TC) | 10V | 40mohm @ 44a,10v | 5V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 6300 PF @ 25 V | - | 600W(TC) | ||
![]() | IXFC110N10P | - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polarht™ | 盒子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | ISOPLUS220™ | IXFC110N10 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS220™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 60a(TC) | 10V | 17mohm @ 55a,10v | 5V @ 4mA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 3550 pf @ 25 V | - | 120W(TC) | |||
![]() | IXFC16N80P | - | ![]() | 4492 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polarht™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | ISOPLUS220™ | IXFC16N80 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS220™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 9A(TC) | 10V | 650MOHM @ 8A,10V | 5V @ 4mA | 71 NC @ 10 V | ±30V | 4600 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | |||
![]() | IXFE50N50 | - | ![]() | 2214 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | ixfe50 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 500 v | 47A(TC) | 10V | 100mohm @ 25a,10v | 4.5V @ 8mA | 330 NC @ 10 V | ±20V | 9400 PF @ 25 V | - | 500W(TC) | ||
![]() | IXFH110N10P | 7.8100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH110 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 100 v | 110A(TC) | 10V | 15mohm @ 500mA,10v | 5V @ 4mA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 3550 pf @ 25 V | - | 480W(TC) | ||
![]() | IXFH170N10P | 12.5700 | ![]() | 9613 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH170 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 100 v | 170a(TC) | 10V | 9mohm @ 500mA,10v | 5V @ 4mA | 198 NC @ 10 V | ±20V | 6000 pf @ 25 V | - | 715W(TC) | ||
![]() | IXFH17N80Q | - | ![]() | 4678 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH17 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 800 v | 17a(TC) | 10V | 600mohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 4mA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 3600 PF @ 25 V | - | 400W(TC) | ||
![]() | IXFH20N80P | 10.5700 | ![]() | 2846 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 800 v | 20A(TC) | 10V | 520MOHM @ 10a,10v | 5V @ 4mA | 86 NC @ 10 V | ±30V | 4685 pf @ 25 V | - | 500W(TC) | ||
![]() | IXFH23N60Q | - | ![]() | 8251 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH23 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 23A(TC) | 10V | 320MOHM @ 500mA,10V | 4.5V @ 4mA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 3300 PF @ 25 V | - | 400W(TC) | ||||
![]() | IXFH26N55Q | - | ![]() | 9037 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH26 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 550 v | 26a(TC) | 10V | 230MOHM @ 13A,10V | 4.5V @ 4mA | 92 NC @ 10 V | ±30V | 3000 pf @ 25 V | - | 375W(TC) | |||
![]() | IXFH30N40Q | - | ![]() | 8990 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH30 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 400 v | 30A(TC) | 10V | 160mohm @ 15a,10v | 4V @ 4mA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 3300 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | |||
![]() | IXFH32N50Q | - | ![]() | 9597 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH32 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 32A(TC) | 10V | 160mohm @ 16a,10v | 4.5V @ 4mA | 190 NC @ 10 V | ±20V | 4925 PF @ 25 V | - | 360W(TC) | |||
![]() | IXFH36N55Q2 | - | ![]() | 9702 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q2类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH36 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 550 v | 36a(TC) | 10V | 180mohm @ 500mA,10v | 5V @ 4mA | 110 NC @ 10 V | ±30V | 4100 PF @ 25 V | - | 560W(TC) | ||
![]() | IXFH69N30P | 11.4200 | ![]() | 4739 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH69 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 300 v | 69A(TC) | 10V | 49mohm @ 500mA,10v | 5V @ 4mA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 4960 pf @ 25 V | - | 500W(TC) | ||
![]() | IXFH88N20Q | - | ![]() | 6020 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Q类 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH88 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 200 v | 88A(TC) | 10V | 30mohm @ 44a,10v | 4V @ 4mA | 146 NC @ 10 V | ±30V | 4150 PF @ 25 V | - | 500W(TC) | ||
![]() | IXFH88N30P | 14.8700 | ![]() | 1809年 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH88 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 300 v | 88A(TC) | 10V | 40mohm @ 44a,10v | 5V @ 4mA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 6300 PF @ 25 V | - | 600W(TC) |
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