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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FMM60-02TF	18.8696	RFQ	3615	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM60		MOSFET （金属 o化物）	125W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			200V	33a		40mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		3700pf @ 25V	-
IXTK120N25	-	RFQ	7444	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	120A（TC）	10V	20mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	360 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 25 V	-	730W（TC）
IXTQ36N20T	-	RFQ	8891	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	-		-	-				-	-
IXTQ30N50P	-	RFQ	1152	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFR64N50Q3	32.5900	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR64		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfr64n50q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	45A（TC）	10V	95mohm @ 32a，10v	6.5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	±30V	6950 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH12N90P	10.1600	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	12A（TC）	10V	900mohm @ 6a，10v	6.5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	380W（TC）
IXTK90N15	-	RFQ	3118	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk90		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	90A（TC）	10V	16mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXFN80N50	60.9800	RFQ	8906	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN80N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	66A（TC）	10V	55mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9890 pf @ 25 V	-	700W（TC）
IXTT20P50P	13.2600	RFQ	3	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt20		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	20A（TC）	10V	450MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFV36N50P	-	RFQ	2442	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV36		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFP4N60P3	-	RFQ	9222	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP4N60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp4n60p3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	4A（TC）	10V	2.2OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	6.9 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	114W（TC）
IXFE44N50QD2	-	RFQ	8425	ixys	Hiperfet™，耗尽	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	39A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFR55N50	-	RFQ	7344	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR55		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	48A（TC）	10V	90MOHM @ 27.5A，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	400W（TC）
ixtu55n075t	-	RFQ	8188	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu55		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		75 v	55A（TC）		-	4V @ 25µA				-	-
IXFN56N90P	61.8500	RFQ	8	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN56		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		900 v	56A（TC）	10V	135mohm @ 28a，10v	6.5V @ 3mA	375 NC @ 10 V	±30V	23000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXTV250N075TS	-	RFQ	8193	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXTV250		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	250A（TC）	10V	4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXFH7N80	-	RFQ	1875年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH7		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFH7N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 2.5mA	130 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFT40N30Q TR	-	RFQ	1309	ixys	Hiperfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT40		MOSFET （金属 o化物）			TO-268（IXFT）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		300 v	40a（TC）	10V	85mohm @ 20a，10v	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3560 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP8N50PM	-	RFQ	2046	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP8N50		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	4.4A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IXFX27N80Q	27.4000	RFQ	277	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX27		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGH10N100A	-	RFQ	9352	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixgh10	标准		100 W		TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1000 v	20 a		4V @ 15V，10a	-		-
IXSN80N60AU1	-	RFQ	7488	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXSN80			500 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	600 v	160 a		3V @ 15V，80a				1 MA	不	8.5 nf @ 25 V
IXGR32N60CD1	-	RFQ	4777	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr32	标准		140 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V											25 ns	-	600 v	45 a	120 a	2.7V @ 15V，32a	320µJ（离）	110 NC	25NS/85NS
IXXX200N65B4	2000年2月27日	RFQ	868	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX200	标准		1150 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，1OHM，15V												pt	650 v	370 a	1000 a	1.7V @ 15V，160a	4.4mj（在）上，2.2MJ off）	553 NC	62NS/245NS
IXTP4N70X2M	3.3100	RFQ	26	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp4		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		700 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±30V	386 pf @ 25 V	-	30W（TC）
IXTH62N65X2	11.0300	RFQ	22	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth62		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	62A（TC）	10V	52MOHM @ 31a，10v	4.5V @ 4mA	104 NC @ 10 V	±30V	5940 pf @ 25 V	-	780W（TC）
IXGT50N90B2	-	RFQ	1007	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT50	标准		400 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			720V，50a，5ohm，15V												pt	900 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	4.7MJ（）	135 NC	20N/350N
IXFC26N50P	-	RFQ	6595	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC26N50		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	15A（TC）	10V	260MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 4mA	65 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IXFH12N100F	12.0100	RFQ	1694年	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	5.5V @ 4mA	77 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH15N100	-	RFQ	5175	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH15		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	15A（TC）	10V	700mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²