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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
IXFB132N50P3 IXYS IXFB132N50P3 24.9800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFB132 MOSFET （金属 o化物） 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 132a（TC） 10V 39mohm @ 66a，10v 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 18600 PF @ 25 V - 1890W（TC）
IXFH120N20P IXYS IXFH120N20P 12.5700
RFQ
 ECAD 8173 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH120 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 120A（TC） 10V 22mohm @ 500mA，10v 5V @ 4mA 152 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 714W（TC）
IXTA110N12T2 IXYS IXTA110N12T2 -
RFQ
 ECAD 1877年 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta110 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 110A（TC） 10V 14mohm @ 55a，10v 4.5V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 6570 pf @ 25 V - 517W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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