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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXFC60N20	-	RFQ	6846	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC60N20		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	60a（TC）	10V	33mohm @ 30a，10v	4V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXGH40N60A	-	RFQ	9312	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		250 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，40a，22ohm，15V												-	600 v	75 a	150 a	3V @ 15V，40a	3MJ（（）	200 NC	100NS/600NS
IXFN94N50P2	31.2300	RFQ	2	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN94		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn94n50p2	Ear99	8541.29.0095	10	n通道		500 v	68A（TC）	10V	55mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	220 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXFT20N80Q	-	RFQ	7557	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft20		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道		800 v	20A（TC）	10V	420MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTH5N100A	-	RFQ	4446	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth5		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFB44N100P	32.9800	RFQ	2532	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB44		MOSFET （金属 o化物）		加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		1000 v	44A（TC）	10V	220MOHM @ 22a，10v	6.5V @ 1mA	305 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFA3N120-Trl	6.4701	RFQ	1236	ixys	Hiperfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixfa3		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	200W（TC）
ixtp2n100p	3.5600	RFQ	160	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp2n100p	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		1000 v	2A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10v	4.5V @ 100µA	24.3 NC @ 10 V	±20V	655 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IXFQ26N503	5.1826	RFQ	5328	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ26		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	5V @ 4mA	42 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGH20N60A	-	RFQ	7788	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准		150 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，20a，82ohm，15V												-	600 v	40 a	80 a	3V @ 15V，20A	1.5mj（（）	100 NC	100NS/600NS
IXFK360N15T2	32.3800	RFQ	3822	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK360		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		150 v	360a（TC）	10V	4mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	715 NC @ 10 V	±20V	47500 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IXTQ75N10P	5.5500	RFQ	3	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq75		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	75A（TC）	10V	25mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTH420N04T2	-	RFQ	7407	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH420		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		40 V	420a（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	19700 pf @ 25 V	-	935W（TC）
IXFH30N60X	8.4800	RFQ	142	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH30		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	30A（TC）	10V	155mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	56 NC @ 10 V	±30V	2270 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFT52N50P2	8.8206	RFQ	3058	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft52		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft52n50p2	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	52A（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	4.5V @ 4mA	113 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXTT48P20P	13.1300	RFQ	152	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt48		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道		200 v	48A（TC）	10V	85mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	462W（TC）
IXKK85N60C	48.7100	RFQ	4615	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixkk85		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		600 v	85A（TC）	10V	36mohm @ 55a，10v	4V @ 4mA	650 NC @ 10 V	±20V		-	-
IXFN100N50Q3	60.1900	RFQ	7286	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn100n50q3	Ear99	8541.29.0095	10	n通道		500 v	82A（TC）	10V	49mohm @ 50a，10v	6.5V @ 8mA	255 NC @ 10 V	±30V	13800 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFR44N50P	15.3800	RFQ	300	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR44		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	24A（TC）	10V	150mohm @ 22a，10v	5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±30V	5440 pf @ 25 V	-	208W（TC）
IXYH10N170C	11.7500	RFQ	1	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh10	标准		280 w	TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		850V，10a，10ohm，15V											17 ns	-	1700 v	36 a	84 a	3.8V @ 15V，10a	1.4MJ（在）上，700µJ（OFF）	46 NC	14NS/130NS
IXTA260N055T2	4.8542	RFQ	4900	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta260		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	260a（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFB90N85X	40.5800	RFQ	18	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB90		MOSFET （金属 o化物）		加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		850 v	90A（TC）	10V	41MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 8mA	340 NC @ 10 V	±30V	13300 PF @ 25 V	-	1785W（TC）
IXTR140P10T	19.0557	RFQ	1291	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTR140		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道		100 v	110A（TC）	10V	13mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	400 NC @ 10 V	±15V	31400 PF @ 25 V	-	270W（TC）
IXTQ36N30P	5.6000	RFQ	398	ixys	Polarht™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK100N25	-	RFQ	5892	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK100		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
mke38p600lb-trr	34.7130	RFQ	7290	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38P600		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200	n通道		600 v	50A（TC）		-	-				-	-
IXTF250N075T	-	RFQ	7151	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	IXTF250		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		75 v	140a（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IXFL132N50P3	29.7500	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL132		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfl132n50p3	Ear99	8541.29.0095	25	n通道		500 v	63A（TC）	10V	43mohm @ 66a，10v	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	18600 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFR180N06	17.9293	RFQ	7540	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR180		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		60 V	180a（TC）	10V	5MOHM @ 90A，10V	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	7650 pf @ 25 V	-	560W（TC）
IXFH75N10	10.7410	RFQ	4003	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH75		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH75N10-NDR	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	75A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²