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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MTI200WX75GD-SMD	38.1415	RFQ	8229	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	ISOPLUS-DIL™	MTI200		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTI200WX75GD-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）			75V	255A（TC）		1.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	155nc @ 10V		14400pf @ 38V	-
IXFC40N30Q	-	RFQ	5021	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC40N30		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	-		-	-				-	-
MKI75-12E8	-	RFQ	1456	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mki			500 w	标准	E3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	完整的桥梁逆变器														npt	1200 v	130 a		2.5V @ 15V，75a				1.1 MA	不	5.7 nf @ 25 V
IXTT12N150HV	56.2300	RFQ	1321	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt12		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-ixtt12n150hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	12A（TC）	10V		4.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFX64N60P3	14.3100	RFQ	69	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX64		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	64A（TC）	10V	95mohm @ 32a，10v	5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	±30V	9900 PF @ 25 V	-	1130W（TC）
IXFX52N60Q2	-	RFQ	8212	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX52		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	52A（TC）	10V	115mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	198 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IXBK64N250	154.7700	RFQ	30	ixys	-	大部分	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXBK64	标准		735 w		TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q4484441	Ear99	8541.29.0095	25															-	2500 v	75 a		3V @ 15V，64a
IXFJ15N100Q	-	RFQ	6847	ixys	-	管子	过时的				IXFJ15						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
IXTT170N10P-TR	9.0872	RFQ	9233	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT170		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtt170n10p-tr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		100 v	170a（TC）	10V，15V	9mohm @ 85a，10v	5V @ 250µA	198 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	715W（TC）
IXTH16N20D2	17.4000	RFQ	4638	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH16		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	16A（TC）	-	73mohm @ 8a，0v	-	208 NC @ 5 V	±20V	5500 PF @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）
IXTA08N100D2-TRL	1.6414	RFQ	7820	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta08		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta08nnn100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	800mA（TJ）	0V	21ohm @ 400mA，0v	4V @ 25µA	14.6 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXTC220N055T	-	RFQ	5698	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC220		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	130a（TC）	10V	4.4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	150W（TC）
ixta02n450hv	-	RFQ	3375	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta02		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		4500 v	200ma（tc）	10V	750OHM @ 10mA，10v	6.5V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	256 pf @ 25 V	-	113W（TC）
IXFE48N50QD3	-	RFQ	5722	ixys	Hiperfet™，耗尽	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe48		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	41A（TC）	10V	110MOHM @ 24A，10V	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXGH64N60B3	-	RFQ	2919	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH64	标准		460 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v												pt	600 v		400 a	1.8V @ 15V，50a	1.5mj（在）上，1MJ（1MJ）	168 NC	25NS/138NS
IXFV20N80PS	-	RFQ	2705	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV20		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
Mixa20W1200MC	-	RFQ	7350	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	Mixa20			100 W	标准	Eco-PAC2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	三相逆变器														pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，16a				200 µA	不
ixtp32p05t	2.7700	RFQ	5	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp32		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		50 V	32A（TC）	10V	39mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±15V	1975 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IXGP90N33TCM-A	-	RFQ	9998	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IXGP90	标准				TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-												-	330 v	40 a		-	-		-
IXFK100N10	-	RFQ	7367	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK100		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	100A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH18N65X2	4.6774	RFQ	4717	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH18		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh18n65x2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	18A（TC）	10V	200mohm @ 9a，10v	5V @ 1.5mA	29 NC @ 10 V	±30V	1520 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IXTP230N075T2	6.3900	RFQ	48	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP230		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	230a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFH40N50Q2	-	RFQ	7835	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	40a（TC）	10V	160MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±30V	4850 pf @ 25 V	-	560W（TC）
IXTH5N100A	-	RFQ	4446	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth5		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXGH50N60A	-	RFQ	4462	ixys	HiperFast™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准		250 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH50N60A-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，2.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	4.8MJ（）	200 NC	50NS/200NS
IXTT72N20	-	RFQ	9844	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT72		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	72A（TC）	10V	33mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	400W（TC）
ixtu06n120p	-	RFQ	7357	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu06		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		1200 v	600mA（TC）		-	-				-	-
ixtx210p10t	31.2900	RFQ	440	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx210		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		100 v	210a（TC）	10V	7.5MOHM @ 105A，10V	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V	±15V	69500 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXTY01N100	2.8600	RFQ	27	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY01		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		1000 v	100mA（TC）	10V	80ohm @ 100mA，10v	4.5V @ 25µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	54 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXGR72N60A3H1	-	RFQ	4876	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr72	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v											140 ns	pt	600 v	75 a	400 a	1.45V @ 15V，60a	1.4MJ（在）上，3.5MJ off）	230 NC	31ns/320ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²