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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTT140N10P-TRL	7.8667	RFQ	4425	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT140		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtt140n10p-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		100 v	140a（TC）	10V，15V	11mohm @ 70a，10v	5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTT88N30P	13.6900	RFQ	9986	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt88		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt88n30p	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTP70N085T	-	RFQ	2136	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP70		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	70A（TC）	10V	13.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	2570 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXFH14N85X	8.7400	RFQ	197	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1043 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFN100N10S2	-	RFQ	7546	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	100A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFC14N60P	-	RFQ	2058	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC14N60		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	8A（TC）	10V	630mohm @ 7a，10v	5.5V @ 2.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	125W（TC）
MWI75-06A7T	-	RFQ	5130	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI75			280 w	标准	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	600 v	90 a		2.6V @ 15V，75a				1.3 ma	是的	3.2 NF @ 25 V
IXGH24N60C4D1	-	RFQ	6740	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，24a，10ohm，15V											25 ns	pt	600 v	56 a	130 a	2.7V @ 15V，24a	（400µJ）（在300µJ上）	64 NC	21NS/143NS
IXTA180N085T7	-	RFQ	7057	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta180		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	180a（TC）	10V	5.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXDP20N60BD1	-	RFQ	7775	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXDP20	标准		140 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，20A，22OHM，15V											40 ns	npt	600 v	32 a	40 a	2.8V @ 15V，20A	900µJ（在）上，400µJ（400µJ）	70 NC	-
MIXA10WB1200TMH	-	RFQ	8483	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	mita10w			63 W	三相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														pt	1200 v	17 a		2.1V @ 15V，9A				100 µA	是的
IXFN420N10T	33.8700	RFQ	9007	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN420		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	623426	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	420a（TC）	10V	2.3MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	670 NC @ 10 V	±20V	47000 PF @ 25 V	-	1070W（TC）
IXTQ62N15P	-	RFQ	9785	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq62		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	62A（TC）	10V	40mohm @ 31a，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IXFH46N30T	5.5148	RFQ	9527	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH46		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh46n30t	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	46A（TC）	10V	80Mohm @ 23A，10V	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±20V	4770 pf @ 25 V	-	460W（TC）
IXGP7N60BD1	-	RFQ	2681	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP7	标准		80 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，7a，18ohm，15V											35 ns	-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	300µJ（离）	25 NC	10n/100n
IXFH170N25X3	21.3100	RFQ	70	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH170		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	170a（TC）	10V	7.4mohm @ 85a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFT24N90P-TRL	12.9159	RFQ	7968	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft24		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixft24n90p-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		900 v	24A（TC）	10V	420MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	660W（TC）
IXFX24N90Q	-	RFQ	8541	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX24		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	24A（TC）	10V	450MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFA110N15T2-TRL	4.2820	RFQ	3773	ixys	HiperFet™，Trencht2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA110		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	110A（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
FMP76-010T	-	RFQ	3948	ixys	Trench™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMP76		MOSFET （金属 o化物）	89W，132W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n和p通道			100V	62a，54a		11mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104NC @ 10V		5080pf @ 25V	-
IXFH50N60X	10.2963	RFQ	2235	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	50A（TC）	10V	73mohm @ 25a，10v	4.5V @ 4mA	116 NC @ 10 V	±30V	4660 pf @ 25 V	-	660W（TC）
IXTA300N04T2-7	5.2412	RFQ	2233	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta300		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	300A（TC）	10V	2.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFH130N15X3	11.9100	RFQ	41	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH130		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	130a（TC）	10V	9mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1.5mA	80 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXTH12N100	-	RFQ	9990	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFN70N100X	68.1400	RFQ	51	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN70		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1000 v	56A（TC）	10V	89mohm @ 35a，10v	6V @ 8mA	350 NC @ 10 V	±30V	9150 PF @ 25 V	-	1200W（TC）
IXFX150N15	15.3847	RFQ	2984	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX150		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	150a（TC）	10V	12.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFT120N15P	9.6787	RFQ	9537	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT120		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	120A（TC）	10V	16mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXGP12N120A3	4.3200	RFQ	4916	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP12	标准		100 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-												pt	1200 v	22 a	60 a	3V @ 15V，12A	-	20.4 NC	-
IXGH17N100AU1	-	RFQ	3770	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH17	标准		150 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH17N100AU1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			800V，17a，82ohm，15V											50 ns	-	1000 v	34 a	68 a	4V @ 15V，17a	3MJ（（）	100 NC	100NS/500NS
IXFT74N20Q	-	RFQ	4283	ixys	-	管子	过时的				ixft74						下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30					-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²