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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXTM1712	-	RFQ	8957	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	IXTM17		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	-			-	-	-	-		-		-	-
IXXH50N60B3D1	12.7900	RFQ	2916	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准		600 w	TO-247AD（IXXH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		360V，36a，5ohm，15V											25 ns	pt	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）上，740µJ（OFF）	70 NC	27n/100ns
IXGH16N170	13.2800	RFQ	6	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH16	标准		190 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1360v，16a，10ohm，15V												npt	1700 v	32 a	80 a	3.5V @ 15V，16a	9.3MJ（（）	78 NC	45NS/400NS
IXTA90N075T2	3.4400	RFQ	6	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta90		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta90n075t2	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		75 v	90A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXTH20N65X	10.4900	RFQ	300	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth20		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	320W（TC）
IXTH24N50L	22.5400	RFQ	7442	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth24		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	24A（TC）	20V	300mohm @ 500mA，20v	5V @ 250µA	160 NC @ 20 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFK30N110P	-	RFQ	3657	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK30		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		1100 v	30A（TC）	10V	360mohm @ 15a，10v	6.5V @ 1mA	235 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFN70N100X	68.1400	RFQ	51	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN70		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		1000 v	56A（TC）	10V	89mohm @ 35a，10v	6V @ 8mA	350 NC @ 10 V	±30V	9150 PF @ 25 V	-	1200W（TC）
IXTH12N150	17.1700	RFQ	27	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		1500 v	12A（TC）	10V	2ohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXTA220N055T	-	RFQ	3372	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta220		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	220A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXFN48N50	29.3340	RFQ	3319	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN48		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN48N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	10	n通道		500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXTH67N10	10.7410	RFQ	9480	ixys	Megamos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth67		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXTH67N10-NDR	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	67A（TC）	10V	25mohm @ 33.5a，10V	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXYH8N250CHV	25.4400	RFQ	8056	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYH8N250	标准		280 w	TO-247HV	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1250V，8a，15ohm，15V											5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
IXTQ120N20P	12.1300	RFQ	66	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ120		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
IXBA16N170AHV	29.4300	RFQ	22	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixba16	标准		150 w	TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixba16n170ahv	Ear99	8541.29.0095	50		1360v，10a，10ohm，15V											25 ns	-	1700 v	16 a	40 a	6V @ 15V，10a	2.5MJ（）	65 NC	15NS/250NS
IXFH13N80	-	RFQ	7752	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH13		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH13N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		800 v	13A（TC）	10V	800mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGP7N60B	-	RFQ	7527	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP7	标准		54 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，7A，22OHM，15V												pt	600 v	14 a	30 a	2V @ 15V，7a	（70µJ）（在300µJ上）	25 NC	9NS/100NS
IXGT6N170AHV	14.5227	RFQ	4663	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT6N170	标准		75 w	TO-268HV（IXGT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		850V，6A，33OHM，15V												-	1700 v	6 a	14 a	7V @ 15V，3A	（590µJ）（180µj of），OFF）	18.5 NC	46NS/220NS
IXTP1R4N100P	2.6384	RFQ	9901	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		1000 v	1.4A（TC）	10V	11ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	17.8 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	63W（TC）
IXGT28N60B	-	RFQ	9087	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT28	标准		150 w	TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，28a，10ohm，15V												-	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，28a	2MJ（（）	68 NC	15NS/175NS
IXFA110N15T2-TRL	4.2820	RFQ	3773	ixys	HiperFet™，Trencht2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA110		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		150 v	110A（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXGH28N120BD1	-	RFQ	3898	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH28	标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		960V，28a，5ohm，15V											40 ns	pt	1200 v	50 a	150 a	3.5V @ 15V，28a	2.2mj（（）	92 NC	30NS/210NS
IXFP110N15T2	5.3000	RFQ	7	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP110		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp110n15t2	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		150 v	110A（TC）	10V	13mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXGH25N100A	-	RFQ	3923	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH25	标准		200 w	TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		800V，25a，33ohm，15V												-	1000 v	50 a	100 a	4V @ 15V，25a	（5MJ））	130 NC	100NS/500NS
IXFH22N60P3	6.4600	RFQ	3957	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH22		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXXT100N75B4HV	25.6637	RFQ	8797	ixys	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxt100N75B4HV	Ear99	8541.29.0095	30
IXFT80N08	-	RFQ	1716年	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		80 V	80A（TC）	10V	9mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXYH30N120C3D1	14.0400	RFQ	535	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		416 w	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，30a，10ohm，15V											195 ns	-	1200 v	66 a	133 a	3.3V @ 15V，30a	2.6MJ（在）上，1.1MJ off）	69 NC	19NS/130NS
IXFX150N15	15.3847	RFQ	2984	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX150		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		150 v	150a（TC）	10V	12.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTT10N100D2	13.7638	RFQ	1731年	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt10		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.5OHM @ 5A，10V	-	200 NC @ 5 V	±20V	5320 PF @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²