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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFK150N30P3	21.8100	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK150		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk150n303	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	150a（TC）	10V	19mohm @ 75a，10v	5V @ 8mA	197 nc @ 10 V	±20V	12100 PF @ 25 V	-	1300W（TC）
IXFQ50N50P3	10.9000	RFQ	6756	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ50		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq50n50p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	50A（TC）	10V	120mohm @ 25a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 10 V	±30V	4335 pf @ 25 V	-	960W（TC）
IXFX120N303	18.3200	RFQ	9873	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX120		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx120n303	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	120A（TC）	10V	27mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	8630 PF @ 25 V	-	1130W（TC）
IXGA30N60C3D4	-	RFQ	2630	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA30	标准		220 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，20A，5OHM，15V											60 ns	pt	600 v	60 a	150 a	3V @ 15V，20A	270µJ（在）上，90µJ（90µJ）	38 NC	16ns/42ns
IXXK300N60B3	36.1300	RFQ	1421	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXXK300	标准		2300 w		TO-264（ixxk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，100A，1OHM，15V												pt	600 v	550 a	1140 a	1.6V @ 15V，100a	3.45MJ（在）上，2.86mj off）	460 NC	50NS/190NS
IXXX300N60C3	31.4893	RFQ	7803	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX300	标准		2300 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，1OHM，15V												pt	600 v	510 a	1075 a	2V @ 15V，100a	3.35mj（在）上，1.9MJ off）	438 NC	50NS/160NS
IXYX140N90C3	21.1900	RFQ	4	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYX140	标准		1630 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			450V，100A，1OHM，15V												-	900 v	310 a	840 a	2.7V @ 15V，140a	4.3MJ（在）上，4MJ（4MJ）	330 NC	40NS/145NS
MIEB101W1200EH	174.9860	RFQ	8233	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mieb101			630 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														-	1200 v	183 a		2.2V @ 15V，100a				300 µA	不	7.43 NF @ 25 V
MIXA10W1200TML	-	RFQ	7628	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	Mixa10			65 w	标准	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														pt	1200 v	17 a		2.1V @ 15V，9A				150 µA	是的
Mixa10wb1200	68.1200	RFQ	8098	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa10			60 W	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														pt	1200 v	17 a		2.1V @ 15V，9A				700 µA	是的
Mixa20W1200MC	-	RFQ	7350	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	Mixa20			100 W	标准	Eco-PAC2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	三相逆变器														pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，16a				200 µA	不
MIXA20WB1200TED	70.8600	RFQ	3	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa20			100 W	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，16a				1.5 ma	是的
MIXA40W1200TML	-	RFQ	6086	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	Mixa40			195 w	标准	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														pt	1200 v	60 a		2.1V @ 15V，35a				150 µA	是的
MKE38P600LB-TUB	40.8740	RFQ	4517	ixys	-	大部分	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		600 v	50A（TC）		-	-				-	-
mke38p600lb-trr	34.7130	RFQ	7290	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38P600		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		n通道		600 v	50A（TC）		-	-				-	-
MKE38RK600DFEL-TUB	27.6610	RFQ	3084	ixys	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	MKE38		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		600 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.5V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	-
MMIX1F420N10T	50.6500	RFQ	7133	ixys	Gigamos™，HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F420		MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		100 v	334a（TC）	10V	2.6mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	670 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 10 V	-	680W（TC）
IXYA50N65C3	5.9026	RFQ	3380	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixya50	标准		600 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	629999	Ear99	8541.29.0095	50			400V，36a，5ohm，15V												pt	650 v	130 a	250 a	2.1V @ 15V，36a	1.3mj（在）上，370µJ off）	80 NC	22NS/80NS
IXYT30N65C3H1HV	9.6221	RFQ	3168	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixyt30	标准		270 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											120 ns	pt	650 v	60 a	118 a	2.7V @ 15V，30a	1MJ（在）上，270µJ（OFF））	44 NC	21NS/75NS
IXYH40N65C3H1	8.7397	RFQ	4991	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		300 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											120 ns	pt	650 v	80 a	180 a	2.2V @ 15V，40a	（860µJ）（在400µJ上）	70 NC	26NS/106NS
IXYH75N65C3	8.6653	RFQ	5070	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh75	标准		750 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，60a，3ohm，15V												pt	650 v	170 a	360 a	2.3V @ 15V，60a	2.8MJ（在）上，1MJ（1MJ）	123 NC	27NS/93NS
IXBF20N360	63.0500	RFQ	4428	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF20	标准		230 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			1500V，20a，10ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	45 a	220 a	3.4V @ 15V，20A	15.5MJ（在）上，4.3MJ OFF）	43 NC	18NS/238NS
FMD15-06KC5-PT	-	RFQ	3791	ixys	CoolMos™，Hiperdyn™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	FMD15		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件						1		n通道		600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
IXDR35N120D1	-	RFQ	2995	ixys	-	大部分	过时的				ixdr35						-	rohs3符合条件			238-ixdr35n120d1			1
MMIX4G20N250	83.2600	RFQ	2740	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-smd模块，9条线索	MMIX4G20			100 W	标准	24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥														-	2500 v	23 a		3.1V @ 15V，20A				10 µA	不	1.19 nf @ 15 V
IXTN36N50	-	RFQ	6018	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn36		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	36a（TC）		-	4V @ 20mA				-	400W（TC）
GMM3X180-004X2-SMDSAM	-	RFQ	9521	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-smd，海鸥翼	GMM3x180		MOSFET （金属 o化物）	-		24-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			40V	180a		-	4.5V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
IXGK400N30C3	-	RFQ	9678	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK400	标准				TO-264（ixgk）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												-	300 v	400 a		-	-		-
IXFA22N60P3	4.3963	RFQ	5968	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA22		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	390MOHM @ 11A，10V	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH15N80Q	12.8787	RFQ	3437	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH15		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	15A（TC）	10V	600MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²