RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
ixta2n80	-	RFQ	5922	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta2		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	2A（TC）	10V	6.2OHM @ 500mA，10V	5.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IXTH120N15T	-	RFQ	5633	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXTH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	120A（TC）		-	-				-	-
FMP76-01T	-	RFQ	8626	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	FMP76		MOSFET （金属 o化物）	89W，132W		ISOPLUS I4-PAC™	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n和p通道，普通排水			100V	54A（TC），62A （TC）		24mohm @ 38a，10v，11mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA，4.5V @ 250µA	197NC @ 10V，104NC @ 10V		1370pf @ 25V，5080pf @ 25V	-
IXFE44N60	-	RFQ	8183	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		600 v	41A（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTH14N100	-	RFQ	8558	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	14A（TC）	10V	820MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	5650 pf @ 25 V	-	360W（TC）
ixta02n450hv	-	RFQ	3375	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta02		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		4500 v	200ma（tc）	10V	750OHM @ 10mA，10v	6.5V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	256 pf @ 25 V	-	113W（TC）
IXFC80N10	-	RFQ	4290	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC80N10		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	80A（TC）	10V	12.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXFN90N85X	55.2900	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN90		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		850 v	90A（TC）	10V	41MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 8mA	340 NC @ 10 V	±30V	13300 PF @ 25 V	-	1200W（TC）
ixta1n100p	2.9100	RFQ	42	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta1n100p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IXFK120N25P	14.4900	RFQ	3478	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		250 v	120A（TC）	10V	24mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	185 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXT3N120	8.4500	RFQ	12	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	ixt3n120-ndr	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXFX260N17T	-	RFQ	2289	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX260		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		170 v	260a（TC）	10V	6.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1670W（TC）
ixta130n10t	4.7600	RFQ	80	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta130		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q3262430	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXFH40N50Q	21.2700	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	40a（TC）	10V	140MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	130 NC @ 10 V	±30V	3800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGR72N60A3H1	-	RFQ	4876	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr72	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v											140 ns	pt	600 v	75 a	400 a	1.45V @ 15V，60a	1.4MJ（在）上，3.5MJ off）	230 NC	31ns/320ns
IXTP96P085T	6.3300	RFQ	9	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp96		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		85 v	96A（TC）	10V	13mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±15V	13100 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXGP30N120B3	8.0800	RFQ	3256	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP30	标准		300 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，30a，5ohm，15V												pt	1200 v	60 a	150 a	3.5V @ 15V，30a	3.47MJ（在）上，2.16MJ off）	87 NC	16NS/127NS
IXTT1N100	-	RFQ	5797	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt1		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	1.5A（TC）	10V	11ohm @ 1A，10V	4.5V @ 25µA	23 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	60W（TC）
VDI130-06P1	-	RFQ	4150	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi			379 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	600 v	121 a		2.9V @ 15V，130a				1.2 ma	是的	4.2 NF @ 25 V
IXFK48N50Q	-	RFQ	8518	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 24a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
GWM220-004P3-SMD SAM	-	RFQ	6011	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM220		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			40V	180a		-	4V @ 1mA	94NC @ 10V		-	-
IXFP130N15X3	9.6000	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP130		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp130n15x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	130a（TC）	10V	9mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1.5mA	80 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXFK48N50	27.1000	RFQ	820	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IXFK48N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 24a，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTQ30N60L2	19.3700	RFQ	6629	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	335 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFH40N30Q	-	RFQ	1537年	ixys	Hiperfet™	管	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH40N30Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	40a（TC）	10V	80Mohm @ 500mA，10V	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
ixtp4n80p	2.8600	RFQ	9547	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp4		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	3.6A（TC）	10V	3.4ohm @ 500mA，10v	5.5V @ 100µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXFH32N50	-	RFQ	8634	ixys	Hiperfet™	管子	过时	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响	IXFH32N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	32A（TC）	10V	150mohm @ 15a，10v	4V @ 4mA	300 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFV18N90PS	-	RFQ	7131	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV18		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	18A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±30V	5230 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFH10N90	-	RFQ	4630	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响	IXFH10N90-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFD24N50Q-72	-	RFQ	3947	ixys	-	大部分	过时的				IXFD24N50Q						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1					-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²