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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFK48N50	27.1000	RFQ	820	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IXFK48N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 24a，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXKH24N60C5	-	RFQ	9065	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKH24		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
ixtx4n300p3hv	76.5400	RFQ	1657年	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx4		MOSFET （金属 o化物）			to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		3000 v	4A（TC）	10V	12.5ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 25 V	-	960W（TC）
IXFK120N20P	13.4900	RFQ	4550	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
MMIX4G20N250	83.2600	RFQ	2740	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-smd模块，9条线索	MMIX4G20			100 W	标准	24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥													-	2500 v	23 a		3.1V @ 15V，20A				10 µA	不	1.19 nf @ 15 V
ixta15n50l2-trl	9.7021	RFQ	2009	ixys	线性l2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta15		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta15n50l2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTV30N60PS	-	RFQ	3021	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	ixtv30		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	5050 pf @ 25 V	-	540W（TC）
ixta48p05t	4.5600	RFQ	3	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta48		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		50 V	48A（TC）	10V	30mohm @ 24a，10v	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±15V	3660 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFH72N30x3	12.3900	RFQ	114	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH72		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXTA150N15X4	13.7900	RFQ	214	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta150		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	150a（TC）	10V	6.9MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
ixta1n120p	5.3000	RFQ	659	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	1A（TC）	10V	20ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	17.6 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	63W（TC）
IXFV20N80PS	-	RFQ	2705	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV20		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXGK72N60C3H1	-	RFQ	6303	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK72	-				TO-264（ixgk）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-											-				-	-		-
IXTT52N30P	6.0063	RFQ	6022	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT52		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	52A（TC）	10V	66mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3490 pf @ 25 V	-	400W（TC）
ixtp28n15p	-	RFQ	9289	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtp28		-			-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		-			-	-	-	-		-		-	-
IXTT82N25P	11.0100	RFQ	254	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT82		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	82A（TC）	10V	35mohm @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTH10N100D	18.3497	RFQ	9649	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.4ohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	耗尽模式	400W（TC）
IXFQ50N60X	8.1904	RFQ	9036	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ50		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	50A（TC）	10V	73mohm @ 25a，10v	4.5V @ 4mA	116 NC @ 10 V	±30V	4660 pf @ 25 V	-	660W（TC）
IXKH30N60C5	-	RFQ	3240	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 pf @ 10 V	-	-
GMM3X100-01X1-SMDSAM	-	RFQ	1276	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-smd，海鸥翼	GMM3x100		MOSFET （金属 o化物）	-		24-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			100V	90a		-	4.5V @ 1mA	90NC @ 10V		-	-
IXYH40N120A4	9.3362	RFQ	7616	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		600 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyH40N120A4	Ear99	8541.29.0095	30			600V，32A，5OHM，15V											pt	1200 v	140 a	275 a	1.8V @ 15V，32a	2.3MJ（在）上，3.75MJ off）	90 nc	22NS/204NS
IXFN130N30	42.4320	RFQ	6211	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN130		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFN130N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		300 v	130a（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXFT140N10P-TRL	8.0263	RFQ	5544	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT140		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixft140n10p-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		100 v	140a（TC）	10V，15V	11mohm @ 70a，10v	5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTH64N10L2	9.2300	RFQ	2	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth64		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	64A（TC）	10V	32MOHM @ 32A，10V	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3620 PF @ 25 V	-	357W（TC）
IXFT10N100	-	RFQ	7596	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft10		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.2OHM @ 5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT80N085	-	RFQ	5002	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		85 v	80A（TC）	10V	9mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT36N50P	11.4600	RFQ	1402	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft36		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
FII40-06D	-	RFQ	9858	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FII40			125 w	标准	ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥													npt	600 v	40 a		2.2V @ 15V，25a				600 µA	不	1.6 nf @ 25 V
IXFX200N10P	15.0393	RFQ	2712	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX200		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	200a（TC）	10V	7.5MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	830W（TC）
ixta6n100d2	8.1900	RFQ	4446	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta6		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	6A（TC）	-	2.2OHM @ 3a，0v	-	95 NC @ 5 V	±20V	2650 pf @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²