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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTP230N075T2	6.3900	RFQ	48	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP230		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	230a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTH86N20T	6.4897	RFQ	1635年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth86		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	86A（TC）		-	-				-	-
IXFR24N50	-	RFQ	3349	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXFH24N80P	11.5200	RFQ	3267	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH24		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	24A（TC）	10V	400mohm @ 12a，10v	5V @ 4mA	105 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	650W（TC）
IXTA230N075T2-7	6.4098	RFQ	4523	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta230		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	230a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXGH36N60B3D1	-	RFQ	7083	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH36	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，5ohm，15V											25 ns	pt	600 v		200 a	1.8V @ 15V，30a	540µJ（在）上，800µJ（（）	80 NC	19NS/125NS
IXGH50N90B2	7.3082	RFQ	1484	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准		400 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			720V，50a，5ohm，15V												pt	900 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	4.7MJ（）	135 NC	20N/350N
IXBH16N170	17.0800	RFQ	2975	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH16	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											1.32 µs	-	1700 v	40 a	120 a	3.3V @ 15V，16a	-	72 NC	-
MUBW25-06A6K	-	RFQ	5231	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw25			100 W	三相桥梁整流器	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														npt	600 v	31 a		2.4V @ 15V，20A				600 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
IXFT320N10T2	21.4400	RFQ	7172	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT320		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft320N10T2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	320a（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	430 NC @ 10 V	±20V	26000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXTM1630	-	RFQ	6495	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	IXTM16		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-			-	-	-	-		-		-	-
IXFP102N15T	5.3840	RFQ	7408	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP102		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	102A（TC）	10V	18mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	5220 PF @ 25 V	-	455W（TC）
IXTY1R4N60P	-	RFQ	2695	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	70		n通道		600 v	1.4A（TC）	10V	9ohm @ 700mA，10v	5.5V @ 25µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IXTT10P60	12.9700	RFQ	3064	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt10		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt10p60	Ear99	8541.29.0095	30		P通道		600 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTN62N50L	74.2900	RFQ	8096	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn62		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtn62n50l	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	62A（TC）	20V	100mohm @ 500mA，20v	5V @ 250µA	550 NC @ 20 V	±30V	11500 PF @ 25 V	-	800W（TC）
IXFK150N15	-	RFQ	8467	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK150		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	150a（TC）	10V	12.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFT36N60P	10.9617	RFQ	2701	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft36		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	36a（TC）	10V	190mohm @ 18a，10v	5V @ 4mA	102 NC @ 10 V	±30V	5800 pf @ 25 V	-	650W（TC）
IXFB44N100P	32.9800	RFQ	2532	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB44		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	44A（TC）	10V	220MOHM @ 22a，10v	6.5V @ 1mA	305 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
ixtx4n300p3hv	76.5400	RFQ	1657年	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx4		MOSFET （金属 o化物）			to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		3000 v	4A（TC）	10V	12.5ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 25 V	-	960W（TC）
ixtp32n20t	-	RFQ	7247	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp32		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	32A（TC）	10V	72MOHM @ 16a，10v	4.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXGT32N170	25.1700	RFQ	9323	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT32	标准		350 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1020v，32a，2.7Ohm，15V												npt	1700 v	75 a	200 a	3.3V @ 15V，32a	（11mj）（）	155 NC	45NS/270NS
GWM100-01X1-SMD	-	RFQ	9467	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM100		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）			100V	90a		8.5MOHM @ 80A，10V	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		-	-
IXFN66N85X	45.8900	RFQ	630	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN66		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		850 v	65A（TC）	10V	65mohm @ 33a，10v	5.5V @ 8mA	230 NC @ 10 V	±30V	8900 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXTA120N075T2	3.6936	RFQ	6083	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta120		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	120A（TC）	10V	7.7MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	4740 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXGH30N60C2D1	-	RFQ	3940	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24A，5OHM，15V											25 ns	pt	600 v	70 a	150 a	2.7V @ 15V，24a	（190µJ）	70 NC	13NS/70NS
IXTH98N20T	-	RFQ	1874年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth98		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	98A（TC）		-	-				-	-
VMO80-05P1	-	RFQ	5751	ixys	-	盒子	过时的	-	底盘安装	Eco-PAC2	VMO		MOSFET （金属 o化物）			Eco-PAC2	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			-		-	-				-	-
IXFK36N60P	9.4263	RFQ	9006	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK36		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	36a（TC）	10V	190mohm @ 18a，10v	5V @ 4mA	102 NC @ 10 V	±30V	5800 pf @ 25 V	-	650W（TC）
IXFK48N60Q3	28.9700	RFQ	6	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk48n60q3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	48A（TC）	10V	140MOHM @ 24A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7020 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXFP20N85X	8.4800	RFQ	5896	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		850 v	20A（TC）	10V	330mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 2.5mA	63 NC @ 10 V	±30V	1660 pf @ 25 V	-	540W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²