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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MUBW25-06A6K	-	RFQ	5231	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw25			100 W	三相桥梁整流器	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														npt	600 v	31 a		2.4V @ 15V，20A				600 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
IXGK82N120B3	26.8580	RFQ	2996	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK82	标准		1250 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			600V，80a，2ohm，15V												pt	1200 v	230 a	500 a	3.2V @ 15V，82a	5MJ（在）上，3.3MJ（3.3MJ）	350 NC	30NS/210NS
IXFH75N10Q	-	RFQ	4374	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH75		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	75A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT50N60P3-TRL	8.7704	RFQ	4885	ixys	Hiperfet™，Polar3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixft50n60p3-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		600 v	50A（TC）	10V	145mohm @ 25a，10v	5V @ 4mA	94 NC @ 10 V	±30V	6300 PF @ 25 V	-	1.04kW（TC）
IXBH6N170	11.9900	RFQ	4	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH6	标准		75 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											1.08 µs	-	1700 v	12 a	36 a	3.4V @ 15V，6A	-	17 NC	-
ixta3n100d2hv-trl	3.4518	RFQ	4915	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n100d2hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	3A（TJ）	0V	6ohm @ 1.5a，0v	4.5V @ 250µA	37.5 NC @ 5 V	±20V	1020 PF @ 25 V	耗尽模式	125W（TC）
ixtx17n120l	41.4727	RFQ	4561	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx17		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	17a（TC）	20V	900mohm @ 8.5a，20v	5V @ 250µA	155 NC @ 15 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXGP50N33TBM-A	-	RFQ	4886	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP50	标准		50 W		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-												沟	330 v	30 a		1.6V @ 15V，25a	-	42 NC	-
IXT36N30P	5.0200	RFQ	116	ixys	Polarht™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFR34N80	-	RFQ	7855	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR34		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	28a（TC）	10V	240mohm @ 17a，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	416W（TC）
ixta1r6n100d2hv	4.7600	RFQ	189	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	1.6A（TJ）	0V	10ohm @ 800mA，0v	4.5V @ 100µA	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 10 V	耗尽模式	100W（TC）
IXFK26N120P	39.8300	RFQ	83	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK26		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1200 v	26a（TC）	10V	460MOHM @ 13A，10V	6.5V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	16000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXBH16N170	17.0800	RFQ	2975	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH16	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											1.32 µs	-	1700 v	40 a	120 a	3.3V @ 15V，16a	-	72 NC	-
IXGR72N60A3H1	-	RFQ	4876	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr72	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v											140 ns	pt	600 v	75 a	400 a	1.45V @ 15V，60a	1.4MJ（在）上，3.5MJ off）	230 NC	31ns/320ns
IXFK24N100	20.1528	RFQ	7723	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK24		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFK24N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	267 NC @ 10 V	±20V	8700 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFX32N50Q	-	RFQ	8455	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX32		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	32A（TC）	10V	160mohm @ 16a，10v	4.5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 25 V	-	416W（TC）
MIAA15WE600TMH	-	RFQ	7293	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MIAA15W			80 W	单相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														npt	600 v	23 a		2.5V @ 15V，15a				600 µA	是的	700 pf @ 25 V
IXFE44N60	-	RFQ	8183	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		600 v	41A（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFP130N10T	3.9572	RFQ	9559	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP130		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 1mA	104 NC @ 10 V	±20V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
ixta1r6n50d2	3.2300	RFQ	5718	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	1.6A（TC）	10V	2.3OHM @ 800mA，0v	-	23.7 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	耗尽模式	100W（TC）
IXFK110N07	11.5580	RFQ	5915	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK110		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFK110N07-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		70 v	110A（TC）	10V	6mohm @ 55a，10v	4V @ 8mA	480 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
ixtu44n10t	-	RFQ	9536	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		100 v	44A（TC）		-	4.5V @ 25µA				-	-
IXGK28N140B3H1	-	RFQ	3881	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK28	标准		300 w		TO-264（ixgk）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，28a，5ohm，15V											350 ns	pt	1400 v	60 a	150 a	3.6V @ 15V，28a	3.6mj（在）（3.9mj）上	88 NC	16NS/190NS
IXYP15N65B3D1	-	RFQ	9467	ixys	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP15N65B3D1	Ear99	8541.29.0095	50
IXER35N120D1	-	RFQ	9188	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixer35	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，35a，39ohm，15V											80 ns	npt	1200 v	50 a		2.8V @ 15V，35a	5.4MJ（在）上，2.6MJ off）	150 NC	-
IXTY08N100P-TRL	1.7674	RFQ	1068	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY08		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty08n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1000 v	800mA（TC）	10V	20ohm @ 400mA，10v	4V @ 50µA	11.3 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IXFB100N50Q3	43.4700	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB100		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfb100n50q3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	100A（TC）	10V	49mohm @ 50a，10v	6.5V @ 8mA	255 NC @ 10 V	±30V	13800 PF @ 25 V	-	1560W（TC）
IXFV22N60PS	-	RFQ	3214	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV22		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 4mA	58 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFL100N50P	34.2800	RFQ	7335	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL100		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	70A（TC）	10V	52mohm @ 50a，10v	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±30V	20000 PF @ 25 V	-	625W（TC）
IXFH52N50P2	2000年12月12日	RFQ	7488	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH52		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	52A（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	4.5V @ 4mA	113 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	960W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²