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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTV30N60PS	-	RFQ	3021	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	ixtv30		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	5050 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXTA150N15X4	13.7900	RFQ	214	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta150		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	150a（TC）	10V	6.9MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFV20N80PS	-	RFQ	2705	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV20		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXGK72N60C3H1	-	RFQ	6303	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK72	-				TO-264（ixgk）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												-				-	-		-
IXTT52N30P	6.0063	RFQ	6022	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT52		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	52A（TC）	10V	66mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3490 pf @ 25 V	-	400W（TC）
ixtp28n15p	-	RFQ	9289	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtp28		-			-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		-			-	-	-	-		-		-	-
IXTT82N25P	11.0100	RFQ	254	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT82		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	82A（TC）	10V	35mohm @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFC80N08	-	RFQ	1556年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC80N08		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	80A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXFD28N50Q-72	-	RFQ	9227	ixys	-	大部分	过时的				IXFD28N50Q						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1					-
IXTT96N15P	8.4900	RFQ	321	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt96		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXBF10N300C	-	RFQ	4165	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF10	标准		240 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			1500V，10a，10ohm，15V											700 ns	-	3000 v	29 a	240 a	6V @ 15V，10a	7.2mj（在）（1.04MJ）上）	208 NC	32NS/390NS
MIO2400-17E10	-	RFQ	3509	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E10	mio				标准	E10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														npt	1700 v	2400 a		2.6V @ 15V，2400a				120 MA	不	230 NF @ 25 V
ixta1n100	4.3400	RFQ	152	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	1.5A（TC）	10V	11ohm @ 1A，10V	4.5V @ 25µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IXKC25N80C	-	RFQ	9404	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC25		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	25A（TC）	10V	150MOHM @ 18A，10V	4V @ 2mA	180 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	-
IXGT50N60C2	-	RFQ	1849年	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT50	标准		400 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2ohm，15V												pt	600 v	75 a	300 a	2.7V @ 15V，40a	380µJ（OFF）	138 NC	18NS/115NS
IXXH100N60B3	16.2600	RFQ	2965	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH100	标准		830 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，70a，2ohm，15V												pt	600 v	220 a	480 a	1.8V @ 15V，70a	1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中	143 NC	30NS/120NS
IXFX260N17T	-	RFQ	2289	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX260		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		170 v	260a（TC）	10V	6.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1670W（TC）
IXTN32P60P	39.6000	RFQ	228	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn32		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道		600 v	32A（TC）	10V	350MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	11100 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXTK550N055T2	21.2616	RFQ	9310	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk550		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		55 v	550a（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	595 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFB300N10P	35.6900	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB300		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	300A（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	5V @ 8mA	279 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
IXTH32P20T	7.9731	RFQ	5016	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	14500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTP76P10T	6.3300	RFQ	10	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP76		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	621165	Ear99	8541.29.0095	50		P通道		100 v	76A（TC）	10V	25mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	197 nc @ 10 V	±15V	13700 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXTP260N055T2	6.3300	RFQ	73	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP260		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	260a（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFR30N60P	11.3953	RFQ	9552	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR30		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	15A（TC）	10V	250mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 10 V	±30V	3820 pf @ 25 V	-	166W（TC）
IXYH50N65C3D1	-	RFQ	9039	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH50	标准		600 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，36a，5ohm，15V											36 NS	-	650 v	132 a	250 a	2.1V @ 15V，36a	（800µJ）（800µJ），800µJ（OFF）	86 NC	20N/90NS
IXTH76N25T	6.5700	RFQ	11	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth76		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	76A（TC）	10V	39mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTV110N25T	-	RFQ	2085	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXTV110		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	110A（TC）	10V	24mohm @ 55a，10v	4.5V @ 1mA	157 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	694W（TC）
ixtu2n80p	-	RFQ	5363	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu2		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		800 v	2A（TC）	10V	6ohm @ 1a，10v	5.5V @ 50µA	10.6 NC @ 10 V	±30V	440 pf @ 25 V	-	70W（TC）
IXTQ75N10P	5.5500	RFQ	3	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq75		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	75A（TC）	10V	25mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	360W（TC）
ixta7n60p	1.7474	RFQ	7531	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta7		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	7A（TC）		1.1OHM @ 3.5A，10V	5.5V @ 100µA	20 nc @ 10 V		1080 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²