SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
IXGP7N60CD1 IXYS IXGP7N60CD1 -
RFQ
ECAD 7096 0.00000000 ixys HiperFast™,Lightspeed™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXGP7 标准 75 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V,7a,18ohm,15V 35 ns - 600 v 14 a 30 a 2.5V @ 15V,7a 120µJ(离) 25 NC 10NS/65NS
IXGR16N170AH1 IXYS IXGR16N170AH1 -
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR16 标准 120 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V,16a,10ohm,15V 150 ns - 1700 v 16 a 40 a 5V @ 15V,8a 900µJ(离) 65 NC 36NS/200NS
IXGR32N170AH1 IXYS IXGR32N170AH1 -
RFQ
ECAD 8538 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixgr32 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1360V,21a,2.7Ohm,15V 230 ns npt 1700 v 26 a 200 a 5.2V @ 15V,21a 1.5mj(() 155 NC 46NS/260NS
IXGR35N120D1 IXYS IXGR35N120D1 -
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 ixgr35 标准 ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 1200 v - - -
IXGR40N60C2 IXYS IXGR40N60C2 -
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR40 标准 170 w ISOPLUS247™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,3ohm,15V pt 600 v 56 a 200 a 2.7V @ 15V,30a (200µJ) 95 NC 18NS/90NS
IXGR40N60CD1 IXYS IXGR40N60CD1 -
RFQ
ECAD 2543 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR40 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,40a,4.7Ohm,15V 3.5 ns pt 600 v 75 a 150 a 2.7V @ 15V,40a 850µJ(离) 116 NC 25n/100n
IXGR48N60B3D1 IXYS IXGR48N60B3D1 -
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR48 标准 150 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,30a,5ohm,15V 100 ns pt 600 v 60 a 280 a 2.1V @ 15V,40a (840µJ)(在660µJ上) 115 NC 22NS/130NS
IXGT16N170 IXYS IXGT16N170 12.4280
RFQ
ECAD 5592 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT16 标准 190 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1360v,16a,10ohm,15V npt 1700 v 32 a 80 a 3.5V @ 15V,16a 9.3MJ(() 78 NC 45NS/400NS
IXGT16N170A IXYS IXGT16N170A 14.3900
RFQ
ECAD 1962年 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT16 标准 190 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V,16a,10ohm,15V npt 1700 v 16 a 40 a 5V @ 15V,11a 900µJ(离) 65 NC 36NS/160NS
IXGT20N120BD1 IXYS IXGT20N120BD1 -
RFQ
ECAD 1559年 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT20 标准 190 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 960V,20a,10ohm,15V 40 ns - 1200 v 40 a 100 a 3.4V @ 15V,20A 2.1MJ(() 72 NC 25NS/150NS
IXGT25N160 IXYS IXGT25N160 -
RFQ
ECAD 5412 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT25 标准 300 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - npt 1600 v 75 a 200 a 4.7V @ 20v,100a - 84 NC -
IXGT28N120B IXYS IXGT28N120B -
RFQ
ECAD 3282 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT28 标准 250 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 960V,28a,5ohm,15V pt 1200 v 50 a 150 a 3.5V @ 15V,28a 2.2mj(() 92 NC 30NS/210NS
IXGT28N120BD1 IXYS IXGT28N120BD1 -
RFQ
ECAD 7542 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT28 标准 250 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 960V,28a,5ohm,15V 40 ns pt 1200 v 50 a 150 a 3.5V @ 15V,28a 2.2mj(() 92 NC 30NS/210NS
IXXN100N60B3H1 IXYS IXXN100N60B3H1 38.1000
RFQ
ECAD 6285 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXXN100 500 w 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q7004112 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 170 a 1.8V @ 15V,70a 50 µA 4.86 NF @ 25 V
IXTX20N150 IXYS IXTX20N150 30.7800
RFQ
ECAD 4334 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 ixtx20 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtx20N150 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1500 v 20A(TC) 10V 1ohm @ 10a,10v 4.5V @ 1mA 215 NC @ 10 V ±30V 7800 PF @ 25 V - 1250W(TC)
IXTK210P10T IXYS ixtk210p10t 31.4700
RFQ
ECAD 4959 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 ixtk210 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q6907896 Ear99 8541.29.0095 25
IXTK200N10L2 IXYS IXTK200N10L2 38.7700
RFQ
ECAD 240 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA ixtk200 MOSFET (金属 o化物) TO-264(IXTK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q7017004 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 200a(TC) 10V 11mohm @ 100a,10v 4.5V @ 3mA 540 NC @ 10 V ±20V 23000 PF @ 25 V - 1040W(TC)
IXYH40N120C3D1 IXYS IXYH40N120C3D1 15.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXYH40 标准 480 w TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,40a,10ohm,15V 195 ns - 1200 v 64 a 105 a 4V @ 15V,40a 3.9mj(在)上,660µJ降低) 85 NC 24NS/125NS
IXYH50N120C3D1 IXYS IXYH50N120C3D1 14.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXYH50 标准 625 w TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,50A,5OHM,15V 195 ns - 1200 v 90 a 210 a 4V @ 15V,50a 3MJ(在)(1MJ)上(1MJ) 142 NC 28ns/133ns
IXYP30N120C3 IXYS IXYP30N120C3 7.1089
RFQ
ECAD 5877 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXYP30 标准 500 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V,30a,10ohm,15V - 1200 v 75 a 145 a 3.3V @ 15V,30a 2.6MJ(在)上,1.1MJ off) 69 NC 19NS/130NS
IXYP8N90C3D1 IXYS IXYP8N90C3D1 3.8261
RFQ
ECAD 7861 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 IXYP8N90 标准 125 w TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 450V,8A,30OHM,15V 114 ns - 900 v 20 a 48 a 2.5V @ 15V,8a (460µJ)(180µJ降),OFF) 13.3 NC 16NS/40NS
IXBT24N170 IXYS IXBT24N170 28.4097
RFQ
ECAD 6584 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXBT24 标准 250 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.06 µs - 1700 v 60 a 230 a 2.5V @ 15V,24a - 140 NC -
IXFA130N10T2 IXYS IXFA130N10T2 5.6500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA130 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA(IXFA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 130a(TC) 10V 9.1MOHM @ 65A,10V 4.5V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±20V 6600 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXFA14N60P3 IXYS IXFA14N60P3 -
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA14 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA(IXFA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfa14n60p3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 14A(TC) 10V 540MOHM @ 7A,10V 5V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±30V 1480 pf @ 25 V - 327W(TC)
IXFA4N60P3 IXYS IXFA4N60P3 -
RFQ
ECAD 1474 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA4N60 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA(IXFA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 4A(TC) 10V 2.2OHM @ 2A,10V 5V @ 250µA 6.9 NC @ 10 V ±30V 365 pf @ 25 V - 114W(TC)
IXFH120N25T IXYS IXFH120N25T 12.9570
RFQ
ECAD 4685 0.00000000 ixys hiperfet™,战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH120 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 120A(TC) 10V 23mohm @ 60a,10v 5V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 11300 PF @ 25 V - 890W(TC)
IXFH150N20T IXYS IXFH150N20T 19.7900
RFQ
ECAD 30 0.00000000 ixys hiperfet™,战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH150 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 150a(TC) 10V 15mohm @ 75a,10v 5V @ 4mA 177 NC @ 10 V ±20V 11700 PF @ 25 V - 890W(TC)
IXFK220N17T2 IXYS IXFK220N17T2 14.5100
RFQ
ECAD 464 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK220 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 170 v 220A(TC) 10V 6.3mohm @ 60a,10v 5V @ 8mA 500 NC @ 10 V ±20V 31000 PF @ 25 V - 1250W(TC)
IXFK32N90P IXYS IXFK32N90P -
RFQ
ECAD 8436 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK32 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 900 v 32A(TC) 10V 300mohm @ 16a,10v 6.5V @ 1mA 215 NC @ 10 V ±30V 10600 PF @ 25 V - 960W(TC)
IXFL132N50P3 IXYS IXFL132N50P3 29.7500
RFQ
ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFL132 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfl132n50p3 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 63A(TC) 10V 43mohm @ 66a,10v 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 18600 PF @ 25 V - 520W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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