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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXFH7N100P | 8.3188 | ![]() | 2780 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1000 v | 7A(TC) | 10V | 1.9OHM @ 3.5A,10V | 6V @ 1mA | 47 NC @ 10 V | ±30V | 2590 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IXTQ220N055T | - | ![]() | 1397 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXTQ220 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 55 v | 220A(TC) | 10V | 4mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 158 NC @ 10 V | ±20V | 7200 PF @ 25 V | - | 430W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IXTP220N075T | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | ixys | TRENCHMV™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp220 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 220A(TC) | 10V | 4.5MOHM @ 25A,10V | 4V @ 250µA | 165 NC @ 10 V | ±20V | 7700 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IXFL132N50P3 | 29.7500 | ![]() | 25 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polar3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFL132 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS264™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixfl132n50p3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 63A(TC) | 10V | 43mohm @ 66a,10v | 5V @ 8mA | 250 NC @ 10 V | ±30V | 18600 PF @ 25 V | - | 520W(TC) | ||||||||||||||
IXFA4N60P3 | - | ![]() | 1474 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polar3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXFA4N60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA(IXFA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.2OHM @ 2A,10V | 5V @ 250µA | 6.9 NC @ 10 V | ±30V | 365 pf @ 25 V | - | 114W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IXFP7N80P | 5.3000 | ![]() | 300 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXFP7N80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 7A(TC) | 10V | 1.44OHM @ 3.5A,10V | 5V @ 1mA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1890 pf @ 25 V | - | 200W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IXFQ50N60P3 | 10.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polar3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXFQ50 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 50A(TC) | 10V | 145mohm @ 500mA,10v | 5V @ 4mA | 94 NC @ 10 V | ±30V | 6300 PF @ 25 V | - | 1040W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IXFH60N60X | 13.5933 | ![]() | 3925 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 60a(TC) | 10V | 55mohm @ 30a,10v | 4.5V @ 8mA | 143 NC @ 10 V | ±30V | 5800 pf @ 25 V | - | 890W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IXA33IF1200HB | 10.4200 | ![]() | 216 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXA33IF1200 | 标准 | 250 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,25a,39ohm,15V | 350 ns | pt | 1200 v | 58 a | 2.1V @ 15V,25a | 2.5mj(在)上,3MJ(3mj) | 76 NC | - | ||||||||||||||||
![]() | IXTY44N10T | 2.5800 | ![]() | 3964 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixty44 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 100 v | 44A(TC) | 10V | 30mohm @ 22a,10v | 4.5V @ 25µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1262 PF @ 25 V | - | 130W(TC) | |||||||||||||||
![]() | ixtp2n100p | 3.5600 | ![]() | 160 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp2 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixtp2n100p | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 1000 v | 2A(TC) | 10V | 7.5OHM @ 500mA,10v | 4.5V @ 100µA | 24.3 NC @ 10 V | ±20V | 655 pf @ 25 V | - | 86W(TC) | ||||||||||||||
![]() | IXTH1N450HV | 45.6100 | ![]() | 315 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | ixth1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247HV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixth1n450hv | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 4500 v | 1A(TC) | 10V | 80ohm @ 50mA,10v | 6V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±20V | 1700 PF @ 25 V | - | 520W(TC) | ||||||||||||||
![]() | ixtu5n50p | - | ![]() | 1638年 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixtu5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 500 v | 4.8A(TC) | 10V | 1.4OHM @ 2.4a,10V | 5.5V @ 50µA | 12.6 NC @ 10 V | ±30V | 620 pf @ 25 V | - | 89W(TC) | |||||||||||||||
![]() | ixfp3n50pm | - | ![]() | 7544 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polarht™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixfp3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 2.7A(TC) | 10V | 2ohm @ 1.8A,10V | 5.5V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ±30V | 409 pf @ 25 V | - | 36W(TC) | ||||||||||||||||
ixtp12n70x2 | 4.3970 | ![]() | 3176 | 0.00000000 | ixys | Ultra X2 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ixtp12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixtp12n70x2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 700 v | 12A(TC) | 10V | 300mohm @ 6a,10v | 4.5V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±30V | 960 pf @ 25 V | - | 180W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IXTP230N075T2 | 6.3900 | ![]() | 48 | 0.00000000 | ixys | TRENCHT2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXTP230 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 75 v | 230a(TC) | 10V | 4.2MOHM @ 50a,10v | 4V @ 250µA | 178 NC @ 10 V | ±20V | 10500 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IXFK66N50Q2 | - | ![]() | 4061 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK66 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 66A(TC) | 10V | 80Mohm @ 500mA,10V | 4.5V @ 8mA | 200 NC @ 10 V | ±30V | 8400 PF @ 25 V | - | 735W(TC) | |||||||||||||||
ixta1r4n100p | 3.3100 | ![]() | 260 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 1000 v | 1.4A(TC) | 10V | 11ohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 50µA | 17.8 NC @ 10 V | ±20V | 450 pf @ 25 V | - | 63W(TC) | ||||||||||||||||
ixta32p20t | 9.1900 | ![]() | 333 | 0.00000000 | ixys | Trechp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta32 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 200 v | 32A(TC) | 10V | 130mohm @ 16a,10v | 4V @ 250µA | 185 NC @ 10 V | ±15V | 14500 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IXFT13N100 | - | ![]() | 2671 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | - | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixft13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1000 v | 12.5A(TC) | 10V | 900mohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 4mA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||
IXGA30N60C3D4 | - | ![]() | 2630 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXGA30 | 标准 | 220 w | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V,20A,5OHM,15V | 60 ns | pt | 600 v | 60 a | 150 a | 3V @ 15V,20A | 270µJ(在)上,90µJ(90µJ) | 38 NC | 16ns/42ns | ||||||||||||||||
![]() | IXTY1N100P | 2.3449 | ![]() | 4934 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixty1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 1000 v | 1A(TC) | 10V | 15ohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 50µA | 15.5 NC @ 10 V | ±20V | 331 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IXGR6N170A | 21.3700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGR6N170 | 标准 | 50 W | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 850V,6A,33OHM,15V | - | 1700 v | 5.5 a | 18 a | 7V @ 15V,3A | (590µJ)(180µj of),OFF) | 18.5 NC | 46NS/220NS | ||||||||||||||||
IXFA22N65X2 | 5.9400 | ![]() | 288 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X2 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXFA22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263HV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 22a(TC) | 10V | 160mohm @ 11a,10v | 5.5V @ 1.5mA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 2310 PF @ 25 V | - | 390W(TC) | ||||||||||||||||
IXFA22N60P3 | 4.3963 | ![]() | 5968 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Polar3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXFA22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263AA(IXFA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 10V | 390MOHM @ 11A,10V | 5V @ 1.5mA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 2600 PF @ 25 V | - | 500W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | IXTQ110N055P | - | ![]() | 8977 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXTQ110 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 55 v | 110A(TC) | 10V | 13.5mohm @ 500mA,10v | 5.5V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±20V | 2210 PF @ 25 V | - | 390W(TC) | |||||||||||||||
![]() | MCB30P1200LB-tub | - | ![]() | 4554 | 0.00000000 | ixys | MCB30P1200LB | 管子 | 积极的 | - | 表面安装 | 9-PowersMD | MCB30P1200 | (SIC) | - | 9-SMPD-B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCB30P1200LB-TUB | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 4(n n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | IXTH20P50P | 11.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Polarp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixth20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P通道 | 500 v | 20A(TC) | 10V | 450MOHM @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 103 NC @ 10 V | ±20V | 5120 PF @ 25 V | - | 460W(TC) | |||||||||||||||
IXSA10N60B2D1 | - | ![]() | 3354 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXSA10 | 标准 | 100 W | TO-263AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | IXSA10N60B2D1-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V,10a,30ohm,15V | 25 ns | pt | 600 v | 20 a | 30 a | 2.5V @ 15V,10a | (430µJ)) | 17 NC | 30NS/180NS | ||||||||||||||||
![]() | IXTP140P05T | 7.8100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ixys | Trechp™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXTP140 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P通道 | 50 V | 140a(TC) | 10V | 9MOHM @ 70A,10V | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ±15V | 13500 PF @ 25 V | - | 298W(TC) |
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