SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
IXFH7N100P IXYS IXFH7N100P 8.3188
RFQ
ECAD 2780 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH7 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 7A(TC) 10V 1.9OHM @ 3.5A,10V 6V @ 1mA 47 NC @ 10 V ±30V 2590 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXTQ220N055T IXYS IXTQ220N055T -
RFQ
ECAD 1397 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ220 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 55 v 220A(TC) 10V 4mohm @ 25a,10v 4V @ 250µA 158 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 25 V - 430W(TC)
IXTP220N075T IXYS IXTP220N075T -
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp220 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 220A(TC) 10V 4.5MOHM @ 25A,10V 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ±20V 7700 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXFL132N50P3 IXYS IXFL132N50P3 29.7500
RFQ
ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFL132 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS264™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfl132n50p3 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 63A(TC) 10V 43mohm @ 66a,10v 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 18600 PF @ 25 V - 520W(TC)
IXFA4N60P3 IXYS IXFA4N60P3 -
RFQ
ECAD 1474 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA4N60 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA(IXFA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 4A(TC) 10V 2.2OHM @ 2A,10V 5V @ 250µA 6.9 NC @ 10 V ±30V 365 pf @ 25 V - 114W(TC)
IXFP7N80P IXYS IXFP7N80P 5.3000
RFQ
ECAD 300 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXFP7N80 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 7A(TC) 10V 1.44OHM @ 3.5A,10V 5V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±30V 1890 pf @ 25 V - 200W(TC)
IXFQ50N60P3 IXYS IXFQ50N60P3 10.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXFQ50 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 50A(TC) 10V 145mohm @ 500mA,10v 5V @ 4mA 94 NC @ 10 V ±30V 6300 PF @ 25 V - 1040W(TC)
IXFH60N60X IXYS IXFH60N60X 13.5933
RFQ
ECAD 3925 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH60 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 60a(TC) 10V 55mohm @ 30a,10v 4.5V @ 8mA 143 NC @ 10 V ±30V 5800 pf @ 25 V - 890W(TC)
IXA33IF1200HB IXYS IXA33IF1200HB 10.4200
RFQ
ECAD 216 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXA33IF1200 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,25a,39ohm,15V 350 ns pt 1200 v 58 a 2.1V @ 15V,25a 2.5mj(在)上,3MJ(3mj) 76 NC -
IXTY44N10T IXYS IXTY44N10T 2.5800
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty44 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 100 v 44A(TC) 10V 30mohm @ 22a,10v 4.5V @ 25µA 33 NC @ 10 V ±30V 1262 PF @ 25 V - 130W(TC)
IXTP2N100P IXYS ixtp2n100p 3.5600
RFQ
ECAD 160 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp2 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtp2n100p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 2A(TC) 10V 7.5OHM @ 500mA,10v 4.5V @ 100µA 24.3 NC @ 10 V ±20V 655 pf @ 25 V - 86W(TC)
IXTH1N450HV IXYS IXTH1N450HV 45.6100
RFQ
ECAD 315 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 ixth1 MOSFET (金属 o化物) TO-247HV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixth1n450hv Ear99 8541.29.0095 30 n通道 4500 v 1A(TC) 10V 80ohm @ 50mA,10v 6V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 25 V - 520W(TC)
IXTU5N50P IXYS ixtu5n50p -
RFQ
ECAD 1638年 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixtu5 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 500 v 4.8A(TC) 10V 1.4OHM @ 2.4a,10V 5.5V @ 50µA 12.6 NC @ 10 V ±30V 620 pf @ 25 V - 89W(TC)
IXFP3N50PM IXYS ixfp3n50pm -
RFQ
ECAD 7544 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixfp3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 2.7A(TC) 10V 2ohm @ 1.8A,10V 5.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 409 pf @ 25 V - 36W(TC)
IXTP12N70X2 IXYS ixtp12n70x2 4.3970
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp12 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtp12n70x2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 700 v 12A(TC) 10V 300mohm @ 6a,10v 4.5V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±30V 960 pf @ 25 V - 180W(TC)
IXTP230N075T2 IXYS IXTP230N075T2 6.3900
RFQ
ECAD 48 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXTP230 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 230a(TC) 10V 4.2MOHM @ 50a,10v 4V @ 250µA 178 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXFK66N50Q2 IXYS IXFK66N50Q2 -
RFQ
ECAD 4061 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK66 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 66A(TC) 10V 80Mohm @ 500mA,10V 4.5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 8400 PF @ 25 V - 735W(TC)
IXTA1R4N100P IXYS ixta1r4n100p 3.3100
RFQ
ECAD 260 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta1 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 1.4A(TC) 10V 11ohm @ 500mA,10v 4.5V @ 50µA 17.8 NC @ 10 V ±20V 450 pf @ 25 V - 63W(TC)
IXTA32P20T IXYS ixta32p20t 9.1900
RFQ
ECAD 333 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta32 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 200 v 32A(TC) 10V 130mohm @ 16a,10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±15V 14500 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFT13N100 IXYS IXFT13N100 -
RFQ
ECAD 2671 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 - 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft13 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12.5A(TC) 10V 900mohm @ 500mA,10v 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXGA30N60C3D4 IXYS IXGA30N60C3D4 -
RFQ
ECAD 2630 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXGA30 标准 220 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 300V,20A,5OHM,15V 60 ns pt 600 v 60 a 150 a 3V @ 15V,20A 270µJ(在)上,90µJ(90µJ) 38 NC 16ns/42ns
IXTY1N100P IXYS IXTY1N100P 2.3449
RFQ
ECAD 4934 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty1 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 1000 v 1A(TC) 10V 15ohm @ 500mA,10v 4.5V @ 50µA 15.5 NC @ 10 V ±20V 331 PF @ 25 V - 50W(TC)
IXGR6N170A IXYS IXGR6N170A 21.3700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR6N170 标准 50 W ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V,6A,33OHM,15V - 1700 v 5.5 a 18 a 7V @ 15V,3A (590µJ)(180µj of),OFF) 18.5 NC 46NS/220NS
IXFA22N65X2 IXYS IXFA22N65X2 5.9400
RFQ
ECAD 288 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA22 MOSFET (金属 o化物) TO-263HV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 22a(TC) 10V 160mohm @ 11a,10v 5.5V @ 1.5mA 38 NC @ 10 V ±30V 2310 PF @ 25 V - 390W(TC)
IXFA22N60P3 IXYS IXFA22N60P3 4.3963
RFQ
ECAD 5968 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA22 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA(IXFA) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 22a(TC) 10V 390MOHM @ 11A,10V 5V @ 1.5mA 38 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 500W(TC)
IXTQ110N055P IXYS IXTQ110N055P -
RFQ
ECAD 8977 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ110 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 55 v 110A(TC) 10V 13.5mohm @ 500mA,10v 5.5V @ 250µA 76 NC @ 10 V ±20V 2210 PF @ 25 V - 390W(TC)
MCB30P1200LB-TUB IXYS MCB30P1200LB-tub -
RFQ
ECAD 4554 0.00000000 ixys MCB30P1200LB 管子 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB30P1200 (SIC) - 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB30P1200LB-TUB Ear99 8541.29.0095 20 4(n n 通道(半桥) 1200V(1.2kV) - - - - - -
IXTH20P50P IXYS IXTH20P50P 11.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth20 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 500 v 20A(TC) 10V 450MOHM @ 10a,10v 4V @ 250µA 103 NC @ 10 V ±20V 5120 PF @ 25 V - 460W(TC)
IXSA10N60B2D1 IXYS IXSA10N60B2D1 -
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXSA10 标准 100 W TO-263AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 IXSA10N60B2D1-NDR Ear99 8541.29.0095 50 480V,10a,30ohm,15V 25 ns pt 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V,10a (430µJ)) 17 NC 30NS/180NS
IXTP140P05T IXYS IXTP140P05T 7.8100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXTP140 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 50 V 140a(TC) 10V 9MOHM @ 70A,10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±15V 13500 PF @ 25 V - 298W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库