RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTP170N075T2	4.0600	RFQ	50	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP170		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	170a（TC）	10V	5.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTP6N100D2	7.9600	RFQ	539	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp6		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	6A（TC）	-	2.2OHM @ 3a，0v	-	95 NC @ 5 V	±20V	2650 pf @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
IXFA56N30x3	8.8600	RFQ	294	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA56		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	56A（TC）	10V	27mohm @ 28a，10v	4.5V @ 1.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	320W（TC）
ixta86n20t-trl	4.0483	RFQ	5397	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta86		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta86n20t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		200 v	86A（TC）	10V	33MOHM @ 43A，10V	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXFD40N30Q-72	-	RFQ	8764	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	-	-	死	IXFD40N30Q		MOSFET （金属 o化物）			死	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		300 v	-	-	-	-		-		-	-
IXA12IF1200HB	5.3500	RFQ	450	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA12IF1200	标准		85 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，10a，100ohm，15V											350 ns	pt	1200 v	20 a		2.1V @ 15V，10a	1.1MJ（在）上，1.1MJ off）	27 NC	-
IXTH160N10T	7.0700	RFQ	2	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH160		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	160a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	6600 PF @ 25 V	-	430W（TC）
MKE38P600LB-TUB	40.8740	RFQ	4517	ixys	-	大部分	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		600 v	50A（TC）		-	-				-	-
IXFM11N80	-	RFQ	6690	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXFM11		MOSFET （金属 o化物）			to-204aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		800 v	11A（TC）	10V	950MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
GWM120-0075X1-SL	-	RFQ	2387	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	28	6 n通道（3相桥）			75V	110a		4.9Mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	115nc @ 10V		-	-
IXFH7N90Q	-	RFQ	1520	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH7		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	7A（TC）	10V	1.5OHM @ 500mA，10V	5V @ 2.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFN102N30P	29.5200	RFQ	1665年	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN102		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		300 v	88A（TC）	10V	33mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	224 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	600W（TC）
MIAA15WD600TMH	-	RFQ	4888	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MIAA15W			80 W	单相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三相逆变器														npt	600 v	23 a		2.5V @ 15V，15a				600 µA	是的	700 pf @ 25 V
IXFN55N50	-	RFQ	4192	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN55		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	470724	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	55A（TC）	10V	90MOHM @ 27.5A，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	625W（TC）
ixta7n60p	1.7474	RFQ	7531	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta7		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	7A（TC）		1.1OHM @ 3.5A，10V	5.5V @ 100µA	20 nc @ 10 V		1080 pf @ 25 V	-	150W（TC）
ixtk120n20p	11.6268	RFQ	5848	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
IXT36N30P	5.0200	RFQ	116	ixys	Polarht™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH36N50P	11.0100	RFQ	248	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH36		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
GWM120-0075P3-SMD	-	RFQ	3694	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）			75V	118a		5.5MOHM @ 60a，10V	4V @ 1mA	100NC @ 10V		-	-
IXFN36N110P	-	RFQ	6625	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN36		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1100 v	36a（TC）	10V	240mohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	350 NC @ 10 V	±30V	23000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXYN75N65C3D1	28.5640	RFQ	9297	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn75	标准		600 w		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			400V，60a，3ohm，15V											65 ns	-	650 v	150 a	360 a	2.3V @ 15V，60a	2MJ（在）上，950µJ（OFF）	122 NC	26NS/93NS
IXFN73N30Q	-	RFQ	7760	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN73		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	195 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	481W（TC）
IXFT15N80Q	-	RFQ	7103	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft15		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	15A（TC）	10V	600MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH1837	-	RFQ	5343	ixys	-	管子	过时的				IXFH18						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
IXTH76P10T	8.1900	RFQ	4	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth76		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		100 v	76A（TC）	10V	25mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	197 nc @ 10 V	±15V	13700 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXFP60N25X3	8.3000	RFQ	5915	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB（IXFP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	60a（TC）	10V	23mohm @ 30a，10v	4.5V @ 1.5mA	50 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 25 V	-	320W（TC）
ixtk240N075L2	-	RFQ	3970	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK240		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		75 v	240a（TC）	10V	7MOHM @ 120A，10V	4.5V @ 3mA	546 NC @ 10 V	±20V	19000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
GWM100-01X1-SLSAM	-	RFQ	8881	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM100		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			100V	90a		8.5MOHM @ 80A，10V	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		-	-
IXTA110N12T2	-	RFQ	1877年	ixys	TRENCHT2™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta110		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	110A（TC）	10V	14mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	6570 pf @ 25 V	-	517W（TC）
IXFH12N120P	17.4700	RFQ	3799	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh12n120p	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	12A（TC）	10V	1.35ohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	543W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²