RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MITA15WB1200TMH	-	RFQ	7962	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MITA15W			120 w	三相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														沟	1200 v	30 a		2.2V @ 15V，15a				600 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
MWI50-12T7T	-	RFQ	5823	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI50			270 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														沟	1200 v	80 a		2.15V @ 15V，50a				4 mA	是的	3.5 nf @ 25 V
MUBW75-12T8	-	RFQ	3386	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw75			355 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														沟	1200 v	110 a		2.15V @ 15V，75a				4 mA	是的	5.35 NF @ 25 V
IXA27IF1200HJ	11.4100	RFQ	2084	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS247™	IXA27IF1200			150 w	标准	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	单身的														pt	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a				100 µA	不
IXGT45N120	-	RFQ	6451	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT45	标准		300 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，45A，5OHM，15V												-	1200 v	75 a	180 a	2.5V @ 15V，45a	（14mj））	170 NC	55NS/370NS
ixtk40p50p	21.4200	RFQ	1	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk40		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		P通道		500 v	40a（TC）	10V	230mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	205 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXGP16N60C2D1	-	RFQ	6588	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP16	标准		150 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V											30 ns	pt	600 v	40 a	100 a	3V @ 15V，12A	160µJ（在）（90µJ）上，OFF）	25 NC	16ns/75ns
MIXA20WB1200TML	-	RFQ	1602	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	Mixa20			100 W	三相桥梁整流器	Minipack2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，16a				100 µA	是的
ixta6n50d2-trl	8.1100	RFQ	1740年	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta6		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta6n50d2-trldkr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	6a（TJ）	0V	500mohm @ 3a，0v	4.5V @ 250µA	96 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGN120N60A3D1	-	RFQ	8306	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN120			595 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	200 a		1.35V @ 15V，100A				650 µA	不	14.8 nf @ 25 V
IXGR40N60B	-	RFQ	1861年	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，4.7Ohm，15V												-	600 v	70 a	150 a	2.1V @ 15V，40a	2.7MJ（）	116 NC	25NS/180NS
IXGP16N60C2	-	RFQ	9305	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP16	标准		150 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V												pt	600 v	40 a	100 a	3V @ 15V，12A	160µJ（在）（90µJ）上，OFF）	25 NC	16ns/75ns
IXSQ20N60B2D1	-	RFQ	9135	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXSQ20	标准		190 w		to-3p	下载		不适用	到达不受影响	IXSQ20N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			-											30 ns	pt	600 v	35 a		2.5V @ 15V，16a	380µJ（OFF）	33 NC	30ns/116ns
IXGN80N60A2	-	RFQ	2976	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn80			625 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	600 v	160 a		1.35V @ 15V，80a				25 µA	不
IXTR48P20P	14.3800	RFQ	3979	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtr48		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	30A（TC）	10V	93MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IXXP12N65B4D1	2.8766	RFQ	4939	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXXP12	标准		160 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12a，20欧姆，15V											43 ns	-	650 v	38 a	70 a	1.95V @ 15V，12A	440µJ（在）上，220µJ（（）	34 NC	13ns/158ns
IXFN80N50Q3	54.4800	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN80		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn80n50q3	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	63A（TC）	10V	65mohm @ 40a，10v	6.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	10000 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXGK400N30A3	26.0400	RFQ	21	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK400	标准		1000 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												pt	300 v	400 a	1200 a	1.15V @ 15V，100a	-	560 NC	-
IXSH25N120AU1	-	RFQ	8727	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH25	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，25a，18ohm，15V											60 ns	-	1200 v	50 a	80 a	4V @ 15V，25a	9.6MJ（（）	120 NC	100NS/450NS
IXGX35N120BD1	-	RFQ	7116	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX35	标准		350 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35A，5OHM，15V											60 ns	-	1200 v	70 a	140 a	3.3V @ 15V，35a	3.8MJ（（）	170 NC	50NS/180NS
IXFA30N25X3	7.1400	RFQ	240	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA30		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfa30n25x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	30A（TC）	10V	60mohm @ 15a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXTP8N70X2M	3.4000	RFQ	12	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp8n70x2m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		700 v	4A（TC）	10V	550MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 10 V	-	32W（TC）
IXTH12N65X2	5.4700	RFQ	9	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	12A（TC）	10V	300mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFK30N100Q2	-	RFQ	4061	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK30		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	30A（TC）	10V	400mohm @ 15a，10v	5V @ 8mA	186 NC @ 10 V	±30V	8200 PF @ 25 V	-	735W（TC）
MWI150-06A8T	-	RFQ	2921	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	E3	MWI150			515 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	170 a		2.5V @ 15V，150a				1.5 ma	不	6.5 nf @ 25 V
IXTK170P10P	21.4200	RFQ	1	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK170		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		P通道		100 v	170a（TC）	10V	12mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	240 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXTH120N20X4	10.4200	RFQ	3042	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixth120n20x4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	120A（TC）	10V	9.5MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	417W（TC）
ixtk88n30p	11.6268	RFQ	7073	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk88		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFX48N60Q3	28.7200	RFQ	38	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX48		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx48nnn60q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	48A（TC）	10V	140MOHM @ 24A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7020 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
FMM60-02TF	18.8696	RFQ	3615	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM60		MOSFET （金属 o化物）	125W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			200V	33a		40mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		3700pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²