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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXYP10N65C3	-	RFQ	5676	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP10	标准		160 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，10A，50OHM，15V												pt	650 v	30 a	54 a	2.5V @ 15V，10a	240µJ（在）上，110µJ（110µJ）	18 NC	20NS/77NS
IXFK44N60	-	RFQ	5275	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK44		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFK44N60-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	44A（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFN340N06	36.6980	RFQ	3313	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN340		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		60 V	340a（TC）	10V	3MOHM @ 100A，10V	4V @ 8mA	600 NC @ 10 V	±20V	16800 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXFK400N15X3	42.9400	RFQ	49	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK400		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	400A（TC）	10V	3mohm @ 200a，10v	4.5V @ 8mA	365 NC @ 10 V	±20V	23700 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFJ20N85X	10.7880	RFQ	8391	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFJ20		MOSFET （金属 o化物）			ISO TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 10a，10v	5.5V @ 2.5mA	63 NC @ 10 V	±30V	1660 pf @ 25 V	-	110W（TC）
ixta15n50l2-trl	9.7021	RFQ	2009	ixys	线性l2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta15		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta15n50l2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFX360N15T2	31.8900	RFQ	33	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX360		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	360a（TC）	10V	4mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	715 NC @ 10 V	±20V	47500 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IXFR58N20	-	RFQ	3669	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR58		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 29a，10v	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT16N80P	9.1660	RFQ	6675	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT16		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	16A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	71 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFA50N20X3	4.4831	RFQ	9796	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA50		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa50n20x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	50A（TC）	10V	30mohm @ 25a，10v	4.5V @ 1mA	33 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	240W（TC）
MWI100-12T8T	-	RFQ	2950	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MWI100			480 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														沟	1200 v	145 a		2.1V @ 15V，100a				4 mA	是的	7.21 NF @ 25 V
IXFH42N20	-	RFQ	2369	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH42		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH42N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	42A（TC）	10V	60mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH96P085T	8.1900	RFQ	2	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth96		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		85 v	96A（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±15V	13100 PF @ 25 V	-	298W（TC）
ixta2r4n120p	6.9900	RFQ	280	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta2		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	2.4A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1207 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IXFR120N20	17.4437	RFQ	9374	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR120		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFR120N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	105A（TC）	10V	17mohm @ 60a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	417W（TC）
IXFH110N15T2	7.2910	RFQ	7489	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH110		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	110A（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
ixtp48n20tm	3.0954	RFQ	8960	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp48		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtp48n20tm	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	48A（TC）	10V	50MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	3090 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFJ80N25X3	13.3000	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFJ80		MOSFET （金属 o化物）			ISO TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfj80n25x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	44A（TC）	10V	18mohm @ 40a，10v	4.5V @ 1.5mA	83 NC @ 10 V	±20V	5430 pf @ 25 V	-	104W（TC）
ixft9n80q	-	RFQ	9627	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT9N80		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	9A（TC）	10V	1.1OHM @ 500mA，10V	5V @ 2.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXSX40N60CD1	-	RFQ	5470	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXSX40	标准		280 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2.7Ohm，15V											35 ns	-	600 v	75 a	150 a	2.5V @ 15V，40a	1MJ （关闭）	190 NC	50NS/70NS
IXTQ460P2	6.7900	RFQ	134	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ460		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	2890 pf @ 25 V	-	480W（TC）
IXFX200N10P	15.0393	RFQ	2712	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX200		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	200a（TC）	10V	7.5MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	830W（TC）
FII40-06D	-	RFQ	9858	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FII40			125 w	标准	ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥														npt	600 v	40 a		2.2V @ 15V，25a				600 µA	不	1.6 nf @ 25 V
IXFX140N30P	22.3300	RFQ	6749	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX140		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	140a（TC）	10V	24mohm @ 70a，10v	5V @ 8mA	185 NC @ 10 V	±20V	14800 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXGH24N60C4	-	RFQ	2385	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，24a，10ohm，15V												pt	600 v	56 a	130 a	2.7V @ 15V，24a	（400µJ）（在300µJ上）	64 NC	21NS/143NS
IXTN46N50L	59.1600	RFQ	8444	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn46		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	46A（TC）	20V	160MOHM @ 500mA，20V	6V @ 250µA	260 NC @ 15 V	±30V	7000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXTQ40N50L2	19.3700	RFQ	977	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq40		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtq40n50l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	40a（TC）	10V	170mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXTQ130N15T	-	RFQ	3103	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ130		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	130a（TC）	10V	12mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1mA	113 NC @ 10 V	±30V	9800 PF @ 25 V	-	750W（TC）
IXKC20N60C	10.7998	RFQ	3718	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC20		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	15A（TC）	10V	190mohm @ 16a，10v	3.9V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	-
ixtx120p20t	31.5900	RFQ	8366	ixys	Trechp™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	ixtx120		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	120A（TC）		30mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V		73000 PF @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²