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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXER35N120D1	-	RFQ	9188	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixer35	标准		200 w	ISOPLUS247™	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，35a，39ohm，15V											80 ns	npt	1200 v	50 a		2.8V @ 15V，35a	5.4MJ（在）上，2.6MJ off）	150 NC	-
IXTY08N100P-TRL	1.7674	RFQ	1068	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY08		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty08n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		1000 v	800mA（TC）	10V	20ohm @ 400mA，10v	4V @ 50µA	11.3 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IXFV22N60PS	-	RFQ	3214	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV22		MOSFET （金属 o化物）		加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 4mA	58 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFL100N50P	34.2800	RFQ	7335	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL100		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		500 v	70A（TC）	10V	52mohm @ 50a，10v	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±30V	20000 PF @ 25 V	-	625W（TC）
IXFH52N50P2	2000年12月12日	RFQ	7488	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH52		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	52A（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	4.5V @ 4mA	113 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXTA70N075T2-TRL	1.8057	RFQ	8012	ixys	TRENCHT2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta70		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta70n075t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		75 v	70A（TC）	10V	12mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2725 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IXTP44N30T	-	RFQ	1937年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	ixtp44		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		300 v	44A（TC）		-	-				-	-
IXTT52N30P	6.0063	RFQ	6022	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT52		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		300 v	52A（TC）	10V	66mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3490 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXTU01N80	-	RFQ	5578	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu01		MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		800 v	100mA（TC）	10V	50ohm @ 100mA，10v	4.5V @ 25µA	8 nc @ 10 V	±20V	60 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXTT50P10	10.0070	RFQ	1165	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT50		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道		100 v	50A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	4350 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXGA20N120B	-	RFQ	9429	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixga20	标准		150 w	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		-												-	1200 v	40 a		2.5V @ 15V，20A	6.5MJ（）	63 NC	28NS/400NS
IXFQ50N50P3	10.9000	RFQ	6756	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ50		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq50n50p3	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	50A（TC）	10V	120mohm @ 25a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 10 V	±30V	4335 pf @ 25 V	-	960W（TC）
IXTQ180N10T	6.7300	RFQ	4683	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ180		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		100 v	180a（TC）	10V	6.4mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTQ10P50P	7.5500	RFQ	1087	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq10		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道		500 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXSK40N60BD1	-	RFQ	7512	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXSK40	标准		280 w	TO-264AA（IXSK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		480V，40a，2.7Ohm，15V											35 ns	-	600 v	75 a	150 a	2.2V @ 15V，40a	1.8MJ（（）	190 NC	50NS/110NS
IXFN30N120P	62.2330	RFQ	2897	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN30		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道		1200 v	30A（TC）	10V	350MOHM @ 500mA，10V	6.5V @ 1mA	310 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFP24N60X	4.8011	RFQ	9264	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP24		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	24A（TC）	10V	175mohm @ 12a，10v	4.5V @ 2.5mA	47 NC @ 10 V	±30V	1910 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTM10P60	-	RFQ	5151	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtm10		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	-			-	-	-	-		-		-	-
IXTY1R6N100D2	3.0700	RFQ	4239	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70	n通道		1000 v	1.6A（TC）	-	10ohm @ 800mA，0v	-	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	耗尽模式	100W（TC）
MMIX1T132N50P3	52.7300	RFQ	3254	ixys	Polar™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，22条线索	MMIX1T132		MOSFET （金属 o化物）		Polar3™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-MMIX1T132N50P3	Ear99	8541.29.0095	20	n通道		500 v	63A（TC）	10V	43mohm @ 66a，10v	5V @ 8mA	267 NC @ 10 V	±30V	18600 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFH40N50Q	21.2700	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		500 v	40a（TC）	10V	140MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	130 NC @ 10 V	±30V	3800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH94N303	12.8000	RFQ	5	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH94		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh94n30p3	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		300 v	94A（TC）	10V	36mohm @ 47a，10v	5V @ 4mA	102 NC @ 10 V	±20V	5510 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXYH20N120C4	16.7567	RFQ	4699	ixys	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYH20N120C4	Ear99	8541.29.0095	30
IXTP80N10T	3.4400	RFQ	14	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp80		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		100 v	80A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±20V	3040 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXTQ56N15T	-	RFQ	5429	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq56		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		150 v	56A（TC）		-	-				-	-
IXFR58N20	-	RFQ	3669	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR58		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		200 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 29a，10v	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ixtp1r6n50p	-	RFQ	1984	ixys	极性	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		500 v	1.6A（TC）	10V	6.5OHM @ 500mA，10V	5.5V @ 25µA	3.9 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IXGR60N60C2G1	-	RFQ	9605	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXGR60	标准			ISOPLUS247™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-												-	600 v	75 a		-	-		-
IXFX20N80Q	-	RFQ	6195	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX20		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道		800 v	20A（TC）	10V	420MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTC250N075T	-	RFQ	8475	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC250		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		75 v	128a（TC）	10V	4.4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	160W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²