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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGF30N400	-	RFQ	7998	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXGF30	标准		160 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q5897999	Ear99	8541.29.0095	25			-												-	4000 v	30 a	360 a	5.2V @ 15V，90a	-	135 NC	-
IXFV30N60PS	-	RFQ	8631	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV30		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	82 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXTY01N100-TRL	1.3085	RFQ	6139	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY01		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty01n100-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1000 v	100mA（TC）	10V	80ohm @ 50mA，10v	4.5V @ 25µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	54 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXTY24N15T	-	RFQ	9676	ixys	沟	管子	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty24		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		150 v	24A（TC）		-	-				-	-
IXGX40N60BD1	-	RFQ	2776	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX40	标准		250 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，4.7Ohm，15V											35 ns	-	600 v	75 a	150 a	2.1V @ 15V，40a	2.7MJ（）	116 NC	25NS/180NS
IXFX26N60Q	-	RFQ	4634	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX26		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	26a（TC）	10V	250MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFH100N30x3	13.7200	RFQ	9903	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH100		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	100A（TC）	10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4.5V @ 4mA	122 NC @ 10 V	±20V	7660 pf @ 25 V	-	480W（TC）
IXTQ50N25T	6.5100	RFQ	251	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ50		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	50A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	5V @ 1mA	78 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	400W（TC）
MUBW15-06A6K	-	RFQ	5033	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw15			75 w	三相桥梁整流器	E1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														npt	600 v	19 a		2.9V @ 15V，15a				600 µA	是的	600 pf @ 25 V
IXXK200N65B4	24.4100	RFQ	8448	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXXK200	标准		1150 w		TO-264（ixxk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，100A，1OHM，15V												pt	650 v	370 a	1000 a	1.7V @ 15V，160a	4.4mj（在）上，2.2MJ off）	553 NC	62NS/245NS
IXFK48N50Q	-	RFQ	8518	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 24a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
VKI50-12P1	-	RFQ	6811	ixys	-	盒子	过时的	-	底盘安装	Eco-PAC2				208 w	标准	Eco-PAC2	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	完整的桥梁逆变器														npt	1200 v	49 a		3.7V @ 15V，50a				1.1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
IXFT50N20	-	RFQ	1504	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTA80N075L2-TRL	9.6115	RFQ	1524年	ixys	线性l2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta80n075l2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	80A（TC）	10V	24mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	357W（TC）
IXFH50N85X	18.1600	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	50A（TC）	10V	105mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±30V	4480 pf @ 25 V	-	890W（TC）
IXTA120N075T2	3.6936	RFQ	6083	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta120		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	120A（TC）	10V	7.7MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	4740 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFL60N60	-	RFQ	3931	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL60		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	60a（TC）	10V	80Mohm @ 30a，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXFA7N60P3	-	RFQ	4256	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA7N60		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfa7n60p3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	7A（TC）	10V	1.15OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	13.3 NC @ 10 V	±30V	705 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFT30N60P	-	RFQ	4972	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	82 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXGH30N60C2D1	-	RFQ	3940	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24A，5OHM，15V											25 ns	pt	600 v	70 a	150 a	2.7V @ 15V，24a	（190µJ）	70 NC	13NS/70NS
GWM100-01X1-SMD	-	RFQ	9467	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM100		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）			100V	90a		8.5MOHM @ 80A，10V	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		-	-
IXFN120N25	-	RFQ	4336	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN120		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		250 v	120a		-	-				-	-
IXFP90N20X3M	9.6000	RFQ	3663	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP90		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	36W（TC）
IXYN150N60B3	40.0090	RFQ	2280	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn150	标准		830 w		SOT-227B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			400V，75A，2OHM，15V											88 ns	-	600 v	250 a	750 a	2.2V @ 15V，150a	4.2MJ（在）上，2.6MJ off）	260 NC	27NS/167NS
IXFK32N100Q3	33.8900	RFQ	5356	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	32A（TC）	10V	320MOHM @ 16a，10v	6.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±30V	9940 pf @ 25 V	-	1250W（TC）
IXXH30N65B4	6.3200	RFQ	2271	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH30	标准		230 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，15ohm，15V												pt	650 v	65 a	146 a	2V @ 15V，30a	1.55MJ（在）上，480µJ off）	52 NC	32NS/170NS
IXKH30N60C5	-	RFQ	3240	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 pf @ 10 V	-	-
IXDH20N120	-	RFQ	1040	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXDH20	标准		200 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20A，82OHM，15V												npt	1200 v	38 a	50 a	3V @ 15V，20A	3.1mj（在）上，2.4MJ off）	70 NC	-
ixt3n60p	-	RFQ	5729	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	3A（TC）	10V	2.9ohm @ 500mA，10v	5.5V @ 50µA	9.8 NC @ 10 V	±30V	411 pf @ 25 V	-	70W（TC）
IXFH32N50	-	RFQ	8634	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响	IXFH32N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	32A（TC）	10V	150mohm @ 15a，10v	4V @ 4mA	300 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	360W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²