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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXFH16N80P	9.3000	RFQ	3692	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH16		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	16A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	71 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTP05N100	2.9700	RFQ	5554	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp05		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	750mA（TC）	10V	17ohm @ 375mA，10v	4.5V @ 250µA	7.8 NC @ 10 V	±30V	260 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IXFN260N17T	-	RFQ	9963	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN260		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		170 v	245a（TC）	10V	6.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1090W（TC）
ixtk128n15	-	RFQ	3016	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk128		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	128a（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXFX32N80P	12.3825	RFQ	5094	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX32		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	32A（TC）	10V	270mohm @ 16a，10v	5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXFV22N60PS	-	RFQ	3214	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV22		MOSFET （金属 o化物）		加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 4mA	58 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTA200N075T7	-	RFQ	2236	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta200		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7（IXTA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	200a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXFX120N303	18.3200	RFQ	9873	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX120		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx120n303	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	120A（TC）	10V	27mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	8630 PF @ 25 V	-	1130W（TC）
IXFV18N90P	-	RFQ	5467	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV18		MOSFET （金属 o化物）		加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	18A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±30V	5230 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXYN50N170CV1	57.2400	RFQ	45	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn50	标准		880 w	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			850V，50a，1ohm，15V											255 ns	-	1700 v	120 a	485 a	3.7V @ 15V，50a	8.7mj（在）上，5.6mj（5.6MJ）	260 NC	22NS/236NS
IXDH35N60BD1	-	RFQ	7010	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXDH35	标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			300V，35A，10欧姆，15V											40 ns	npt	600 v	60 a	70 a	2.7V @ 15V，35a	1.6mj（在）上，800µJ（800µJ）	120 NC	-
IXFP90N20X3M	9.6000	RFQ	3663	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP90		MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	36W（TC）
IXFA4N100P-TRL	2.6600	RFQ	9452	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA4N100		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa4n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	4A（TC）	10V	3.3ohm @ 2a，10v	6V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1456 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFH26N50	8.5883	RFQ	4838	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH26N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	26a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTP170N075T2	4.0600	RFQ	50	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP170		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	170a（TC）	10V	5.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 25 V	-	360W（TC）
ixta86n20t-trl	4.0483	RFQ	5397	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta86		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta86n20t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		200 v	86A（TC）	10V	33MOHM @ 43A，10V	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXFD40N30Q-72	-	RFQ	8764	ixys	Hiperfet™	大部分	过时的	-	-	死	IXFD40N30Q		MOSFET （金属 o化物）		死	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		300 v	-	-	-	-		-		-	-
IXA12IF1200HB	5.3500	RFQ	450	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA12IF1200	标准		85 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，10a，100ohm，15V											350 ns	pt	1200 v	20 a		2.1V @ 15V，10a	1.1MJ（在）上，1.1MJ off）	27 NC	-
IXTH160N10T	7.0700	RFQ	2	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH160		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	160a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	6600 PF @ 25 V	-	430W（TC）
MKE38P600LB-TUB	40.8740	RFQ	4517	ixys	-	大部分	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		600 v	50A（TC）		-	-				-	-
IXFM11N80	-	RFQ	6690	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXFM11		MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		800 v	11A（TC）	10V	950MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
GWM120-0075X1-SL	-	RFQ	2387	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	28	6 n通道（3相桥）			75V	110a		4.9Mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	115nc @ 10V		-	-
IXFH7N90Q	-	RFQ	1520	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH7		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	7A（TC）	10V	1.5OHM @ 500mA，10V	5V @ 2.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFN55N50	-	RFQ	4192	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN55		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	470724	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	55A（TC）	10V	90MOHM @ 27.5A，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	625W（TC）
ixtk120n20p	11.6268	RFQ	5848	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK120		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
IXT36N30P	5.0200	RFQ	116	ixys	Polarht™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp36		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
GWM120-0075P3-SMD	-	RFQ	3694	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）			75V	118a		5.5MOHM @ 60a，10V	4V @ 1mA	100NC @ 10V		-	-
IXFN36N110P	-	RFQ	6625	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN36		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1100 v	36a（TC）	10V	240mohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	350 NC @ 10 V	±30V	23000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXYN75N65C3D1	28.5640	RFQ	9297	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn75	标准		600 w	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			400V，60a，3ohm，15V											65 ns	-	650 v	150 a	360 a	2.3V @ 15V，60a	2MJ（在）上，950µJ（OFF）	122 NC	26NS/93NS
IXFN73N30Q	-	RFQ	7760	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN73		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	195 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	481W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²