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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
ixt3n50d2	3.9300	RFQ	5753	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	3A（TC）	-	1.5OHM @ 1.5A，0V	-	40 NC @ 5 V	±20V	1070 pf @ 25 V	耗尽模式	125W（TC）
IXGQ200N30PB	-	RFQ	3772	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ200	标准				to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	300 v	400 a		-	-		-
IXGN200N170	69.5000	RFQ	7812	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN200	标准		1250 w		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixgn200N170	Ear99	8541.29.0095	10			850V，100A，1OHM，15V											133 ns	-	1700 v	280 a	1050 a	2.6V @ 15V，100a	28MJ（在）（30MJ）（OFF）上）	540 NC	37NS/320NS
IXKP10N60C5M	-	RFQ	5243	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IXKP10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220ABFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	5.4A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	-
IXTQ36N30P	5.6000	RFQ	398	ixys	Polarht™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
ixta15n50l2-trl	9.7021	RFQ	2009	ixys	线性l2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta15		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta15n50l2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	300W（TC）
MDI100-12A3	-	RFQ	2243	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	MDI100			560 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	单身的														npt	1200 v	135 a		2.7V @ 15V，75a				5 ma	不	5.5 nf @ 25 V
IXFT20N80Q	-	RFQ	7557	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft20		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	20A（TC）	10V	420MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFK44N60	-	RFQ	5275	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK44		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFK44N60-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	44A（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTQ220N055T	-	RFQ	1397	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ220		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	220A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXGQ150N30TCD1	-	RFQ	3666	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ150	标准				to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	300 v	150 a		-	-		-
IXFQ24N60X	5.9610	RFQ	5349	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ24		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	24A（TC）	10V	175mohm @ 12a，10v	4.5V @ 2.5mA	47 NC @ 10 V	±30V	1910 PF @ 25 V	-	400W（TC）
ixta2n80	-	RFQ	5922	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta2		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	2A（TC）	10V	6.2OHM @ 500mA，10V	5.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IXFH42N20	-	RFQ	2369	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH42		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH42N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	42A（TC）	10V	60mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFR9N80Q	-	RFQ	2444	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXFR9N80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	-		-	-				-	-
IXTY01N80	-	RFQ	2283	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY01		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	100mA（TC）	10V	50ohm @ 100mA，10v	4.5V @ 25µA	8 nc @ 10 V	±20V	60 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXYQ30N65B3D1	-	RFQ	6676	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXYQ30	标准		270 w		to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYQ30N65B3D1	Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											38 ns	pt	650 v	70 a	160 a	2.1V @ 15V，30a	（830µJ）（在640µJ上）	45 NC	17ns/87ns
GWM120-0075X1-SL	-	RFQ	2387	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	28	6 n通道（3相桥）			75V	110a		4.9Mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	115nc @ 10V		-	-
IXKH30N60C5	-	RFQ	3240	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 pf @ 10 V	-	-
IXFH32N48	-	RFQ	7845	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		480 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 15a，10v	4V @ 4mA	300 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	360W（TC）
MMIX4B22N300	121.2200	RFQ	5092	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-smd模块，9条线索	MMIX4B22			150 w	标准	24-smpd	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q12641727D1	Ear99	8541.29.0095	20	全桥														-	3000 v	38 a		2.7V @ 15V，22a				35 µA	不	2.2 NF @ 25 V
IXFN130N30	42.4320	RFQ	6211	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN130		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFN130N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		300 v	130a（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXDH20N120	-	RFQ	1040	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXDH20	标准		200 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20A，82OHM，15V												npt	1200 v	38 a	50 a	3V @ 15V，20A	3.1mj（在）上，2.4MJ off）	70 NC	-
IXTQ54N30T	-	RFQ	3232	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq54		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	54A（TC）		-	-				-	-
IXFN73N30	17.7985	RFQ	8050	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN73		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN73N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTN32P60P	39.6000	RFQ	228	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn32		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道		600 v	32A（TC）	10V	350MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	11100 PF @ 25 V	-	890W（TC）
ixtp1n120p	3.4707	RFQ	8079	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	1A（TC）	10V	20ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	17.6 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	63W（TC）
ixtk100n25p	2000年年1月13日	RFQ	18	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk100		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXYH12N250C	-	RFQ	6601	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh12	标准		310 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，12a，10ohm，15V											16 ns	-	2500 v	28 a	80 a	4.5V @ 15V，12a	3.56mj（在）上，1.7MJ OFF）	56 NC	12NS/167NS
IXYF30N450	126.6800	RFQ	104	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	IXYF30	标准		230 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，30a，15ohm，15V												-	4500 v	23 a	190 a	3.9V @ 15V，30a	-	88 NC	38NS/168NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²