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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFA4N60P3 IXYS IXFA4N60P3 -
RFQ
 ECAD 1474 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA4N60 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 4A（TC） 10V 2.2OHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 6.9 NC @ 10 V ±30V 365 pf @ 25 V - 114W（TC）
IXFP7N80P IXYS IXFP7N80P 5.3000
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP7N80 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 7A（TC） 10V 1.44OHM @ 3.5A，10V 5V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±30V 1890 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXFH60N60X IXYS IXFH60N60X 13.5933
RFQ
 ECAD 3925 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH60 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 60a（TC） 10V 55mohm @ 30a，10v 4.5V @ 8mA 143 NC @ 10 V ±30V 5800 pf @ 25 V - 890W（TC）
IXA33IF1200HB IXYS IXA33IF1200HB 10.4200
RFQ
 ECAD 216 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXA33IF1200 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，25a，39ohm，15V 350 ns pt 1200 v 58 a 2.1V @ 15V，25a 2.5mj（在）上，3MJ（3mj） 76 NC -
IXTY44N10T IXYS IXTY44N10T 2.5800
RFQ
 ECAD 3964 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty44 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 100 v 44A（TC） 10V 30mohm @ 22a，10v 4.5V @ 25µA 33 NC @ 10 V ±30V 1262 PF @ 25 V - 130W（TC）
IXTH1N450HV IXYS IXTH1N450HV 45.6100
RFQ
 ECAD 315 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixth1 MOSFET （金属 o化物） TO-247HV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixth1n450hv Ear99 8541.29.0095 30 n通道 4500 v 1A（TC） 10V 80ohm @ 50mA，10v 6V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXTU5N50P IXYS ixtu5n50p -
RFQ
 ECAD 1638年 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixtu5 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 500 v 4.8A（TC） 10V 1.4OHM @ 2.4a，10V 5.5V @ 50µA 12.6 NC @ 10 V ±30V 620 pf @ 25 V - 89W（TC）
IXFP3N50PM IXYS ixfp3n50pm -
RFQ
 ECAD 7544 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixfp3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 2.7A（TC） 10V 2ohm @ 1.8A，10V 5.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 409 pf @ 25 V - 36W（TC）
IXTP230N075T2 IXYS IXTP230N075T2 6.3900
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP230 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 230a（TC） 10V 4.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 178 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXFK66N50Q2 IXYS IXFK66N50Q2 -
RFQ
 ECAD 4061 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK66 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 66A（TC） 10V 80Mohm @ 500mA，10V 4.5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ±30V 8400 PF @ 25 V - 735W（TC）
IXTA32P20T IXYS ixta32p20t 9.1900
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta32 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 200 v 32A（TC） 10V 130mohm @ 16a，10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±15V 14500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXGA30N60C3D4 IXYS IXGA30N60C3D4 -
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA30 标准 220 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 300V，20A，5OHM，15V 60 ns pt 600 v 60 a 150 a 3V @ 15V，20A 270µJ（在）上，90µJ（90µJ） 38 NC 16ns/42ns
IXTY1N100P IXYS IXTY1N100P 2.3449
RFQ
 ECAD 4934 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty1 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 1000 v 1A（TC） 10V 15ohm @ 500mA，10v 4.5V @ 50µA 15.5 NC @ 10 V ±20V 331 PF @ 25 V - 50W（TC）
IXGR6N170A IXYS IXGR6N170A 21.3700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR6N170 标准 50 W ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，6A，33OHM，15V - 1700 v 5.5 a 18 a 7V @ 15V，3A （590µJ）（180µj of），OFF） 18.5 NC 46NS/220NS
IXFA22N65X2 IXYS IXFA22N65X2 5.9400
RFQ
 ECAD 288 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA22 MOSFET （金属 o化物） TO-263HV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 22a（TC） 10V 160mohm @ 11a，10v 5.5V @ 1.5mA 38 NC @ 10 V ±30V 2310 PF @ 25 V - 390W（TC）
IXFA22N60P3 IXYS IXFA22N60P3 4.3963
RFQ
 ECAD 5968 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA22 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 22a（TC） 10V 390MOHM @ 11A，10V 5V @ 1.5mA 38 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXTQ110N055P IXYS IXTQ110N055P -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ110 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 55 v 110A（TC） 10V 13.5mohm @ 500mA，10v 5.5V @ 250µA 76 NC @ 10 V ±20V 2210 PF @ 25 V - 390W（TC）
MCB30P1200LB-TUB IXYS MCB30P1200LB-tub -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 ixys MCB30P1200LB 管子 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB30P1200 （SIC） - 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB30P1200LB-TUB Ear99 8541.29.0095 20 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） - - - - - -
IXTH20P50P IXYS IXTH20P50P 11.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth20 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 500 v 20A（TC） 10V 450MOHM @ 10a，10v 4V @ 250µA 103 NC @ 10 V ±20V 5120 PF @ 25 V - 460W（TC）
IXSA10N60B2D1 IXYS IXSA10N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXSA10 标准 100 W TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXSA10N60B2D1-NDR Ear99 8541.29.0095 50 480V，10a，30ohm，15V 25 ns pt 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V，10a （430µJ）） 17 NC 30NS/180NS
IXGY2N120 IXYS IXGY2N120 -
RFQ
 ECAD 3387 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixgy2 标准 25 w TO-252AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V，2a，150ohm，15V pt 1200 v 5 a 8 a 4.5V @ 15V，5A 600µJ（离） 9 NC 15NS/300NS
IXTA4N80P-TRL IXYS ixta4n80p-trl 1.7238
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta4 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta4n80p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 800 v 3.6A（TC） 10V 3.4OHM @ 1.8A，10V 5.5V @ 100µA 14.2 NC @ 10 V ±30V 750 pf @ 25 V - 100W（TC）
MII300-12A4 IXYS MII300-12A4 -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB MII300 1380 w 标准 Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 半桥 npt 1200 v 330 a 2.7V @ 15V，200a 13 ma 不 13 nf @ 25 V
VWI35-06P1 IXYS VWI35-06P1 -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VWI35 100 W 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 三相逆变器 npt 600 v 31 a 2.4V @ 15V，20A 600 µA 是的 1.1 NF @ 25 V
IXTH200N085T IXYS IXTH200N085T -
RFQ
 ECAD 1499年 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH200 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 85 v 200a（TC） 10V 5mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 152 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXFT52N50P2 IXYS IXFT52N50P2 8.8206
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 ixys HiperFet™，Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft52 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixft52n50p2 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 52A（TC） 10V 120mohm @ 26a，10v 4.5V @ 4mA 113 NC @ 10 V ±30V 6800 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXTU44N10T IXYS ixtu44n10t -
RFQ
 ECAD 9536 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） TO-251AA - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 100 v 44A（TC） - 4.5V @ 25µA - -
IXFP7N80PM IXYS IXFP7N80PM 5.4039
RFQ
 ECAD 7936 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP7N80 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 3.5A（TC） 10V 1.44OHM @ 3.5A，10V 5V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±30V 1890 pf @ 25 V - 50W（TC）
IXA12IF1200TC-TUB IXYS IXA12IF1200TC-TUB 4.8564
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXA12 标准 85 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，10a，100ohm，15V 350 ns pt 1200 v 20 a 2.1V @ 15V，10a 1.1MJ（在）上，1.1MJ off） 27 NC -
IXXK200N65B4 IXYS IXXK200N65B4 24.4100
RFQ
 ECAD 8448 0.00000000 ixys Genx4™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXXK200 标准 1150 w TO-264（ixxk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V，100A，1OHM，15V pt 650 v 370 a 1000 a 1.7V @ 15V，160a 4.4mj（在）上，2.2MJ off） 553 NC 62NS/245NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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