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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
ixta76p10t-trl	6.5100	RFQ	4	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta76		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		100 v	76A（TC）	10V	25mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	197 nc @ 10 V	±15V	13700 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXTP86N20X4	11.8200	RFQ	565	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp86		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixtp86n20x4	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	86A（TC）	10V	13mohm @ 43a，10v	4.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXYX110N120A4	39.8300	RFQ	13	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYX110	标准		1360 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyx110n120a4	Ear99	8541.29.0095	30			600V，50a，1.5Ohm，15V												pt	1200 v	375 a	900 a	1.8V @ 15V，110a	2.5MJ（在）上，8.4MJ off）	305 NC	42NS/550NS
IXYK110N120A4	39.8300	RFQ	25	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixyk110	标准		1360 w		TO-264（ixyk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyk110n120a4	Ear99	8541.29.0095	25			600V，50a，1.5Ohm，15V												pt	1200 v	375 a	900 a	1.8V @ 15V，110a	2.5MJ（在）上，8.4MJ off）	305 NC	42NS/550NS
IXFX20N120	-	RFQ	6279	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX20		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	20A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	160 NC @ 10 V	±30V	7400 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXGT32N120A3-TRL	6.3036	RFQ	6251	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT32	标准		300 w		TO-268HV（IXGT）	-				238-ixgt32n120a3-trltr	Ear99	8541.29.0095	400			-												pt	1200 v	75 a	230 a	2.35V @ 15V，32a	-	89 NC	-
IXYH40N120C4H1	8.2350	RFQ	2271	ixys	-	管子	积极的				IXYH40						-				238-ixyH40N120C4H1			30
VMO440-02FL/13	-	RFQ	3652	ixys	-	大部分	过时的				VMO440						-				238-VMO440-02FL/13	过时的		1
IXYL40N250CV1	87.6100	RFQ	1800	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixyl40	标准		577 w		isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			1250V，40a，1ohm，15V											210 ns	-	2500 v	70 a	400 a	4V @ 15V，40a	11.7MJ（在）上，6.9MJ（（）	270 NC	21NS/200NS
IXFK32N60	-	RFQ	2082	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	32A（TC）	10V	250mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	325 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTY1R4N60P	-	RFQ	2695	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	70		n通道		600 v	1.4A（TC）	10V	9ohm @ 700mA，10v	5.5V @ 25µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IXFK32N100Q3	33.8900	RFQ	5356	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	32A（TC）	10V	320MOHM @ 16a，10v	6.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±30V	9940 pf @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTH94N20X4	12.2400	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth94		MOSFET （金属 o化物）			ISO TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixth94n20x4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	94A（TC）	10V	10.6MOHM @ 47A，10V	4.5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXFT60N60X3HV	12.4900	RFQ	278	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft60		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixft60n60x3hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	60a（TC）	10V	51MOHM @ 30a，10v	5V @ 4mA	51 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	625W（TC）
IXFT78N60X3HV	-	RFQ	1787年	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft78		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixft78n60x3hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	78A（TC）	10V	38mohm @ 39a，10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXYH90N65A5	12.1600	RFQ	7	ixys	XPT™，GenX5™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH90	标准		650 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyH90N65A5	Ear99	8541.29.0095	30			400V，50A，5OHM，15V												pt	650 v	220 a	600 a	1.35V @ 15V，60a	1.3MJ（在）上，3.4MJ off）	260 NC	40NS/420NS
IXYN100N65B3D1	-	RFQ	5296	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克				600 w	标准	SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyn100n65b3d1	Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	650 v	185 a		1.85V @ 15V，70a				50 µA	不	4.74 NF @ 25 V
IXBF55N300	91.7472	RFQ	9923	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF55	标准		357 w		ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbf55n300	Ear99	8541.29.0095	25			-											1.9 µs	-	3000 v	86 a	600 a	3.2V @ 15V，55a	-	335 NC	-
IX526112	21.7390	RFQ	6326	ixys	-	管子	积极的				IX5261						-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ix526112	Ear99	8541.29.0095	20
LGB8204ATH	-	RFQ	4635	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		115 w		D2PAK	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-LGB8204ATHTR	Ear99	8541.29.0095	800			-												-	430 v	18 a	50 a	2V @ 4.5V，10a	-		-
IXYA30N120A3HV	20.5310	RFQ	4991	ixys	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixya30n120a3hv	Ear99	8541.29.0095	50
IXYP20N120C4	14.7415	RFQ	6709	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		375 w		TO-220（（IXYP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N120C4	Ear99	8541.29.0095	50			960V，20a，10ohm，15V											53 ns	-	1200 v	68 a	120 a	2.5V @ 15V，20A	4.4MJ（在）上，1MJ（1MJ）	44 NC	14NS/160NS
IXGA20N250HV-TRL	47.5803	RFQ	7498	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga20	标准		150 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga20n250hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			-												-	2500 v	30 a	105 a	3.1V @ 15V，20A	-	53 NC	-
IXFH34N65x3	7.5800	RFQ	322	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH34		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfh34n65x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	34A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	5.2V @ 2.5mA	29 NC @ 10 V	±20V	2025 PF @ 25 V	-	446W（TC）
IXFH46N65X3	9.6600	RFQ	498	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH46		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh46n65x3	Ear99	8541.29.0095	300		n通道		650 v	46A（TC）	10V	73MOHM @ 23A，10V	5.2V @ 2.5mA	40 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFH54N65x3	12.6200	RFQ	6490	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH54		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh54N65x3	Ear99	8541.29.0095	300		n通道		650 v	54A（TC）	10V	59mohm @ 27a，10v	5.2V @ 4mA	49 NC @ 10 V	±20V	3360 pf @ 25 V	-	625W（TC）
IXYH85N120C4	13.6500	RFQ	85	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh85	标准		1150 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-IXYH85N120C4	Ear99	8541.29.0095	30			600V，50A，5OHM，15V											60 ns	-	1200 v	240 a	420 a	2.5V @ 15V，85a	4.3mj（在）上，2MJ（2MJ）	192 NC	35NS/280NS
IXYX110N120C4	21.6900	RFQ	30	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYX110	标准		1360 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyx110n120c4	Ear99	8541.29.0095	30			600V，50a，2ohm，15V											48 ns	-	1200 v	310 a	740 a	2.4V @ 15V，110a	3.6mj（在）上，1.9mj off）	330 NC	40NS/320NS
IXYT55N120A4HV	13.0000	RFQ	20	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixyt55	标准		650 w		TO-268HV ixyt）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-IXYT55N120A4HV	Ear99	8541.29.0095	30			600V，40a，5ohm，15V											35 ns	pt	1200 v	175 a	350 a	1.8V @ 15V，55a	2.3MJ（在）上，5.3mj off）	110 NC	23NS/300NS
IXYH85N120A4	20.3500	RFQ	62	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh85	标准		1150 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyh85n120a4	Ear99	8541.29.0095	30			600V，60a，5ohm，15V											40 ns	pt	1200 v	300 a	520 a	1.8V @ 15V，85a	4.9MJ（在）上，8.3MJ off）	200 NC	40NS/400NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²