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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试
IXGK320N60A3 IXYS IXGK320N60A3 -
RFQ
 ECAD 9756 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXGK320 标准 1000 w TO-264（ixgk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - pt 600 v 320 a 700 a 1.25V @ 15V，100a - 560 NC -
IXZ210N50L IXYS IXZ210N50L -
RFQ
 ECAD 3415 0.00000000 ixys - 管子 过时的 500 v 6-SMD模块 175MHz MOSFET DE275 - （1 （无限） 到达不受影响 Q2463978 Ear99 8541.29.0075 30 n通道 10a 200W 16dB - 50 V
IXFR12N100Q IXYS IXFR12N100Q -
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR12 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 10A（TC） 10V 1.1OHM @ 6A，10V 5.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 25 V - 250W（TC）
IXYH16N170C IXYS IXYH16N170C 10.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh16 标准 310 w TO-247（IXYH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，16a，10ohm，15V 19 ns - 1700 v 40 a 100 a 3.8V @ 15V，16a 2.1mj（在）上，1.5mj off） 56 NC 11NS/140NS
IXTT75N20L2 IXYS IXTT75N20L2 -
RFQ
 ECAD 1187 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 - - - IXTT75 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - -
IXFT74N20 IXYS IXFT74N20 -
RFQ
 ECAD 9781 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft74 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 74A（TC） 10V 30mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 280 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTA62N15P-TRL IXYS ixta62n15p-trl 3.2181
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta62 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta62n15p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 62A（TC） 10V 40mohm @ 31a，10v 5.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2250 pf @ 25 V - 350W（TC）
IXTK62N25 IXYS ixtk62n25 -
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk62 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 62A（TC） 10V 35mohm @ 31a，10v 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 390W（TC）
IXTA16N50P IXYS ixta16n50p 4.1858
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta16 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 16A（TC） 10V 400mohm @ 8a，10v 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXST45N120B IXYS IXST45N120B -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXST45 标准 300 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，45A，5OHM，15V pt 1200 v 75 a 180 a 3V @ 15V，45a （13mj）） 120 NC 36NS/360NS
IXFY4N60P3 IXYS IXFY4N60P3 -
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixfy4 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfy4n60p3 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 600 v 4A（TC） 10V 2.2OHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 6.9 NC @ 10 V ±30V 365 pf @ 25 V - 114W（TC）
IXFZ140N25T IXYS IXFZ140N25T 34.3115
RFQ
 ECAD 3023 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 IXFZ140 MOSFET （金属 o化物） DE475 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 250 v 100A（TC） 10V 17mohm @ 60a，10v 5V @ 4mA 255 NC @ 10 V ±20V 19000 PF @ 25 V - 445W（TC）
IXTH14N80 IXYS IXTH14N80 -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth14 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 14A（TC） 10V 700mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFQ22N60P3 IXYS IXFQ22N60P3 9.8600
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ22 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfq22n60p3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 22a（TC） 10V 360mohm @ 11a，10v 5V @ 1.5mA 38 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 500W（TC）
GWM220-004P3-SL IXYS GWM220-004P3-SL -
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM220 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 6 n通道（3相桥） 40V 180a - 4V @ 1mA 94NC @ 10V - -
IXYH8N250C IXYS IXYH8N250C -
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH8N250 标准 280 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，8a，15ohm，15V 5 ns - 2500 v 29 a 70 a 4V @ 15V，8a 2.6mj（在）上，1.07mj off） 45 NC 11NS/180NS
IXYK110N120C4 IXYS IXYK110N120C4 21.1100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixyk110 标准 1360 w 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-IXYK110N120C4 Ear99 8541.29.0095 25 600V，50a，2ohm，15V 48 ns - 1200 v 310 a 740 a 2.4V @ 15V，110a 3.6mj（在）上，1.9mj off） 330 NC 40NS/320NS
IXYX110N120B4 IXYS IXYX110N120B4 21.2800
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXYX110 标准 1360 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixyx110n120b4 Ear99 8541.29.0095 30 600V，50a，2ohm，15V 50 ns - 1200 v 340 a 800 a 2.1V @ 15V，110a 3.6mj（在）上，3.85MJ off） 340 NC 45NS/390NS
IXBT16N170AHV IXYS IXBT16N170AHV 16.6173
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT16 标准 150 w TO-268HV（IXBT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1360v，10a，10ohm，15V 25 ns - 1700 v 16 a 40 a 6V @ 15V，10a 2.5MJ（） 65 NC 15NS/250NS
IXFH30N40Q IXYS IXFH30N40Q -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH30 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 400 v 30A（TC） 10V 160mohm @ 15a，10v 4V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3300 PF @ 25 V - 300W（TC）
VMO550-01F IXYS VMO550-01F -
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB VMO550 MOSFET （金属 o化物） Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 n通道 100 v 590a（TC） 10V 2.1MOHM @ 500mA，10V 6V @ 110mA 2000 NC @ 10 V ±20V 50000 PF @ 25 V - 2200W（TC）
IXXQ30N60B3M IXYS IXXQ30N60B3M 5.6000
RFQ
 ECAD 7705 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXXQ30 标准 90 W to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixxq30n60b3m Ear99 8541.29.0095 30 400V，24a，10ohm，15V 36 NS - 600 v 33 a 140 a 1.85V @ 15V，24a （550µJ）（在800µJ上） 39 NC 23ns/150ns
IXBH20N360HV IXYS IXBH20N360HV 131.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXBH20 标准 430 w TO-247HV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1500V，20a，10ohm，15V 1.7 µs - 3600 v 70 a 220 a 3.4V @ 15V，20A 15.5MJ（在）上，4.3MJ OFF） 110 NC 18NS/238NS
IXYH40N65B3D1 IXYS IXYH40N65B3D1 6.4158
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH40 标准 300 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 37 ns - 650 v 86 a 195 a 2V @ 15V，40a （800µJ）（在1.25MJ）上 68 NC 20N/140NS
IXGP20N120A3 IXYS IXGP20N120A3 6.9200
RFQ
 ECAD 4644 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP20 标准 180 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V，20a，10ohm，15V pt 1200 v 40 a 120 a 2.5V @ 15V，20A 2.85mj（在）上，6.47mj off） 50 NC 16NS/290NS
IXYH100N65A3 IXYS IXYH100N65A3 18.0973
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH100 标准 470 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，2ohm，15V 64 ns - 650 v 240 a 480 a 1.8V @ 15V，70a 3.15MJ（在）上，2.2MJ off） 178 NC 24NS/174NS
IXTT68P20T IXYS IXTT68P20T 20.6800
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt68 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 200 v 68A（TC） 10V 55mohm @ 34a，10v 4V @ 250µA 380 NC @ 10 V ±15V 33400 PF @ 25 V - 568W（TC）
IXYA20N65B3 IXYS IXYA20N65B3 -
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixya20 标准 230 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，20A，20欧姆，15V 25 ns - 650 v 58 a 108 a 2.1V @ 15V，20A （500µJ）（700µJ）（OFF） 29 NC 12NS/103NS
MMIX1F160N30T IXYS MMIX1F160N30T 45.7675
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 ixys Gigamos™，HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 24-PowersMD，21个线索 MMIX1F160 MOSFET （金属 o化物） 24-smpd 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 300 v 102A（TC） 10V 20mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 335 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 25 V - 570W（TC）
IXFA36N30P3 IXYS IXFA36N30P3 5.3900
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA36 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfa36n30p3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 36a（TC） 10V 110MOHM @ 18A，10V 4.5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 2040 pf @ 25 V - 347W（TC）
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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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