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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
GWM220-004P3-SL SAM	-	RFQ	1694年	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM220		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			40V	180a		-	4V @ 1mA	94NC @ 10V		-	-
VID25-06P1	-	RFQ	9390	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vid			82 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	600 v	24.5 a		2.9V @ 15V，25a				600 µA	是的	8 nf @ 25 V
IXTQ62N15P	-	RFQ	9785	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq62		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	62A（TC）	10V	40mohm @ 31a，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IXGH28N60B3D1	8.5300	RFQ	123	ixys	Polarhv™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH28	标准		190 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V											25 ns	pt	600 v	66 a	150 a	1.8V @ 15V，24a	（340µJ）（在650µJ上）	62 NC	19NS/125NS
IXFH7N80	-	RFQ	1875年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH7		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFH7N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4.5V @ 2.5mA	130 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXTQ26N60P	-	RFQ	6702	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq26		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXSR40N60CD1	-	RFQ	1255	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSR40	标准		210 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2.7Ohm，15V											35 ns	pt	600 v	62 a	150 a	2.5V @ 15V，40a	1MJ （关闭）	190 NC	50NS/70NS
IXFH80N303	-	RFQ	7688	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的				IXFH80						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
IXGH2N250	16.8000	RFQ	3722	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgh2	标准		32 W		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	2500 v	5.5 a	13.5 a	3.1V @ 15V，2a	-	10.5 NC	-
IXFX34N80	20.9458	RFQ	1236	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX34		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFX34N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	34A（TC）	10V	240mohm @ 17a，10v	5V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXGN200N60	-	RFQ	6399	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN200			600 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	单身的														-	600 v	200 a		2.5V @ 15V，100a				200 µA	不	9 nf @ 25 V
IXGR40N60C	-	RFQ	3568	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，4.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	150 a	2.7V @ 15V，40a	850µJ（离）	116 NC	25n/100n
ixtk8n150l	42.6100	RFQ	3716	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk8		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtk8n150l	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1500 v	8A（TC）	20V	3.6OHM @ 4A，20V	8V @ 250µA	250 NC @ 15 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXYQ40N65C3D1	-	RFQ	2011	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXYQ40	标准		300 w		to-3p	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											40 ns	-	650 v	80 a	180 a	2.35V @ 15V，40a	830µJ（在）上，650µJ（650µJ）	66 NC	23ns/110ns
IXTH50P085	-	RFQ	5133	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		不适用	到达不受影响	IXTH50P085-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		P通道		85 v	50A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXKR47N60C5	25.5900	RFQ	26	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKR47		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	47A（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.5V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	-
IXFB210N303	32.0700	RFQ	6367	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB210		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfb210n303	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	210a（TC）	10V	14.5MOHM @ 105A，10V	5V @ 8mA	268 NC @ 10 V	±20V	16200 PF @ 25 V	-	1890W（TC）
IXFC24N50	-	RFQ	2811	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC24N50		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	21a（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4V @ 4mA	135 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXGK320N60A3	-	RFQ	9756	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK320	标准		1000 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												pt	600 v	320 a	700 a	1.25V @ 15V，100A	-	560 NC	-
IXFN50N120SIC	82.8500	RFQ	20	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN50		sicfet （碳化硅）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	47A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.2V @ 2mA	100 nc @ 20 V	+20V，-5V	1900 pf @ 1000 V	-	-
CSM350KN	-	RFQ	6179	ixys	-	大部分	过时的				CSM350						-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-CSM350KN	Ear99	8541.29.0095	25
IXTH75N10L2	17.0700	RFQ	2977	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth75		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixth75n10l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	75A（TC）	10V	21mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFH14N100	-	RFQ	3710	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	14A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTY15P15T	4.1400	RFQ	1	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty15		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		P通道		150 v	15A（TC）	10V	240MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±15V	3650 pf @ 25 V	-	150W（TC）
ixft1874 tr	-	RFQ	9385	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				IXFT1874						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000					-
IXFN44N100Q3	60.1900	RFQ	8663	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1000 v	38A（TC）	10V	220MOHM @ 22a，10v	6.5V @ 8mA	264 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFB44N100Q3	46.4400	RFQ	7066	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB44		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	44A（TC）	10V	220MOHM @ 22a，10v	6.5V @ 8mA	264 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	1560W（TC）
MMIX1F180N25T	49.0600	RFQ	20	ixys	Gigamos™，HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F180		MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-MMIX1F180N25T	Ear99	8541.29.0095	20		n通道		250 v	132a（TC）	10V	13mohm @ 90a，10v	5V @ 8mA	364 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	570W（TC）
ixtq22n50p	6.3000	RFQ	209	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq22		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 PF @ 25 V	-	350W（TC）
ixta6n50d2-trl	8.1100	RFQ	1740年	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta6		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta6n50d2-trldkr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	6a（TJ）	0V	500mohm @ 3a，0v	4.5V @ 250µA	96 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²