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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXFH270N06T3	7.5100	RFQ	88	ixys	Hiperfet™，Trencht3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH270		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		60 V	270a（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTP05N100M	4.1400	RFQ	500	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp05		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	700mA（TC）	10V	17ohm @ 375mA，10v	4.5V @ 25µA	7.8 NC @ 10 V	±30V	260 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXFA3N120-Trl	6.4701	RFQ	1236	ixys	Hiperfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixfa3		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	200W（TC）
ixtp34n65x2	6.8500	RFQ	342	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp34		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	34A（TC）	10V	96mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXFR180N15P	16.7170	RFQ	7166	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR180		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	100A（TC）	10V	13mohm @ 90a，10v	5V @ 4mA	240 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFM10N90	-	RFQ	1431	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXFM10		MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		900 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP18N65X3	5.0984	RFQ	7812	ixys	-	管子	积极的				IXFP18					-				238-ixfp18n65x3			50
IXTH2N150L	14.5800	RFQ	286	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth2		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	2A（TC）	20V	15ohm @ 1A，20V	8.5V @ 250µA	72 NC @ 20 V	±30V	1470 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IXTN170P10P	38.8500	RFQ	188	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN170		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7850284	Ear99	8541.29.0095	10		P通道		100 v	170a（TC）	10V	12mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	240 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFK220N17T2	14.5100	RFQ	464	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK220		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		170 v	220A（TC）	10V	6.3mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	500 NC @ 10 V	±20V	31000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFQ26N50Q	-	RFQ	3930	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ26		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	26a（TC）		-	-				-	-
ixta10p50p	6.9500	RFQ	4023	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta10		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		500 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	300W（TC）
GMM3X60-015x2-SMD	-	RFQ	9428	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	ISOPLUS-DIL™	GMM3x60		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）			150V	50a		24mohm @ 38a，10v	4.5V @ 1mA	97NC @ 10V		5800pf @ 25V	-
GWM100-01X1-SMDSAM	-	RFQ	4303	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM100		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			100V	90a		8.5MOHM @ 80A，10V	4.5V @ 250µA	90NC @ 10V		-	-
IXFH10N90	-	RFQ	4630	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH10		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响	IXFH10N90-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGH72N60C3	-	RFQ	6799	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH72	标准		540 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，2ohm，15V											pt	600 v	75 a	360 a	2.5V @ 15V，50a	1.03mj（在）上，480µJ off）	174 NC	27NS/77NS
IXFH24N80P	11.5200	RFQ	3267	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH24		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	24A（TC）	10V	400mohm @ 12a，10v	5V @ 4mA	105 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	650W（TC）
IXFY8N65X2	-	RFQ	5334	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXFY8N65		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	-1402-ixfy8n65x2	Ear99	8541.29.0095	70		n通道		650 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	790 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFP102N15T	5.3840	RFQ	7408	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP102		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	102A（TC）	10V	18mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	5220 PF @ 25 V	-	455W（TC）
IXFP14N85XM	6.4400	RFQ	40	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IXFP14		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		850 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1043 PF @ 25 V	-	38W（TC）
IXFH26N50Q	-	RFQ	7832	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	26a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH12N90	-	RFQ	5767	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	12A（TC）	10V	900mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTA130N065T2	-	RFQ	8533	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta130		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		65 v	130a（TC）	10V	6.6mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXFP72N30x3M	10.2500	RFQ	147	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP72		MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	36W（TC）
IXFA56N30x3	8.8600	RFQ	294	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA56		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	56A（TC）	10V	27mohm @ 28a，10v	4.5V @ 1.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXFN100N20	-	RFQ	4250	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	100A（TC）	10V	23mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFJ20N85X	10.7880	RFQ	8391	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFJ20		MOSFET （金属 o化物）		ISO TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 10a，10v	5.5V @ 2.5mA	63 NC @ 10 V	±30V	1660 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IXFC96N15P	-	RFQ	5599	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC96N15		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 48a，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	120W（TC）
mke38p600lb-trr	34.7130	RFQ	7290	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38P600		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		n通道		600 v	50A（TC）		-	-				-	-
IXTH11P50	11.2600	RFQ	5288	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth11		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXTH11P50-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	11A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²