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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFH26N60Q	-	RFQ	2231	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		不适用		IXFH26N60Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	250MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
ixta1n100p	2.9100	RFQ	42	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta1n100p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IXFN210N30x3	48.2200	RFQ	369	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN210		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		300 v	210a（TC）	10V	4.6mohm @ 105a，10v	4.5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	24200 PF @ 25 V	-	695W（TC）
IXTQ130N15T	-	RFQ	3103	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ130		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	130a（TC）	10V	12mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1mA	113 NC @ 10 V	±30V	9800 PF @ 25 V	-	750W（TC）
IXGN200N60A	-	RFQ	6406	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN200			600 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	单身的														-	600 v	200 a		2.7V @ 15V，100a				200 µA	不	9 nf @ 25 V
IXFR12N100	-	RFQ	2831	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXFR12		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）		1.1OHM @ 6A，10V	5.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V		2900 PF @ 25 V	-	-
IXFN100N65X2	35.4600	RFQ	17	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		650 v	78A（TC）	10V	30mohm @ 50a，10v	5V @ 4mA	183 NC @ 10 V	±30V	10800 PF @ 25 V	-	595W（TC）
IXFM1633	-	RFQ	9751	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	IXFM16		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-			-	-	-	-		-		-	-
IXTY08N50D2-TRL	2.4900	RFQ	2	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY08		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixty08n50d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		500 v	800mA（TJ）	0V	4.6ohm @ 400mA，0v	4.5V @ 25µA	12.7 NC @ 5 V	±20V	312 PF @ 25 V	-	60W（TC）
ixta76p10t-trl	6.5100	RFQ	4	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta76		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		100 v	76A（TC）	10V	25mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	197 nc @ 10 V	±15V	13700 PF @ 25 V	-	298W（TC）
ixta36n30p-trl	3.2181	RFQ	7350	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta36		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta36n30p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFA130N15X3TRL	6.4215	RFQ	4259	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA130		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa130n15x3trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	130a（TC）	10V	9mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1.5mA	80 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 25 V	-	390W（TC）
ITF38IF1200HJ	13.4053	RFQ	6087	ixys	-	管子	积极的				ITF38						-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ITF38IF1200HJ	Ear99	8541.29.0095	30
MTC120WX55GD-SMD	28.2508	RFQ	2701	ixys	-	管子	积极的	-	-	-	MTC120				-	-	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTC120WX55GD-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	-														-				-
IXYH120N65C3	20.6163	RFQ	8195	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH120	标准		1360 w		TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyh120n65c3	Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，2ohm，15V											29 ns	pt	650 v	260 a	620 a	2.8V @ 15V，100a	1.25mj（在）上，500µJ off）	265 NC	28NS/127NS
IXA70R1200NA	31.7800	RFQ	3316	ixys	XPT™	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXA70R1200	标准		350 w		SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-IXA70R1200NA	Ear99	8541.29.0095	10			600V，50a，15ohm，15V												pt	1200 v	100 a		2.1V @ 15V，50a	4.5MJ（在）上，5.5MJ（OFF）	190 NC	70NS/250NS
IXTQ69N30PM	8.1403	RFQ	2155	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	IXTQ69		MOSFET （金属 o化物）			TO-3PFP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtq69n30pm	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	25A（TC）	10V	49mohm @ 34.5a，10v	5V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	4960 pf @ 25 V	-	90W（TC）
IXFN90N170SK	331.6500	RFQ	6	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN90		sicfet （碳化硅）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfn90n170sk	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1700 v	90A（TC）	20V	35MOHM @ 100A，20V	4V @ 36mA	376 NC @ 20 V	+20V，-5V	7340 pf @ 1000 V	-	-
MIXG180W1200PTEH	193.3742	RFQ	3153	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixg180				-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG180W1200PTEH			24	-														-				-
MIXG180W1200PT-PC	197.8208	RFQ	9318	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixg180				-	-	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	-														-				-
MIXG240W1200TEH	228.5000	RFQ	3913	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	Mixg240			1250 w	标准	E3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG240W1200TEH	Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														-	1200 v	370 a		2V @ 15V，200a				200 µA	是的	10.6 NF @ 100 V
ixty18p10t-trl	2.0170	RFQ	2844	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty18		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty18p10t-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		100 v	18A（TC）	10V	120mohm @ 9a，10v	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±15V	2100 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IXYQ40N65B3D1	8.3836	RFQ	1449	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXYQ40	标准		300 w		to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYQ40N65B3D1	Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											37 ns	pt	650 v	86 a	195 a	2V @ 15V，40a	800µJ（在）上，700µJ（OFF）	68 NC	20N/140NS
ixya20n65c3-trl	2.5812	RFQ	8133	ixys	GenX3™，XPT™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixya20	标准		230 w		TO-263AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixya20n65c3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			400V，20A，20欧姆，15V											34 ns	pt	650 v	50 a	105 a	2.5V @ 15V，20A	（430µJ）（在350µJ上）	30 NC	19NS/80NS
IXGT6N170-TRL	4.7220	RFQ	6449	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT6N170	标准		75 w		TO-268	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixgt6n170-trltr	Ear99	8541.29.0095	400			1360v，6a，33ohm，15V											36 NS	-	1700 v	12 a	24 a	4V @ 15V，6A	-	20 nc	40NS/250NS
MIXA80W1200PTEH	128.1829	RFQ	4950	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixa80				-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXA80W1200PTEH			24	-														-				-
IXFA180N10T2-TRL	4.3617	RFQ	6768	ixys	HiperFet™，Trencht2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA180		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa180n10t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	180a（TC）	10V	6mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTA220N04T2-TRL	2.6471	RFQ	9630	ixys	TRENCHT2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta220		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta220n04t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	220A（TC）	10V	3.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	6820 PF @ 25 V	-	360W（TC）
ixta10p15t-trl	3.2181	RFQ	2717	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta10		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta10p15t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		150 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±15V	2210 PF @ 25 V	-	83w（ta）
MIXA61WB1200TEH	112.4940	RFQ	9243	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixa61				-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXA61WB1200TEH			5	-														-				-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²