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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFN27N80Q	-	RFQ	6167	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN27		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXTH5N100A	-	RFQ	4446	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth5		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2ohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFP76N15T2	5.1000	RFQ	48	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP76		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	76A（TC）	10V	20mohm @ 38a，10v	4.5V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IXTP08N100P	2.9100	RFQ	287	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp08		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	800mA（TC）	10V	20ohm @ 500mA，10v	4V @ 50µA	11.3 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IXFC74N20P	-	RFQ	1123	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC74N20		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	35A（TC）	10V	36mohm @ 37a，10v	5V @ 4mA	107 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	120W（TC）
IXFK100N25	-	RFQ	5892	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK100		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
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IXTV120N15T	-	RFQ	4128	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv120		MOSFET （金属 o化物）			加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	120A（TC）		-	-				-	-
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ixta05n100-trl	3.1142	RFQ	5744	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta05		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta05n100-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	750mA（TC）	10V	17ohm @ 375mA，10v	4.5V @ 250µA	7.8 NC @ 10 V	±30V	260 pf @ 25 V	-	40W（TC）
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IXFK150N15P	-	RFQ	4675	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK150		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	150a（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	714W（TC）
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ixtp12n70x2	4.3970	RFQ	3176	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp12		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtp12n70x2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		700 v	12A（TC）	10V	300mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	960 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXTP180N10T	6.6200	RFQ	2	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP180		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	180a（TC）	10V	6.4mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	480W（TC）
ixta2r4n120p	6.9900	RFQ	280	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta2		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	2.4A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1207 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IXFH230N10T	9.8400	RFQ	110	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH230		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	230a（TC）	10V	4.7MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 1mA	250 NC @ 10 V	±20V	15300 PF @ 25 V	-	650W（TC）
IXFK150N10	-	RFQ	4455	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK150		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	150a（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTP5N60P	-	RFQ	9853	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp5		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 2.5A，10V	5.5V @ 50µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
ixtp12n65x2m	2.9501	RFQ	9231	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp12		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	12A（TC）	10V	300mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17.7 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	40W（TC）
IXTY50N085T	-	RFQ	7183	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		85 v	50A（TC）	10V	23mohm @ 25a，10v	4V @ 25µA	34 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IXFT10N100	-	RFQ	7596	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft10		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.2OHM @ 5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
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IXTQ460P2	6.7900	RFQ	134	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ460		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	2890 pf @ 25 V	-	480W（TC）
IXTQ42N25P	5.6000	RFQ	26	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq42		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	42A（TC）	10V	84mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFR50N50	-	RFQ	2416	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR50		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	43A（TC）	10V	100mohm @ 25a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	400W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²