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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFM15N60	-	RFQ	4032	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXFM15		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		600 v	15A（TC）	10V	500MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ixta36p15p	6.8800	RFQ	2	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta36		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
MWI451-17E9	-	RFQ	1021	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	-	MWI451				-	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-														-				-					不
IXFT140N10P	11.2400	RFQ	34	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT140		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	140a（TC）	10V	11mohm @ 70a，10v	5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	600W（TC）
VII25-06P1	-	RFQ	2705	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vii			82 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥														npt	600 v	24.5 a		2.9V @ 15V，25a				600 µA	是的	8 nf @ 25 V
IXFM35N30	-	RFQ	6466	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXFM35		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		300 v	35A（TC）	10V	100mohm @ 17.5A，10V	4V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH130N15X4	13.0200	RFQ	25	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH130		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	130a（TC）	10V	8.5MOHM @ 70A，10V	4.5V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	4770 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXFH12N120P	17.4700	RFQ	3799	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh12n120p	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	12A（TC）	10V	1.35ohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	543W（TC）
IXGP15N120B	-	RFQ	2903	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP15	标准		150 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，15a，10ohm，15V												pt	1200 v	30 a	60 a	3.2V @ 15V，15a	1.75MJ（）	69 NC	25NS/180NS
IXTA220N075T	-	RFQ	7694	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta220		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	220A（TC）	10V	4.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFN27N80	30.3770	RFQ	5080	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN27		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		800 v	27a（TC）	10V，15V	300MOHM @ 13.5A，10V	4.5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	9740 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXKF40N60SCD1	-	RFQ	5498	ixys	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXKF40		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	41A（TC）	10V	70mohm @ 25a，10v	3.9V @ 3mA	250 NC @ 10 V	±20V		-	-
IXBN75N170A	-	RFQ	1233	ixys	Bimosfet™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXBN75			625 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1700 v	75 a		6V @ 15V，42a				50 µA	不	7.4 nf @ 25 V
IXFN44N80P	34.5800	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		800 v	39A（TC）	10V	190mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	694W（TC）
IXGH35N120B	-	RFQ	4160	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH35	标准		300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35A，5OHM，15V												pt	1200 v	70 a	140 a	3.3V @ 15V，35a	3.8MJ（（）	170 NC	50NS/180NS
ixtp32n65xm	5.9612	RFQ	8455	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp32		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	14A（TC）	10V	135mohm @ 16a，10v	5.5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	2206 PF @ 25 V	-	78W（TC）
ixta1r6n100d2	3.2300	RFQ	221	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	1.6A（TC）	10V	10ohm @ 800mA，0v	-	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	耗尽模式	100W（TC）
IXFN40N90P	42.8000	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN40		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		900 v	33A（TC）	10V	210mohm @ 20a，10v	6.5V @ 1mA	230 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	695W（TC）
IXFT17N80Q	-	RFQ	3709	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft17		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	17a（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
ixtp300n04t2	6.3300	RFQ	126	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp300		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp300n04t2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	300A（TC）	10V	2.5MOHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFN150N65X2	48.0800	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN150		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		650 v	145a（TC）	10V	17mohm @ 75a，10v	5V @ 8mA	355 NC @ 10 V	±30V	21000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXTV230N085TS	-	RFQ	2204	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXTV230		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	230a（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	187 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
GMM3X160-0055X2-SMD	-	RFQ	8483	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-smd，海鸥翼	GMM3x160		MOSFET （金属 o化物）	-		24-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			55V	150a		-	4V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
IXFK52N60Q2	-	RFQ	5358	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK52		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	52A（TC）	10V	115mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	198 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IXTA24P085T	2.8200	RFQ	5	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta24		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		85 v	24A（TC）	10V	65mohm @ 12a，10v	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±15V	2090 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IXFH40N30Q	-	RFQ	1537年	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH40N30Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	40a（TC）	10V	80Mohm @ 500mA，10V	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXYK110N120B4	21.1100	RFQ	2790	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixyk110	标准		1360 w		TO-264（ixyk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyk110n120b4	Ear99	8541.29.0095	25			600V，50a，2ohm，15V											50 ns	-	1200 v	340 a	800 a	2.1V @ 15V，110a	3.6mj（在）上，3.85MJ off）	340 NC	45NS/390NS
IXBX64N250	154.4513	RFQ	5395	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX64	标准		735 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，128a，1ohm，15V											160 ns	-	2500 v	156 a	600 a	3V @ 15V，64a	-	400 NC	49NS/232NS
IXYP30N65B3D1	-	RFQ	5180	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	IXYP30	-				TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-IXYP30N65B3D1			50			-												-				-	-		-
IXFP130N15X3	9.6000	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP130		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp130n15x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	130a（TC）	10V	9mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1.5mA	80 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 25 V	-	390W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²