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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
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IXFH16N80P	9.3000	RFQ	3692	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH16	MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	800 v	16A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	71 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	460W（TC）
ixta130n10t	4.7600	RFQ	80	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta130	MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q3262430	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
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IXFE180N10	-	RFQ	4065	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFE180	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	100 v	176a（TC）	10V	8mohm @ 90a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFT16N80P	9.1660	RFQ	6675	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT16	MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	800 v	16A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	71 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH67N10	12.7427	RFQ	3200	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH67	MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	100 v	67A（TC）	10V	25mohm @ 33.5a，10V	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
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ixta1n100p	2.9100	RFQ	42	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1	MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta1n100p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
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ixtp1r4n60p	-	RFQ	7508	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	1.4A（TC）	10V	9ohm @ 700mA，10v	5.5V @ 25µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 25 V	-	50W（TC）
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IXFN32N60	-	RFQ	1695年	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN32	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道	600 v	32A（TC）	10V	250mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 8mA	325 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520AW（TC）
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IXFH60N20	-	RFQ	6245	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH60	MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	200 v	60a（TC）	10V	33mohm @ 30a，10v	4V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTP5N60P	-	RFQ	9853	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp5	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 2.5A，10V	5.5V @ 50µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
ixta2r4n120p	6.9900	RFQ	280	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta2	MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	2.4A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1207 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IXFR50N50	-	RFQ	2416	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR50	MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	43A（TC）	10V	100mohm @ 25a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTQ460P2	6.7900	RFQ	134	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ460	MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	24A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	2890 pf @ 25 V	-	480W（TC）
IXTQ42N25P	5.6000	RFQ	26	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq42	MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	250 v	42A（TC）	10V	84mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP20N503	5.3000	RFQ	32	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP20	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp20n50p3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	5V @ 1.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	380W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²