SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
IXTM24N50L IXYS IXTM24N50L -
RFQ
ECAD 5346 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - - - ixtm24 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
IXSK30N60BD1 IXYS IXSK30N60BD1 -
RFQ
ECAD 9461 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA ixsk30 标准 200 w 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 480V,30a,4.7Ohm,15V 50 ns - 600 v 55 a 110 a 2.7V @ 15V,55a 1.5mj(() 100 NC 30NS/150NS
IXYH75N120B4 IXYS IXYH75N120B4 -
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixyh75 标准 1150 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,50a,3ohm,15V 66 ns - 1200 v 240 a 440 a 2.2V @ 15V,75a 4.5MJ(在)上,2.7MJ off) 157 NC 22NS/182NS
IXGH12N60B IXYS IXGH12N60B -
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH12 标准 100 W TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,12a,18onm,15v - 600 v 24 a 48 a 2.1V @ 15V,12A 500µJ(脱离) 32 NC 20N/150NS
IXFK80N60P3 IXYS IXFK80N60P3 18.5800
RFQ
ECAD 7938 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK80 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 80A(TC) 10V 70MOHM @ 500mA,10V 5V @ 8mA 190 NC @ 10 V ±30V 13100 PF @ 25 V - 1300W(TC)
IXDR35N60BD1 IXYS IXDR35N60BD1 -
RFQ
ECAD 8125 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixdr35 标准 125 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 300V,35A,10欧姆,15V 40 ns npt 600 v 38 a 48 a 2.7V @ 15V,35a 1.6mj(在)上,800µJ(800µJ) 140 NC -
IXFK130N65X3 IXYS IXFK130N65X3 27.1404
RFQ
ECAD 8816 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFK130 - 238-ixfk130n65x3 25
IXFK60N25Q IXYS IXFK60N25Q -
RFQ
ECAD 1124 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK60 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 25 n通道 250 v 60a(TC) 10V 47mohm @ 500mA,10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 360W(TC)
VII130-06P1 IXYS VII130-06P1 -
RFQ
ECAD 2776 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 VII130 379 w 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 半桥 npt 600 v 121 a 2.9V @ 15V,130a 1.2 ma 是的 4.2 NF @ 25 V
IXFK140N60X3 IXYS IXFK140N60X3 26.1024
RFQ
ECAD 2828 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFK140 - 238-ixfk140n60x3 25
IXGH20N60A IXYS IXGH20N60A -
RFQ
ECAD 7788 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH20 标准 150 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,20a,82ohm,15V - 600 v 40 a 80 a 3V @ 15V,20A 1.5mj(() 100 NC 100NS/600NS
IXFR12N120P IXYS IXFR12N120P -
RFQ
ECAD 4068 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR12 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v - - - - -
IXFK25N90 IXYS IXFK25N90 -
RFQ
ECAD 3087 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK250 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 900 v 25A(TC) 10V 330mohm @ 500mA,10v 5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ±20V 10800 PF @ 25 V - 560W(TC)
MWI30-06A7T IXYS MWI30-06A7T -
RFQ
ECAD 7940 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 E2 MWI30 140 w 标准 E2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 600 v 45 a 2.4V @ 15V,30a 600 µA 是的 1.6 nf @ 25 V
IXGH25N100 IXYS IXGH25N100 -
RFQ
ECAD 4526 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH25 标准 200 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 800V,25a,33ohm,15V - 1000 v 50 a 100 a 3.5V @ 15V,25a (5MJ)) 130 NC 100NS/500NS
IXYT30N65C3H1HV IXYS IXYT30N65C3H1HV 9.6221
RFQ
ECAD 3168 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixyt30 标准 270 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,10ohm,15V 120 ns pt 650 v 60 a 118 a 2.7V @ 15V,30a 1MJ(在)上,270µJ(OFF)) 44 NC 21NS/75NS
IXSH40N60B IXYS IXSH40N60B -
RFQ
ECAD 5406 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXSH40 标准 280 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,40a,2.7Ohm,15V pt 600 v 75 a 150 a 2.2V @ 15V,40a 1.8MJ(() 190 NC 50NS/110NS
MWI25-12A7T IXYS MWI25-12A7T -
RFQ
ECAD 4466 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E2 MWI25 225 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 50 a 2.7V @ 15V,25a 2 ma 是的 1.65 NF @ 25 V
IXGP20N120B3 IXYS IXGP20N120B3 6.7900
RFQ
ECAD 9642 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXGP20 标准 180 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V,16A,15OHM,15V pt 1200 v 36 a 80 a 3.1V @ 15V,16a (920µJ)(在),560µJ(OFF)上) 51 NC 16NS/150NS
IXBX75N170 IXYS IXBX75N170 65.0100
RFQ
ECAD 1928年 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXBX75 标准 1040 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.5 µs - 1700 v 200 a 580 a 3.1V @ 15V,75a - 350 NC -
MUBW50-06A7 IXYS MUBW50-06A7 -
RFQ
ECAD 7498 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E2 mubw50 250 w 三相桥梁整流器 E2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 npt 600 v 75 a 2.4V @ 15V,50a 800 µA 是的 2.8 nf @ 25 V
IXGH38N60U1 IXYS IXGH38N60U1 -
RFQ
ECAD 7446 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXGH38 标准 200 w TO-247AD - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v 76 a 1.8V @ 15V,38a - -
IXGH50N60C4 IXYS IXGH50N60C4 -
RFQ
ECAD 9524 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH50 标准 300 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,36a,10ohm,15V pt 600 v 90 a 220 a 2.3V @ 15V,36a 950µJ(在)(840µJ)上,OFF) 113 NC 40NS/270NS
IXGA12N120A3 IXYS IXGA12N120A3 4.2728
RFQ
ECAD 8148 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB IXGA12 标准 100 W TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 - pt 1200 v 22 a 60 a 3V @ 15V,12A - 20.4 NC -
IXFA110N15T2 IXYS IXFA110N15T2 5.8040
RFQ
ECAD 6689 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB IXFA110 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa110n15t2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 110A(TC) 10V 13mohm @ 55a,10v 4.5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 8600 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXTT90P10P IXYS IXTT90P10P 13.1300
RFQ
ECAD 547 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixtt90 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 90A(TC) 10V 25mohm @ 45a,10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 5800 pf @ 25 V - 462W(TC)
IXFN70N120SK IXYS IXFN70N120SK 132.0700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN70 sicfet (碳化硅) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1200 v 68A(TC) 20V 34mohm @ 50a,20v 4V @ 15mA 161 NC @ 20 V +20V,-5V 2790 pf @ 1000 V - -
IXFH18N60X IXYS IXFH18N60X 7.6541
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH18 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 18A(TC) 10V 230MOHM @ 9A,10V 4.5V @ 1.5mA 35 NC @ 10 V ±30V 1440 pf @ 25 V - 320W(TC)
IXTA76N25T-TRL IXYS ixta76n25t-trl 4.0483
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 ixys 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB ixta76 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta76n25t-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 250 v 76A(TC) 10V 39mohm @ 38a,10v 5V @ 1mA 92 NC @ 10 V ±30V 4500 PF @ 25 V - 460W(TC)
IXFN210N20P IXYS IXFN210N20P 48.2300
RFQ
ECAD 160 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN210 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 200 v 188a(TC) 10V 10.5MOHM @ 105A,10V 4.5V @ 8mA 255 NC @ 10 V ±20V 18600 PF @ 25 V - 1070W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库