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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
Auirlr3110Z	-	RFQ	5139	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	42A（TC）		14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF8113PBF	-	RFQ	5677	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
AUIRFS4115	-	RFQ	3625	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRFSL7434PBF	-	RFQ	9234	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		40 V	195a（TC）	6V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
Auirrr3705ztr	-	RFQ	4648	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	153	n通道		55 v	42A（TC）		8mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V		2900 PF @ 25 V	-
IRGP4266D-EPBF	5.5400	RFQ	141	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		400V，75A，10欧姆，15V											170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRFAF42	6.5000	RFQ	60	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		500 v	7a		-	-		-		-	125W
IRFHM8342TRPBF-IR	-	RFQ	9853	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	10a（10a），28a（tc）		16mohm @ 17a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	560 pf @ 25 V	-	2.6W（TA），20W（20W）TC）
IRL7472L1TRPBF	1.0000	RFQ	8378	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	-					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	375a（TC）	4.5V，10V	0.59MOHM @ 195a，10V	2.5V @ 250µA	330 NC @ 4.5 V	±20V	20082 PF @ 25 V	-	3.8W（341W）（TC）
IRFAE32	5.7800	RFQ	523	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
irlr3410pbf	-	RFQ	8585	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
AUIRGF66524D0-IR	4.3700	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGF66524	标准		214 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											176 ns	-	600 v	60 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（915µJ）（在），280µJ（（（（（（）	80 NC	30ns/75ns
AUIRFSL8405	-	RFQ	6271	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
IRGP50B60PD1-EP	-	RFQ	3649	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		标准		390 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1		390V，33a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
IRF122	0.8800	RFQ	731	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF122-600047		0000.00.0000	1
IRGP4072DPBF	3.9400	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRGP4072DPBF	Ear99	8541.29.0095	1		240V，40a，10ohm，15V											122 ns	沟	300 v	70 a	120 a	1.7V @ 15V，40a	409µJ（在）上，838µJ降低）	73 NC	18NS/144NS
IRGP4760pbf	2.9400	RFQ	2	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		325 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		400V，48a，10ohm，15V												-	650 v	90 a	144 a	2V @ 15V，48a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	145 NC	70NS/140NS
irg4ph40ud2-ep	-	RFQ	2074	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AD	-						0000.00.0000	1		800V，21a，10ohm，15V											50 ns	-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V，21a	（1.95MJ），（1.71mj off）	100 NC	22NS/100NS
IRLR8256TRPBF	-	RFQ	4087	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
Auirlr3410Tr	1.1100	RFQ	14	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR3410		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRG4RC10UDTRRP	1.0000	RFQ	1038	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRGP20B60PDPBF	2.3100	RFQ	7782	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		220 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	79		390V，13a，10ohm，15V											42 ns	npt	600 v	40 a	80 a	2.8V @ 15V，20A	（95µJ）（在），100µJ（OFF）	68 NC	20NS/115NS
irll3303pbf	-	RFQ	5319	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	160	n通道		30 V	4.6a（ta）		31MOHM @ 4.6A，10V	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	840 pf @ 25 V	-	1W（ta）
AUIRF1010EZSTRL	1.0000	RFQ	3305	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
auirfs3004-7trl	-	RFQ	1736年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载						0000.00.0000	1	n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.25MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W（TC）
AUIRFR4620TRL	-	RFQ	2502	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	24A（TC）	10V	78mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
Auirls3034-7p	2.6600	RFQ	8774	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 200a，10v	2.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 V	±20V	10990 pf @ 40 V	-	380W（TC）
AUIRG4PC40S-E-IR	-	RFQ	6740	国际整流器	*	大部分	积极的				auirg4					-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRG4PC40S-E-IR	Ear99	0000.00.0000	1
IRG4RC10UDPBF	-	RFQ	6966	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w	D-pak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4RC10UDPBF-600047			1		480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRGP4062D-EPBF	-	RFQ	6386	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											89 ns	沟	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²