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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6711STSTRPBF | 0.8100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 国际整流器 | DirectFet™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | DirectFet™等距平方英尺 | MOSFET (金属 o化物) | DirectFet™等距平方英尺 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 25 v | (19a(ta),84a tc(84a tc) | 3.8mohm @ 19a,10v | 2.35V @ 25µA | 20 NC @ 4.5 V | ±20V | 1810 pf @ 13 V | - | 2.2W(TA),42W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFS4115Trl7pp | 2.0900 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6个线索 +选项卡,TO-263CB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK(7铅) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 150 v | 105A(TC) | 10V | 11.8mohm @ 63a,10v | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 5320 PF @ 50 V | - | 380W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRG4RC20FTRPBF | 0.5700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRG4RC20 | 标准 | 66 W | D-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 480V,12A,50OHM,15V | - | 600 v | 22 a | 44 a | 2.1V @ 15V,12A | 190µJ(在)上,920µJ(OFF) | 27 NC | 26NS/194NS | |||||||||||||||
![]() | AUIRFS4115 | - | ![]() | 3625 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 150 v | 99a(TC) | 10V | 12.1MOHM @ 62a,10v | 5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 5270 pf @ 50 V | - | 375W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFR4104PBF | - | ![]() | 8776 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 40 V | 42A(TC) | 10V | 5.5MOHM @ 42A,10V | 4V @ 250µA | 89 NC @ 10 V | ±20V | 2950 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IRF7821pbf | 1.0000 | ![]() | 9751 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜155°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 30 V | 13.6a(ta) | 4.5V,10V | 9.1MOHM @ 13A,10V | 1V @ 250µA | 14 NC @ 4.5 V | ±20V | 1010 PF @ 15 V | - | 2.5W(TA) | |||||||||||||||
![]() | IRL2203NPBF | - | ![]() | 2624 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 30 V | 116a(TC) | 4.5V,10V | 7mohm @ 60a,10v | 1V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 V | ±16V | 3290 pf @ 25 V | - | 180W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRR1404ZS | 1.7000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 160a(TC) | 4.5V,10V | 3.1MOHM @ 75A,10V | 2.7V @ 250µA | 110 NC @ 5 V | ±16V | 5080 pf @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFS7540pbf | - | ![]() | 3973 | 0.00000000 | 国际整流器 | hexfet®,strongirfet™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 60 V | 110A(TC) | 6V,10V | 5.1MOHM @ 65A,10V | 3.7V @ 100µA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 4555 pf @ 25 V | - | 160W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRFSL4115 | 2.4500 | ![]() | 6882 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 150 v | 99a(TC) | 10V | 12.1MOHM @ 62a,10v | 5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 5270 pf @ 50 V | - | 375W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFP4868PBF | - | ![]() | 4090 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AC | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 300 v | 70A(TC) | 10V | 32MOHM @ 42A,10V | 5V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ±20V | 10774 PF @ 50 V | - | 517W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFS7730pbf | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | 国际整流器 | hexfet®,strongirfet™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263ab) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 75 v | 195a(TC) | 6V,10V | 2.6MOHM @ 100A,10V | 3.7V @ 250µA | 407 NC @ 10 V | ±20V | 13660 pf @ 25 V | - | 375W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF1324S-7ppbf | - | ![]() | 1518年 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6个线索 +选项卡,TO-263CB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK(7铅) | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 24 V | 240a(TC) | 10V | 1MOHM @ 160a,10V | 4V @ 250µA | 252 NC @ 10 V | ±20V | 7700 PF @ 19 V | - | 300W(TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRG4PC40KDPBF-IR | 1.0000 | ![]() | 6710 | 0.00000000 | 国际整流器 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF6218S | - | ![]() | 8744 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-AUIRF6218S-600047 | 1 | P通道 | 150 v | 27a(TC) | 10V | 150mohm @ 16a,10v | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2210 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRGS4607DPBF | 0.8500 | ![]() | 850 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 58 w | D2PAK | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,4A,100OHM,15V | 48 ns | - | 600 v | 11 a | 12 a | 2.05V @ 15V,4A | (140µJ)(在62µJ上) | 9 NC | 27NS/120NS | |||||||||||||||||
![]() | IRGR2B60KDTRRPBF | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 标准 | 35 w | D-pak | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V,2A,100OHM,15V | 68 ns | npt | 600 v | 6.3 a | 8 a | 2.25V @ 15V,2A | (74µJ)(在),39µJ((((() | 12 nc | 11NS/150NS | ||||||||||||||||||
![]() | IRFL024NPBF | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 55 v | 2.8A(ta) | 10V | 75MOHM @ 2.8A,10V | 4V @ 250µA | 18.3 NC @ 10 V | ±20V | 400 pf @ 25 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||
![]() | Auirru024Z | 0.4800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | 16A(TC) | 4.5V,10V | 58mohm @ 9.6a,10V | 3V @ 250µA | 9.9 NC @ 5 V | ±16V | 380 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRGP4640pbf | 1.9000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 250 w | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V,24a,10ohm,15V | - | 600 v | 65 a | 72 a | 1.9V @ 15V,24a | (100µJ)(600µJ)(off) | 75 NC | 40NS/105NS | ||||||||||||||||
![]() | IRFSL4310ZPBF | - | ![]() | 3516 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 100 v | 120A(TC) | 10V | 6mohm @ 75a,10v | 4V @ 150µA | 170 NC @ 10 V | ±20V | 6860 pf @ 50 V | - | 250W(TC) | |||||||||||||||
![]() | IRF7201PBF | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 30 V | 7.3A(TC) | 4.5V,10V | 30mohm @ 7.3a,10v | 1V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 550 pf @ 25 V | - | 2.5W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRF1010EZS | - | ![]() | 5742 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 60 V | 75A(TC) | 10V | 8.5MOHM @ 51A,10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±20V | 2810 PF @ 25 V | - | 140W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRGPS4070D0 | 11.6300 | ![]() | 933 | 0.00000000 | 国际整流器 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-274AA | AUIRGPS4070 | 标准 | 750 w | PG-TO274-3-903 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V,120A,4.7OHM,15V | 210 ns | 沟 | 600 v | 240 a | 360 a | 2V @ 15V,120a | 5.7MJ(在)上,4.2MJ(4.2MJ) | 250 NC | 40NS/140NS | |||||||||||||||||
![]() | IRGS4045DTRLPBF | 1.0400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 77 w | D²Pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V,6A,47OHM,15V | 74 ns | - | 600 v | 12 a | 18 a | 2V @ 15V,6A | 56µJ(在)上,122µJ(122µJ) | 19.5 NC | 27ns/75ns | |||||||||||||||
![]() | AUIRFR1010Z | - | ![]() | 8387 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak(TO-252AA) | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 55 v | 42A(TC) | 7.5MOHM @ 42A,10V | 4V @ 100µA | 95 NC @ 10 V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRFS4310pbf | - | ![]() | 4036 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 100 v | 130a(TC) | 10V | 7mohm @ 75a,10v | 4V @ 250µA | 250 NC @ 10 V | ±20V | 7670 pf @ 50 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFH7932TRPBF | - | ![]() | 3124 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | PQFN(5x6)单个死亡 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | n通道 | 30 V | 24A(24A),104A (TC) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 25a,10v | 2.35V @ 100µA | 51 NC @ 4.5 V | ±20V | 4270 pf @ 15 V | - | 3.4W(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | IKA08N65H5XKSA1 | - | ![]() | 2861 | 0.00000000 | 国际整流器 | Trenchstop™5 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | 31.2 w | PG-TO220-3-111 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-IKA08N65H5XKSA1-600047 | 1 | 400V,4A,48ohm,15V | 40 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 10.8 a | 24 a | 2.1V @ 15V,8a | (70µJ)(在),30µj(30µJ) | 22 NC | 11NS/115NS | |||||||||||||||||
![]() | AUIRF3315S | - | ![]() | 9179 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 150 v | 21a(TC) | 10V | 82MOHM @ 12A,10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.8W(ta),94W(tc) |
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