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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF6711STSTRPBF	0.8100	RFQ	4	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距平方英尺	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		25 v	（19a（ta），84a tc（84a tc）		3.8mohm @ 19a，10v	2.35V @ 25µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1810 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRFS4115Trl7pp	2.0900	RFQ	25	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
AUIRFS4115	-	RFQ	3625	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRFR4104PBF	-	RFQ	8776	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRL2203NPBF	-	RFQ	2624	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
AUIRR1404ZS	1.7000	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFS7540pbf	-	RFQ	3973	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
AUIRFSL4115	2.4500	RFQ	6882	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRFS7730pbf	-	RFQ	4097	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263ab）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		75 v	195a（TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRG4PC40KDPBF-IR	1.0000	RFQ	6710	国际整流器	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
AUIRF6218S	-	RFQ	8744	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRF6218S-600047			1	P通道		150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRGS4607DPBF	0.8500	RFQ	850	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		58 w	D2PAK	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50		400V，4A，100OHM，15V											48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IRGR2B60KDTRRPBF	-	RFQ	7153	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		35 w	D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，2A，100OHM，15V											68 ns	npt	600 v	6.3 a	8 a	2.25V @ 15V，2A	（74µJ）（在），39µJ（（（（（）	12 nc	11NS/150NS
IRFL024NPBF	-	RFQ	7709	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	2.8A（ta）	10V	75MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF7201PBF	-	RFQ	1045	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	7.3A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 7.3a，10v	1V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
AUIRF1010EZS	-	RFQ	5742	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRGPS4070D0	11.6300	RFQ	933	国际整流器	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	AUIRGPS4070	标准		750 w	PG-TO274-3-903	下载					Ear99	8541.29.0095	1		400V，120A，4.7OHM，15V											210 ns	沟	600 v	240 a	360 a	2V @ 15V，120a	5.7MJ（在）上，4.2MJ（4.2MJ）	250 NC	40NS/140NS
IRGS4045DTRLPBF	1.0400	RFQ	5	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		77 w	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，6A，47OHM，15V											74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRFS4310pbf	-	RFQ	4036	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IKA08N65H5XKSA1	-	RFQ	2861	国际整流器	Trenchstop™5	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		31.2 w	PG-TO220-3-111	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IKA08N65H5XKSA1-600047			1		400V，4A，48ohm，15V											40 ns	沟渠场停止	650 v	10.8 a	24 a	2.1V @ 15V，8a	（70µJ）（在），30µj（30µJ）	22 NC	11NS/115NS
AUIRF3315S	-	RFQ	9179	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRFS7434Trl7pp	-	RFQ	3629	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		40 V	240a（TC）	6V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	245W（TC）
IRG4PH40KDPBF	-	RFQ	4682	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		800V，15a，10ohm，15V											63 ns	-	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.31mj（在）上，1.12mj off）	140 NC	50NS/96NS
IRGSL4B60KD1PBF	0.9500	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		63 W	TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，4A，100OHM，15V											93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
AUIRGSL30B60K	2.3500	RFQ	8	国际整流器	*	大部分	积极的				AUIRGSL30					下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRGSL30B60K-600047			1
IRF224	2.3400	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		250 v	3.8a	-	-	-		-		-	40W
AUIRGP4062D	5.4100	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP4062	标准		250 w	TO-247AC	下载					Ear99	8541.29.0095	56		400V，24a，10ohm，15V											89 ns	-	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	50 NC	41NS/104NS
AUIRFR3504	1.0600	RFQ	10	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	56A（TC）	10V	9.2MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	1059	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000	n通道		150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
irlu3103pbf	-	RFQ	1234	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	55A（TC）		19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²