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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
Auirfr2405trl	1.0600	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRFR2405TRL-600047			1		n通道		55 v	30A（TC）		16mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2430 pf @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRFS8405	1.2500	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
auirfs8407trr	1.1800	RFQ	395	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	195a（TC）		1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRLZ34NSPBF	-	RFQ	9217	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	30A（TC）	4V，10V	35mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IRF9952QPBF	-	RFQ	7036	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	190	n和p通道			30V	3.5a，2.3a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
IRFR8314TRPBF	0.6500	RFQ	8654	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	16		n通道		30 V	90A（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 100µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	4945 pf @ 15 V	-	125W（TC）
IRF7457pbf	0.5200	RFQ	1338	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	435		n通道		20 v	15A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF7201PBF	-	RFQ	1045	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	7.3A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 7.3a，10v	1V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
IRF7413TRPBF	-	RFQ	8428	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	13A（TA）		11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFB4510pbf	1.0000	RFQ	8609	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	62A（TC）	10V	13.5MOHM @ 37A，10V	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 50 V	-	140W（TC）
AUIRF3808	-	RFQ	8699	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	106a（TC）		7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
AUIRFR4620TRL	-	RFQ	2502	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	24A（TC）	10V	78mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRG8P40N120KDPBF	5.1400	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		305 w	TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			600V，25a，10ohm，15V											80 ns	-	1200 v	60 a	75 a	2V @ 15V，25a	1.6MJ（在）上，1.8MJ off）	240 NC	40NS/245NS
IRG4IBC30KDPBF	2.1000	RFQ	2251	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W	到220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	125			480V，16a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	17 a	34 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	100 NC	60NS/160NS
IRG4BC20KDSTRLP-IR	-	RFQ	8822	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3			480V，9a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（340µJ）（300µJ（）	34 NC	54NS/180NS
AUIRGSL30B60K	2.3500	RFQ	8	国际整流器	*	大部分	积极的				AUIRGSL30					下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRGSL30B60K-600047			1
IRF3704SPBF	1.0000	RFQ	6618	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	77A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	87W（TC）
AUIRFP4310Z	1.0000	RFQ	2800	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	128a（TC）	10V	6mohm @ 77a，10v	4V @ 150µA	188 NC @ 10 V	±20V	7120 PF @ 50 V	-	278W（TC）
IRF1010ZPBF	0.9400	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	320		n通道		55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
Auirfu8405	1.0300	RFQ	510	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	100A（TC）	10V	1.98mohm @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W（TC）
IRF9240	5.6400	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道		200 v	11A（TC）	10V	580MOHM @ 11A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
Auirfr2607ztrl	-	RFQ	9048	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道		75 v	42A（TC）	10V	22mohm @ 30a，10v	4V @ 50µA	51 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFAUIRF540Z	1.2400	RFQ	2	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-904	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
IRFZ44NSPBF	-	RFQ	9935	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
AUIRF2804S	-	RFQ	5701	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	2mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRF362	9.1700	RFQ	160	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		400 v	22a	-	-	-		-		-	300W
IRG4PSH71UDPBF	1.0000	RFQ	5303	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247（TO-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			960V，70A，5OHM，15V											110 ns	-	1200 v	99 a	200 a	2.7V @ 15V，70a	8.8mj（在）（9.4MJ）上）	570 NC	46NS/250NS
IRGP4069D-EPBF	-	RFQ	8386	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		268 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，35a，10ohm，15V											120 ns	沟	600 v	76 a	105 a	1.85V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS
IRFS4410ZPBF	-	RFQ	7765	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	97A（TC）		9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRFF333	-	RFQ	8970	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					Ear99	8542.39.0001	64		n通道		350 v	3a	-	-	-		-		-	25W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²