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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FP30R06W1E3B11BOMA1	-	RFQ	9455	国际整流器	EasyPim™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				115 w	三相桥梁整流器	-	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FP30R06W1E3B11BOMA1-600047			1	三相逆变器														沟渠场停止	600 v	37 a		2V @ 15V，30a				1 MA	是的	1650 pf @ 25 V
IRFB4510pbf	1.0000	RFQ	8609	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	62A（TC）	10V	13.5MOHM @ 37A，10V	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 50 V	-	140W（TC）
Auirfu4292	0.7900	RFQ	26	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRFU4292-600047			1		n通道		250 v	9.3A（TC）	10V	345MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	705 pf @ 25 V	-	100W（TC）
AUIRF2804L-313Trl	-	RFQ	4459	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	-				2156-AUIRF2804L-313TRL			1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	2.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
AUIRGSL30B60K-IR	-	RFQ	1759年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	AUIRGSL30	标准		370 w		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，30a，10ohm，15V												npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	153 NC	46NS/185NS
IRGR3B60KD2TRRP	-	RFQ	8242	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR3B60	标准		52 w		D-pak	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000			400V，3A，100OHM，15V											77 ns	npt	600 v	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V，3A	（62µJ）（在），39µJ（39µJ）中	13 NC	18NS/110NS
IRGP4066D-EPBF	-	RFQ	1555年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w		TO-247AD	下载						0000.00.0000	1			400V，75A，10欧姆，15V											155 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
irfr3710ztrlpbf	-	RFQ	1078	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	42A（TC）	10V	18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
Auirfr2405trl	1.0600	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRFR2405TRL-600047			1		n通道		55 v	30A（TC）		16mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2430 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF7401pbf	-	RFQ	4715	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		20 v	8.7a（ta）	2.7V，4.5V	22mohm @ 4.1a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	48 NC @ 4.5 V	±12V	1600 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRG4RC10UDPBF	-	RFQ	6966	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w		D-pak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4RC10UDPBF-600047			1			480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRFS7730-7PPBF	-	RFQ	9846	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	240a（TC）		2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	428 NC @ 10 V	±20V	13970 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRGS4045DPBF	1.0100	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		77 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRFZ44NSPBF	-	RFQ	9935	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRGP4063D1PBF	-	RFQ	9658	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		330 w		TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，48a，10ohm，15V											80 ns	-	600 v	100 a	200 a	2.14V @ 15V，48a	1.4µJ（在）上，1.1µJ（OFF）	150 NC	60NS/160NS
IRLH6224TRPBF	1.0000	RFQ	5726	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		20 v	28a（28a），105a（tc）	2.5V，4.5V	3mohm @ 20a，4.5V	1.1V @ 50µA	86 NC @ 10 V	±12V	3710 PF @ 10 V	-	3.6W（TA），52W（TC）
IRG4IBC30KDPBF	2.1000	RFQ	2251	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W		到220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	125			480V，16a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	17 a	34 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	100 NC	60NS/160NS
IRF7739L2TRPBF	1.0000	RFQ	7657	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet L8	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	246		n通道		40 V	46A（TA），375A （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
Auirls3036	-	RFQ	1491	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRFAF42	6.5000	RFQ	60	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		500 v	7a		-	-		-		-	125W
AUIRG4PC40S-E-IR	-	RFQ	6740	国际整流器	*	大部分	积极的				auirg4						-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRG4PC40S-E-IR	Ear99	0000.00.0000	1
IRGP50B60PD1-EP	-	RFQ	3649	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		标准		390 w		TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1			390V，33a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
IRGP4072DPBF	3.9400	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w		TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRGP4072DPBF	Ear99	8541.29.0095	1			240V，40a，10ohm，15V											122 ns	沟	300 v	70 a	120 a	1.7V @ 15V，40a	409µJ（在）上，838µJ降低）	73 NC	18NS/144NS
IRGP4760pbf	2.9400	RFQ	2	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		325 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25			400V，48a，10ohm，15V												-	650 v	90 a	144 a	2V @ 15V，48a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	145 NC	70NS/140NS
IRLR8256TRPBF	-	RFQ	4087	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
IRF122	0.8800	RFQ	731	国际整流器	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF122-600047		0000.00.0000	1
irg4ph40ud2-ep	-	RFQ	2074	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w		TO-247AD	-						0000.00.0000	1			800V，21a，10ohm，15V											50 ns	-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V，21a	（1.95MJ），（1.71mj off）	100 NC	22NS/100NS
AUIRR7736M2TR	1.0000	RFQ	6393	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M4			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距M4	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	179a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 67a，10v	2.5V @ 150µA	78 NC @ 4.5 V	±16V	5055 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
IRF7811AVTRPBF	-	RFQ	2547	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	10.8a（ta）	4.5V	14mohm @ 15a，4.5V	3V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1801 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRL520NSPBF	-	RFQ	7791	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	-				2156-irl520NSPBF			1		n通道		100 v	10A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²