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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF8915pbf	0.2000	RFQ	3472	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	355	2 n 通道（双）			20V	8.9a		18.3mohm @ 8.9a，10v	2.5V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		540pf @ 10V	逻辑级别门
AUIRFR1010Z	-	RFQ	8387	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	42A（TC）		7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
auirfs4127trl	1.0000	RFQ	4627	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	72A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 50 V	-	375W（TC）
AUIRF1405ZL-308	1.6000	RFQ	22	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRL7486MTRPBF	1.2100	RFQ	4	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距我			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距我	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	209a（TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 123A，10V	2.5V @ 150µA	111 NC @ 4.5 V	±20V	6904 PF @ 25 V	-	104W（TC）
IRLL3303TRPBF	-	RFQ	9125	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	31MOHM @ 4.6A，10V	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	840 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFSL7434PBF	-	RFQ	9234	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	195a（TC）	6V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
Auirls3036	-	RFQ	1491	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRFH7934TRPBF	0.6000	RFQ	5	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	24A（24A），76A （TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 24A，10V	2.35V @ 50µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	3100 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
IRFR24N15DPBF	-	RFQ	3046	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	24A（TC）	10V	95mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF6218pbf	-	RFQ	8651	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	50		P通道		150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
FD800R17KE3B2NOSA1-IR	-	RFQ	3190	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
IRGP4063D1-EPBF	1.0000	RFQ	6820	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4063D	标准		330 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，48a，10ohm，15V											80 ns	-	600 v	100 a	192 a	2.14V @ 15V，48a	1.4MJ（在）上，1.1MJ off）	150 NC	60NS/160NS
AUIRFSL8408	1.8100	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	195a（TC）		1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V		10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
AUIRFS3006-7P-IR	3.7500	RFQ	100	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	240a（TC）	10V	2.1MOHM @ 168A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8850 pf @ 50 V	-	375W（TC）
AUIRF1010EZ	1.2600	RFQ	6	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	75A（TC）		8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRF6898MTRPBF	1.0000	RFQ	2752	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距MX	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,009		n通道		25 v	40a（TA），214a （TC）		1.1MOHM @ 40a，10v	2.1V @ 100µA	68 NC @ 4.5 V	±16V	5630 pf @ 13 V	（（（）	2.8W（ta），78W（tc）
AUIRG4BC30U-S	-	RFQ	5319	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	auirg4	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	75 NC	17NS/78NS
IRF242	1.8700	RFQ	7069	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		200 v	16a		-	-		-		-	125W
IRG7PH35UD1MPBF	2.9700	RFQ	88	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG7PH35	标准		179 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			600V，20a，10ohm，15V												沟	1200 v	50 a	150 a	2.2V @ 15V，20A	620µJ（离）	130 NC	- /160NS
IRG4BC30KDPBF	-	RFQ	4960	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，16a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
AUIRRRR024N	0.6000	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF7483MTRPBF	0.9900	RFQ	13	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MF			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距MF	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	135a（TC）	6V，10V	2.3MOHM @ 81A，10V	3.9V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3913 PF @ 25 V	-	74W（TC）
AIGW40N65F5XKSA1	-	RFQ	9774	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	pg-to247-3	-				2156-AIGW40N65F5XKSA1			1			400V，20a，15ohm，15V												沟	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	350µJ（在）上，100µJ（100µJ）	95 NC	19NS/165NS
irll3303pbf	-	RFQ	5319	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	160		n通道		30 V	4.6a（ta）		31MOHM @ 4.6A，10V	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	840 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRGP4069DPBF	-	RFQ	7252	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		不适用	到达不受影响	2156-IRGP4069DPBF-600047	Ear99	8541.29.0095	1
IRGP30B60KD-EP	1.0000	RFQ	2311	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		304 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，30a，10ohm，15V											125 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	102 NC	46NS/185NS
IRFS7434Trl7pp	-	RFQ	3629	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	240a（TC）	6V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	245W（TC）
Auirfr2405trl	1.0600	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRFR2405TRL-600047			1		n通道		55 v	30A（TC）		16mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2430 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRG4PC50KPBF	2.2600	RFQ	11	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			480V，30a，5ohm，15V												-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	490µJ（在）上，680µJ降低）	200 NC	38NS/160NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²