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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRF2805	2.0000	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	75A（TC）	10V	4.7MOHM @ 104A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	330W（TC）
SI4420DYPBF	-	RFQ	6614	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	95		n通道		30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF343	1.4200	RFQ	5900	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	165		n通道		350 v	8A（TC）		800MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRGR4045DPBF	0.8100	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR4045	标准		77 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRLR3110ZTRPBF	-	RFQ	3091	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道		100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7389pbf	1.0000	RFQ	9724	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF738		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n和p通道			30V	-		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
IRF7905TRPBF	-	RFQ	7911	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7905		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	407	2 n 通道（双）			30V	7.8a，8.9a		21.8mohm @ 7.8A，10V	2.25V @ 25µA	6.9nc @ 4.5V		600pf @ 15V	逻辑级别门
AUIRRRR024N	0.6000	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFB3207ZGPBF	-	RFQ	9377	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	145		n通道		75 v	120A（TC）		4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRFHM4234TRPBF	0.3900	RFQ	1	国际整流器	fastirfet™，hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TQFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	770		n通道		25 v	20A（TA）	4.5V，10V	4.4mohm @ 30a，10v	2.1V @ 25µA	17 NC @ 10 V	±20V	1011 pf @ 13 V	-	2.8W（28W），28W（tc）
AUIRGF65G40D0	-	RFQ	7938	国际整流器	Coolirigbt™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Auirgf65	标准		625 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，20A，4.7OHM，15V											41 ns	-	600 v	62 a	84 a	2.2V @ 15V，20A	298µJ（在）上，147µJ降低）	270 NC	35NS/142NS
IRFS3806pbf	0.3500	RFQ	7892	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	290		n通道		60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
AUIRF3805S-7P	-	RFQ	3642	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRFF333	-	RFQ	8970	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					Ear99	8542.39.0001	64		n通道		350 v	3a	-	-	-		-		-	25W
IRF3808SPBF	1.0000	RFQ	5209	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRF120CECC	-	RFQ	6415	国际整流器	*	大部分	积极的				IRF120		-			-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1												-
IRG4PC50UPBF	1.0000	RFQ	1578年	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，27a，5ohm，15V												-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（120µJ）（在540µJ上）	180 NC	32NS/170NS
AUIRFL024NTR	-	RFQ	5769	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRFL024NTR-600047			1		n通道		55 v	2.8A（ta）	10V	75MOHM @ 2.8A，10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（ta）
AUIRGP50B60PD1E	6.2300	RFQ	70	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP50	标准		390 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			390V，33a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
IRFH7921TRPBF-IR	0.3600	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）单个死亡	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	（15a）（34A （TC）（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	2.35V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
IRF9952QPBF	-	RFQ	7036	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	190	n和p通道			30V	3.5a，2.3a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
IRFR4105ZPBF	-	RFQ	5409	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	30A（TC）		24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRL8113PBF-IR	-	RFQ	8581	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
AUIRFR48Z	-	RFQ	2017	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	42A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 50µA	60 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
IRF7470TRPBF	0.6800	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	439		n通道		40 V	10a（10a）	2.8V，10V	13mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±12V	3430 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
AUIRFS3107-7P	1.0000	RFQ	6024	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	240a（TC）	10V	2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRFH3707TRPBF	0.1500	RFQ	1456	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn （3x3）	下载					Ear99	8542.39.0001	250		n通道		30 V	12a（12A），29a （TC）	4.5V，10V	12.4mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	8.1 NC @ 4.5 V	±20V	755 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
IRFAE32	5.7800	RFQ	523	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IRL3103PBF	1.0000	RFQ	2105	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	64A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1650 pf @ 25 V	-	94W（TC）
AUIRFSL8405	-	RFQ	6271	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²