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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRL2203NPBF	-	RFQ	2624	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRFS4115Trl7pp	2.0900	RFQ	25	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRF6711STSTRPBF	0.8100	RFQ	4	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距平方英尺	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		25 v	（19a（ta），84a tc（84a tc）		3.8mohm @ 19a，10v	2.35V @ 25µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1810 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRFF233	-	RFQ	8812	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		150 v	4.5a	-	-	-		-		-	25W
IRFS7762TRLPBF	1.0000	RFQ	400	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载				Ear99	8542.39.0001	300		n通道		75 v	85A（TC）	6V，10V	6.7MOHM @ 51A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4440 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRL1404ZSPBF	1.0000	RFQ	1407	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
AUIRF1405ZSTRL	1.0000	RFQ	6259	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRF6775MTRPBF	1.2100	RFQ	597	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载				Ear99	8541.29.0095	249		n通道		150 v	4.9a（ta），28a tc）（TC）	10V	56mohm @ 5.6A，10V	5V @ 100µA	36 NC @ 10 V	±20V	1411 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
auirfs4010-7trl	3.9200	RFQ	1	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	83		n通道		100 v	180a（TC）		4.7MOHM @ 106A，10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	9575 PF @ 50 V	-	375W（TC）
IRF6802SDTRPBF	0.8100	RFQ	5	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SA	IRF6802		MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA），21W（21W）TC）	DirectFet™等距SA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1,117	2 n 通道（双）			25V	16a（16A），57A （TC）		4.2MOHM @ 16a，10v	2.1V @ 35µA	13nc @ 4.5V		1350pf @ 13V	-
IRF2804S-7PPBF	-	RFQ	8303	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	160a（TC）	10V	1.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRFR24N15DPBF	-	RFQ	3046	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	24A（TC）	10V	95mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRFSL8408	1.8100	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	195a（TC）		1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V		10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
AUIRFB4410-IR	1.4500	RFQ	1	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-904	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 1.037mA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IRLR024NPBF	1.0000	RFQ	1089	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFU4510pbf	0.8200	RFQ	5003	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载				Ear99	8542.39.0001	114		n通道		100 v	56A（TC）	10V	13.9mohm @ 38a，10v	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W（TC）
AUIRFR5410-IR	0.7700	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRF3704SPBF	1.0000	RFQ	6618	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	77A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	87W（TC）
IRFF311	-	RFQ	6331	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	163		n通道		350 v	1.35a	-	-	-		-		-	15W
94-2403	-	RFQ	3334	国际整流器	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	1
IRFR7440TRPBF	-	RFQ	2155	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP			MOSFET （金属 o化物）		176-LQFP（24x24）	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	90A（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	134 NC @ 10 V	±20V	4610 PF @ 25 V	-	140W（TC）
irfu6215pbf	-	RFQ	1501	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		P通道		150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRGP4069D-EPBF	-	RFQ	8386	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		268 w	TO-247AD	下载				Ear99	8542.39.0001	1			400V，35a，10ohm，15V											120 ns	沟	600 v	76 a	105 a	1.85V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS
IRF6797MTRPBF	1.2500	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道		25 v	36a（TA），210A （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 38a，10v	2.35V @ 150µA	68 NC @ 4.5 V	±20V	5790 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRFS77347PPBF	-	RFQ	6797	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	197a（TC）		3.05MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	10130 pf @ 25 V	-	294W（TC）
Auirlr2905ztrl	1.0000	RFQ	2228	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	42A（TC）		13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V		1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
irlu8729-701pbf	0.3200	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		PG至251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	944		n通道		30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
IRLR8726PBF	-	RFQ	4307	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	86A（TC）		5.8mohm @ 25a，10v	2.35V @ 50µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRGP4660D-EPBF	5.7700	RFQ	150	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		330 w	TO-247AD	下载				Ear99	8541.29.0095	52			400V，48a，10ohm，15V											115 ns	-	600 v	100 a	144 a	1.9V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	140 NC	60NS/145NS
IRFAUIRF540Z	1.2400	RFQ	2	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-904	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²