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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRG6B330UDPBF	2.3700	RFQ	5	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		160 w	TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		196V，25a，10ohm											60 ns	沟	330 v	70 a		2.76V @ 15V，120a	-	85 NC	47NS/176NS
IRF7401pbf	-	RFQ	4715	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		20 v	8.7a（ta）	2.7V，4.5V	22mohm @ 4.1a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	48 NC @ 4.5 V	±12V	1600 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
AUIRF1324STRL7P	2.2600	RFQ	401	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		24 V	340a（TC）	10V	1.65MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 pf @ 24 V	-	300W（TC）
AUIRGSL30B60K	2.3500	RFQ	8	国际整流器	*	大部分	积极的				AUIRGSL30					下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRGSL30B60K-600047			1
IRF1010ZPBF	0.9400	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	320	n通道		55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF3704SPBF	1.0000	RFQ	6618	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道		20 v	77A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	87W（TC）
AUIRFP4310Z	1.0000	RFQ	2800	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25	n通道		100 v	128a（TC）	10V	6mohm @ 77a，10v	4V @ 150µA	188 NC @ 10 V	±20V	7120 PF @ 50 V	-	278W（TC）
Auirfu8405	1.0300	RFQ	510	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	100A（TC）	10V	1.98mohm @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W（TC）
IRF9240	5.6400	RFQ	11	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道		200 v	11A（TC）	10V	580MOHM @ 11A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
AUIRFR4620TRL	-	RFQ	2502	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		200 v	24A（TC）	10V	78mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRG4RC10UDPBF	-	RFQ	6966	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w	D-pak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4RC10UDPBF-600047			1		480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
AUIRGP66524D0	-	RFQ	5502	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Coolirigbt™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		214 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-AUIRGP66524D0-600047			1		400V，24a，10ohm，15V											176 ns	沟	600 v	60 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（915µJ）（在），280µJ（（（（（（）	50 NC	30ns/75ns
IRG4PC50SDPBF	-	RFQ	8710	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，41A，5OHM，15V											50 ns	-	600 v	70 a	140 a	1.36V @ 15V，41a	（720µJ）（在），8.27MJ（OFF）	280 NC	33NS/650NS
AUIRFB3806	-	RFQ	6614	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
IRFZ44NSTRRPBF	0.7900	RFQ	450	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	450	n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
AUIRGF65G40D0	-	RFQ	7938	国际整流器	Coolirigbt™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Auirgf65	标准		625 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，20A，4.7OHM，15V											41 ns	-	600 v	62 a	84 a	2.2V @ 15V，20A	298µJ（在）上，147µJ降低）	270 NC	35NS/142NS
IRF7807VPBF	1.0000	RFQ	2076	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
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IRGP4266DPBF	-	RFQ	6264	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，75A，10欧姆，15V											170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	1059	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000	n通道		150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
IRG4PC30FPBF	1.8800	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，17a，23ohm，15V												-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	77 NC	21NS/200NS
IRF7811AVTRPBF	-	RFQ	2547	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	n通道		30 V	10.8a（ta）	4.5V	14mohm @ 15a，4.5V	3V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1801 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRG4PH40KDPBF	-	RFQ	4682	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		800V，15a，10ohm，15V											63 ns	-	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.31mj（在）上，1.12mj off）	140 NC	50NS/96NS
IRGP35B60PDPBF	-	RFQ	9966	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		308 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		390V，22a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	240 NC	26NS/110NS
AUIRGP50B60PD1E	6.2300	RFQ	70	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP50	标准		390 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		390V，33a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
Auirfr3710ztrl	-	RFQ	8408	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	42A（TC）		18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V		2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRG4BC30F-SPBF	1.3300	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30F-SPBF	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		480V，17a，23ohm，15V												-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
AUIRF2907ZS7PTL	-	RFQ	1459	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		75 v	180a（TC）	10V	3.8mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7580 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFR3711TRLPBF	0.4900	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		20 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），120W（tc）
AUIRFR3607	-	RFQ	7019	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²