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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRGS30B60K-IR	-	RFQ	5536	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRGS30	标准		370 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，30a，10ohm，15V												npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	153 NC	46NS/185NS
IRLL024NPBF	-	RFQ	6013	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	3.1a（ta）		65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF3710ZSPBF	1.0000	RFQ	7340	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRFS3006pbf	-	RFQ	1153	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	195a（TC）	10V	2.5MOHM @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRFH7936TRPBF	0.3600	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	20A（20A），54A （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2360 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
IRG4BC30KDSTRRP-IR	-	RFQ	5422	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1			480V，16a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
IRFR7540TRLPBF	-	RFQ	6232	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7540		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	90A（TC）	6V，10V	4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFR9120NPBF	-	RFQ	8371	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	6.6A（TC）		480MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
AUIRF1405ZL	1.6300	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
AUIRF7736M2TR	-	RFQ	6357	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M4			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距M4	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	22a（22A），108a（tc）	10V	3mohm @ 65a，10v	4V @ 150µA	108 NC @ 10 V	±20V	4267 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
AUIRF1404Z	1.5300	RFQ	993	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	160a（TC）	10V	3.7MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFR3303TRPBF	-	RFQ	7880	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000		n通道		30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
auirlr014n	-	RFQ	4748	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	10A（TC）		140MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 pf @ 25 V	-	28W（TC）
AUIRRR3636	1.0000	RFQ	8458	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	50A（TC）		6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IRFP4110pbf	-	RFQ	6651	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	120A（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9620 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRFB23N20DPBF	-	RFQ	8004	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IRF664444TRPBF	1.4100	RFQ	606	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™Mn	下载					Ear99	8541.29.0095	214		n通道		100 v	10.3A（ta），60a（tc）	10V	13mohm @ 10.3a，10v	4.8V @ 150µA	47 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
AUIRF2903Z	-	RFQ	5322	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	160a（TC）	10V	2.4MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	240 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 25 V	-	231W（TC）
IRFL014NPBF	-	RFQ	5455	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	1.9a（ta）		160MOHM @ 1.9A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 V	-	1W（ta）
AUIRF9952QTR	0.5700	RFQ	42	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF9952		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	n和p通道			30V	3.5a，2.3a		100mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
IRG4IBC10UDPBF	-	RFQ	3891	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		25 w	pg-to220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4IBC10UDPBF-600047			1			480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	6.8 a	27 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRLR8259pbf	-	RFQ	7570	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	425		n通道		25 v	57A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 21a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	900 pf @ 13 V	-	48W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²