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（1222））

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IRG4IBC10UDPBF	-	RFQ	3891	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		25 w	pg-to220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4IBC10UDPBF-600047			1			480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	6.8 a	27 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
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IRFF332	0.5600	RFQ	2365	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					Ear99	8542.39.0001	99		n通道		400 v	3a	-	-	-		-		-	25W
auirfz34n	0.7500	RFQ	13	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	29A（TC）	10V	40mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRFB3006GPBF	-	RFQ	5939	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		60 V	195a（TC）	10V	2.5MOHM @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRF8313PBF	-	RFQ	9284	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8313		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,800	2 n 通道（双）			30V	9.7A（ta）		15.5MOHM @ 9.7A，10V	2.35V @ 25µA	9NC @ 4.5V		760pf @ 15V	-
AUIRR1404STRL	1.7900	RFQ	820	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF7468TRPBF	1.0000	RFQ	4547	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	9.4A（TA）	4.5V，10V	15.5MOHM @ 9.4a，10V	2V @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±12V	2460 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
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auirlr024ztrl	1.0000	RFQ	5698	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	16A（TC）		58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
Auirfr8403trl	-	RFQ	3242	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR8403		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 76A，10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W（TC）
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Auirfr4104trl	1.4700	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	42A（TC）		5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V		2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
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IRFU3707ZPBF	-	RFQ	6221	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	56A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	2.25V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1150 pf @ 15 V	-	50W（TC）
IRLI3705NPBF	-	RFQ	2948	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220完整包	-				2156-irli3705npbf			1		n通道		55 v	52A（TC）	4V，10V	10mohm @ 28a，10v	2V @ 250µA	98 NC @ 5 V	±16V	3600 PF @ 25 V	-	58W（TC）
IRF7580MTRPBF	1.2600	RFQ	7	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距我			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距我	下载					Ear99	8541.29.0095	238		n通道		60 V	114a（TC）	6V，10V	3.6mohm @ 70a，10v	3.7V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	6510 PF @ 25 V	-	115W（TC）
IRF3007pbf	-	RFQ	2011	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF3007		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	75A（TC）	10V	12.6mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRL2505SPBF	-	RFQ	7034	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
AUIRFB8405-071	3.2300	RFQ	2	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRFB8405-071-600047			101
IRLR7807ZPBF	-	RFQ	4293	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
IRFS33N15DTRLP-IR	-	RFQ	2617	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		n通道		150 v	33A（TC）		56mohm @ 20a，10v	5.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	2020 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²