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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRF6215	1.0000	RFQ	5014	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF3709ZPBF	0.4600	RFQ	5	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	87A（TC）		6.3MOHM @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W（TC）
IRG8P25N120KDPBF	3.2100	RFQ	13	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			600V，15a，10ohm，15V											70 ns	-	1200 v	40 a	45 a	2V @ 15V，15a	（800µJ）（在），900µJ（900µJ）中	135 NC	20N/170NS
auirfs8407trr	1.1800	RFQ	395	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	195a（TC）		1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRF9143	4.3400	RFQ	80	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	80		P通道		80 V	15a		-	-		-		标准	125W
IRGS4062DTRLPBF	1.0000	RFQ	5832	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRGS4062DTRLPBF-600047			1
AUIRF2903Z	2.1000	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	160a（TC）	10V	2.4MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 25 V	-	290W（TC）
IRF6201pbf	1.0000	RFQ	7665	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		20 v	27a（27A）	2.5V，4.5V	2.45mohm @ 27a，4.5V	1.1V @ 100µA	195 NC @ 4.5 V	±12V	8555 pf @ 16 V	-	2.5W（TA）
IRG4RC20FTRLPBF	1.1100	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		66 W	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			480V，12A，50OHM，15V												-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	40 NC	26NS/194NS
IRGS15B60KDTRRP	2.5200	RFQ	5	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS15B60	标准		208 w	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，15A，22OHM，15V											92 ns	npt	600 v	31 a	62 a	2.2V @ 15V，15a	（220µJ）（在340µJ上）	56 NC	34NS/184NS
AUIRF3808	2.0000	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	151		n通道		75 v	140a（TC）		7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V		5310 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRF8113GPBF	0.3300	RFQ	950	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	950		n通道		30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF245	-	RFQ	2316	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	143		n通道		250 v	13A（TC）		-	-		-		-	125W
IRFP4368PBF	-	RFQ	6132	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		75 v	195a（TC）	10V	1.85MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	570 NC @ 10 V	±20V	19230 PF @ 50 V	-	520W（TC）
IRF243	-	RFQ	9864	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		150 v	16a	-	-	-		-		-	125W
IRF7759L2TRPBF	-	RFQ	4791	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	-						0000.00.0000	1		n通道		75 v	26a（26a），375a（375a）TC）	10V	2.3MOHM @ 96A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12222 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF8915pbf	0.2000	RFQ	3472	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	355	2 n 通道（双）			20V	8.9a		18.3mohm @ 8.9a，10v	2.5V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		540pf @ 10V	逻辑级别门
irg7pk35ud1pbf	-	RFQ	3045	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		167 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			600V，20a，10ohm，15V												-	1400 v	40 a	200 a	2.35V @ 15V，20A	650µJ（离）	98 NC	- /150ns
Auirrr024z	0.5800	RFQ	21	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRF640NSTRRPBF	-	RFQ	5934	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF640		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	18A（TC）	10V	150mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF7452PBF	-	RFQ	4111	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	4.5A（ta）	10V	60mohm @ 2.7a，10v	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRGP4063D1-EPBF	1.0000	RFQ	6820	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4063D	标准		330 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，48a，10ohm，15V											80 ns	-	600 v	100 a	192 a	2.14V @ 15V，48a	1.4MJ（在）上，1.1MJ off）	150 NC	60NS/160NS
IPD50N04S308ATMA1	-	RFQ	1497	国际整流器	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道		40 V	50A（TC）	10V	7.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 40µA	35 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	68W（TC）
AUIRF2907ZS7PTL	-	RFQ	1459	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	180a（TC）	10V	3.8mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7580 pf @ 25 V	-	300W（TC）
AUIRF3805S-7TRL	-	RFQ	5963	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FD800R17KE3B2NOSA1-IR	-	RFQ	3190	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
IRG7PH35UPBF	2.4500	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		210 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			600V，20a，10ohm，15V												沟	1200 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06mj（在）（620µJ）上）	130 NC	30NS/160NS
IRFAF50	7.0500	RFQ	644	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		900 v	6.2A（TC）	10V	1.85ohm @ 6.2a，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRF123	0.6300	RFQ	738	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	7A（TC）	10V	400MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRG4PSH71UDPBF	1.0000	RFQ	5303	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247（TO-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			960V，70A，5OHM，15V											110 ns	-	1200 v	99 a	200 a	2.7V @ 15V，70a	8.8mj（在）（9.4MJ）上）	570 NC	46NS/250NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²