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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFIZ48NPBF	-	RFQ	5791	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	40a（TC）	10V	16mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRFS4321pbf	1.0000	RFQ	9042	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
AUIRG4BC30Ust	1.6500	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	auirg4	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	50 NC	17NS/78NS
AUIRF1405Z	-	RFQ	3103	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRFF9221	2.0500	RFQ	194	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	2.5A（TC）		-	-		-		-	20W
irg7ph35ud1pbf	-	RFQ	8404	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		179 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		600V，20a，10ohm，15V												沟	1200 v	50 a	150 a	2.2V @ 15V，20A	620µJ（离）	130 NC	- /160NS
IRG4PC50FPBF	-	RFQ	8716	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，39A，5OHM，15V												-	600 v	70 a	280 a	1.6V @ 15V，39a	（370µJ）（在2.1MJ上）	190 NC	31ns/240ns
IRGS4062DPBF	-	RFQ	1408	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRGS4062DPBF-600047			1
IRF60B217	0.7000	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRF60B217	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	60a（TC）	6V，10V	9mohm @ 36a，10v	3.7V @ 50µA	66 NC @ 10 V	±20V	2230 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IRFU4105ZPBF-IR	0.4200	RFQ	10	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRGSL4640DPBF	2.2400	RFQ	800	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		250 w	TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											89 ns	-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
IRGP4266PBF	3.8700	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		450 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，75A，10欧姆，15V												-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	3.2MJ（在）上，1.7MJ off）	210 NC	80NS/200NS
IRGSL15B60KDPBF	1.4100	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		208 w	pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，15A，22OHM，15V											92 ns	npt	600 v	31 a	62 a	2.2V @ 15V，15a	（220µJ）（在340µJ上）	56 NC	34NS/184NS
AUIRFS8408	1.4000	RFQ	268	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS8408		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	195a（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
AUIRFS3307Z	-	RFQ	4605	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRG4PH30KPBF	1.0000	RFQ	9106	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		960V，10a，23ohm，15V												-	1200 v	20 a	40 a	4.2V @ 15V，10a	（640µJ）（在920µJ上）	53 NC	28NS/200NS
IRF7458pbf	-	RFQ	5805	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,800	n通道		30 V	14A（TA）	10V，16V	8mohm @ 14a，16v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	2410 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRG4BC20SD-SPBF	1.1400	RFQ	11	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，10a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	320µJ（在）上，2.58MJ off）	27 NC	62NS/690NS
IRF6725MTRPBF	-	RFQ	2651	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	28a（28a），170a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 28A，10V	2.35V @ 100µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	4700 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），100W（TC）
auirfs8409trl	-	RFQ	3374	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	195a（TC）	10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
auirfz24nstrl	1.1000	RFQ	92	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRGP4078DPBF	2.7900	RFQ	800	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		278 w	TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，50a，10ohm，15V												沟	600 v	74 a	150 a	2.2V @ 15V，50a	1.1mj（（）	92 NC	- /116ns
IRGIB6B60KDPBF	-	RFQ	8356	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		38 w	TO-220AB全盘	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，5A，100OHM，15V											70 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IRL2505SPBF	-	RFQ	7034	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
AUIRFP1405-203	2.0200	RFQ	150	国际整流器	-	大部分	过时的									下载					Ear99	8541.29.0095	1				160a（TC）
AUIRFS3607	2.0400	RFQ	550	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		75 v	80A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRF40H210	-	RFQ	9970	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		40 V	100A（TC）	6V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	152 NC @ 10 V	±20V	5406 pf @ 25 V	-	125W（TC）
auirfz44z	0.8300	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	51A（TC）	10V	13.9mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	80W（TC）
AUIRF7799L2TR	-	RFQ	5314	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载						0000.00.0000	1	n通道		250 v	375a（TC）	10V	38mohm @ 21a，10v	5V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±30V	6714 PF @ 25 V	-	4.3W（ta），125W（tc）
IRGP4640D-EPBF	3.6200	RFQ	43	国际整流器	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8542.39.0001	83

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²