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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF9231	1.0000	RFQ	3706	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道		150 v	6.5a	-	-	-		-		-	75W
AUIRFP4568-E	1.0000	RFQ	2069	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	171a（TC）	10V	5.9MOHM @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±30V	10470 pf @ 50 V	-	517W（TC）
AUIRF2807	1.3100	RFQ	6	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	75A（TC）	10V	13mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	3820 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRG8P15N120KDPBF	2.8000	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			600V，10a，10ohm，15V											60 ns	-	1200 v	30 a	30 a	2V @ 15V，10a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	98 NC	15NS/170NS
irgp35b60pd-ep	-	RFQ	2350	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		308 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			390V，22a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	160 NC	26NS/110NS
AUIRFS4410Z	1.9000	RFQ	5	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4410		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRF7306Tr	-	RFQ	8501	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-so	-				2156-IRF7306TR			1	2个p通道			30V	3.6a（ta）		100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		440pf @ 25V	逻辑级别门
IRLR3705ZPBF	-	RFQ	5574	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	42A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±16V	2900 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IRLR120NPBF	-	RFQ	8733	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	10A（TC）	4V，10V	185mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	48W（TC）
AUIRFB4610	1.6600	RFQ	15	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IRF6722MTRPBF	0.9000	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MP			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MP	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	（13A）（ta），56a （TC）	4.5V，10V	7.7MOHM @ 13A，10V	2.4V @ 50µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
IRG7PH42U-EP	3.4600	RFQ	12	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG7PH42	标准		385 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			600V，30a，10ohm，15V											153 ns	沟	1200 v	90 a	90 a	2V @ 15V，30a	2.11mj（在）上，1.18MJ OFF）	157 NC	25NS/229NS
Auirfr1010ztrl	-	RFQ	4639	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道		55 v	42A（TC）		7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFR7746PBF	-	RFQ	5338	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRLI3705NPBF	-	RFQ	2948	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220完整包	-				2156-irli3705npbf			1		n通道		55 v	52A（TC）	4V，10V	10mohm @ 28a，10v	2V @ 250µA	98 NC @ 5 V	±16V	3600 PF @ 25 V	-	58W（TC）
AUIRF1324S-7P	-	RFQ	8847	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		24 V	240a（TC）		1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
IRFAG20	3.3400	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		1000 v	1.3a	-	-	-		-		-	50W
Auirfr3504ztrl	1.0800	RFQ	3931	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	42A（TC）		9mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V		1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
AUIRGP4066D1-IR	8.2000	RFQ	445	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP4066	标准		454 w	TO-247AC	-	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，75A，10欧姆，15V											240 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	4.24mj（在）上，2.17MJ off）	225 NC	50NS/200NS
IRG4BC20UDSTRRP	1.5900	RFQ	5	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			480V，6.5a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRGP30B120KD-EP	-	RFQ	8619	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		300 w	TO-247AD	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			600V，25A，5OHM，15V											300 ns	npt	1200 v	60 a	120 a	4V @ 15V，60a	1.07MJ（在）上，1.49mj Off）	169 NC	-
IRFS4127pbf	-	RFQ	6340	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		200 v	72A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRG4RC10SDTRPBF-IR	-	RFQ	6719	国际整流器	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
IRG4BC30KD-SPBF	-	RFQ	1669年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30KD-SPBF	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，16a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
IRG4PC40SPBF	1.0000	RFQ	1975年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，31a，10ohm，15V												-	600 v	60 a	120 a	1.5V @ 15V，31a	450µJ（在）上，6.5MJ（6.5MJ）	100 NC	22NS/650NS
IRFH5053TRPBF	-	RFQ	5845	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）单个死亡	下载						0000.00.0000	1		n通道		100 v	9.3a（TA），46A （TC）	10V	18mohm @ 9.3a，10V	4.9V @ 100µA	36 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 50 V	-	3.1W（ta），8.3W（tc）
IRLR7807ZPBF	-	RFQ	4293	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
Auirlr120n	1.0000	RFQ	5093	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	10A（TC）	4V，10V	185mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRG8P60N120KD-EPBF	6.9100	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		420 W	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1			600V，40a，5ohm，15V											210 ns	-	1200 v	100 a	120 a	2V @ 15V，40a	2.8MJ（在）上，2.3MJ（2.3MJ）	345 NC	40NS/240NS
AUIRGP4066D1-E	-	RFQ	6886	国际整流器	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w	TO-247AD	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-AUIRGP4066D1-E-600047			1			400V，75A，10欧姆，15V											240 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	4.24mj（在）上，2.17MJ off）	225 NC	50NS/200NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²