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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRG4BC40UPBF	1.8600	RFQ	950	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		160 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	150 NC	34NS/110NS
IRGB4060DPBF	1.2700	RFQ	23	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		99 W	TO-220AB	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，8A，47OHM，15V											60 ns	沟	600 v	16 a	32 a	1.85V @ 15V，8a	（70µJ）（在145µJ上）	19 nc	30ns/95ns
IRFB3307ZPBF	1.0000	RFQ	2506	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-904	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 1.037mA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRG7PH46U-EP	5.6600	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		469 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1			600V，40a，10ohm，15V												沟	1200 v	130 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.56mj（在）上，1.78mj off）	220 NC	45NS/410NS
IRF7749L2TRPBF	1.0000	RFQ	3722	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L8	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		60 V	33A（33A），375a（tc）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF7769L2TRPBF	2.8600	RFQ	291	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L8	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRFS3607pbf	-	RFQ	3192	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		75 v	80A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
AUIRFR4105Z	-	RFQ	3893	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	20A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
AUIRFSL8409	-	RFQ	5126	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-262-3短领先，i²pak			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRF7307QTRPBF	-	RFQ	1961年	国际整流器	-	大部分	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道			20V	5.2a，4.3a		50mohm @ 2.6a，4.5V	700MV @ 250µA	20NC @ 4.5V		660pf @ 15V	逻辑级别门
IRLML2402GTRPBF	-	RFQ	7259	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载						0000.00.0000	1		n通道		20 v	1.2A（TA）	2.7V，4.5V	250MOHM @ 930mA，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	3.9 NC @ 4.5 V	±12V	110 pf @ 15 V	-	540MW（TA）
auirfs4115trl	-	RFQ	2993	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	12		n通道		150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRGPS4067DPBF	-	RFQ	3738	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		750 w	SUPER-247™to-274AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	34			400V，120A，4.7OHM，15V											130 ns	沟	600 v	240 a	360 a	2.05V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，3.43mj off）	240 NC	80NS/190NS
IRF8313TRPBF	-	RFQ	9989	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8313		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载						0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			30V	9.7a		15.5MOHM @ 9.7A，10V	2.35V @ 25µA	9NC @ 4.5V		760pf @ 15V	逻辑级别门
IRG4PSH71KDPBF	9.7800	RFQ	340	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247™to-274AA）	下载						0000.00.0000	1			800V，42A，5OHM，15V											107 ns	-	1200 v	78 a	156 a	3.9V @ 15V，42a	5.68MJ（在）上，3.23mj off）	410 NC	67NS/230NS
AUIRF2804	-	RFQ	5565	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	2.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFR13N15DPBF	1.0000	RFQ	6627	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道		150 v	14A（TC）	10V	180mohm @ 8.3a，10v	5.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IRGP4690DPBF	6.0400	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w	TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，75A，10欧姆，15V											155 ns	-	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
IRGP4790D-EPBF	1.0000	RFQ	6141	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，75A，10欧姆，15V											170 ns	-	650 v	140 a	225 a	2V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
AUIRFS3806	0.8600	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
AUIRRR2908	-	RFQ	4486	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		80 V	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1890 pf @ 25 V	-	120W（TC）
Auirls4030trl	-	RFQ	9910	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	180a（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±16V	11360 pf @ 50 V	-	370W（TC）
IRFS7540TRLPBF	1.0000	RFQ	5138	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8542.39.0001	212		n通道		60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IRF443	-	RFQ	7363	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-204aa			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	4a		-	-		-		-	75W
IRF3007SPBF	-	RFQ	8900	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	62A（TC）	10V	12.6mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	120W（TC）
2N6806	1.8400	RFQ	3210	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8541.29.0095	135		P通道		200 v	6.5A（TC）	10V	940MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	75W（TC）
Auirfz44ns	1.1100	RFQ	9	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	49A（TC）		17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRFR3704ZPBF	-	RFQ	7778	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		20 v	60a（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1190 pf @ 10 V	-	48W（TC）
IRF7406PBF	-	RFQ	8368	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	45mohm @ 2.8a，10v	1V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF3205pbf	-	RFQ	4291	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-IRF3205PBF-600047			1		n通道		55 v	110A（TC）	10V	8mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	3247 PF @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²