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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRG4BC20SPBF	-	RFQ	4469	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1			480V，10a，50ohm，15V												-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	（120µJ）（在），2.05MJ（OFF）上）	27 NC	27NS/540NS
AUIRF7737L2TR	2.6200	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l6			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L6	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	（31a）（TA），156a （TC）	10V	1.9MOHM @ 94A，10V	4V @ 150µA	134 NC @ 10 V	±20V	5469 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），83W（tc）
IRGPS4067DPBF	-	RFQ	3738	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		750 w	SUPER-247™to-274AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	34			400V，120A，4.7OHM，15V											130 ns	沟	600 v	240 a	360 a	2.05V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，3.43mj off）	240 NC	80NS/190NS
IRF7749L2TRPBF	1.0000	RFQ	3722	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L8	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		60 V	33A（33A），375a（tc）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF3007SPBF	-	RFQ	8900	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	62A（TC）	10V	12.6mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	120W（TC）
2N6806	1.8400	RFQ	3210	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8541.29.0095	135		P通道		200 v	6.5A（TC）	10V	940MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	75W（TC）
Auirfr5505trl	0.7900	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IRG7PH46U-EP	5.6600	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		469 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1			600V，40a，10ohm，15V												沟	1200 v	130 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.56mj（在）上，1.78mj off）	220 NC	45NS/410NS
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AUIRF2804	-	RFQ	5565	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	2.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
auirfs8407trl	-	RFQ	1946年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
auirfs4115trl	-	RFQ	2993	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	12		n通道		150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
AUIRGP4062D-E	6.1200	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP4062	标准		250 w	pg-to247AD	下载					Ear99	8541.29.0095	1			400V，24a，10ohm，15V											89 ns	-	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	50 NC	41NS/104NS
IRF8313TRPBF	-	RFQ	9989	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8313		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载						0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			30V	9.7a		15.5MOHM @ 9.7A，10V	2.35V @ 25µA	9NC @ 4.5V		760pf @ 15V	逻辑级别门
IRG4PSH71KDPBF	9.7800	RFQ	340	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247™to-274AA）	下载						0000.00.0000	1			800V，42A，5OHM，15V											107 ns	-	1200 v	78 a	156 a	3.9V @ 15V，42a	5.68MJ（在）上，3.23mj off）	410 NC	67NS/230NS
AUIRFR4105Z	-	RFQ	3893	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	20A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRF443	-	RFQ	7363	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-204aa			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	4a		-	-		-		-	75W
IRGS4064DTRLPBF	-	RFQ	3807	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		101 w	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，10a，22ohm，15V											62 ns	沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	32 NC	27NS/79NS
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AUIRF3205	-	RFQ	8020	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRF3205-600047			1		n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	3247 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRG7PH35UD-EP	4.6300	RFQ	4	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRG7PH35UD-EP-600047			1
IRG4BC15UD-LPBF	-	RFQ	2527	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		49 W	TO-262	-				2156-IRG4BC15UD-LPBF			1			480V，7.8a，75ohm，15V											28 ns	-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IRGS4B60KD1PBF	-	RFQ	2030	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		63 W	D2PAK	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRGS4B60KD1PBF-600047			1			400V，4A，100OHM，15V											93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
AUIRGP4066D1	-	RFQ	2564	国际整流器	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-AUIRGP4066D1-600047			1			400V，75A，10欧姆，15V											240 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	4.24mj（在）上，2.17MJ off）	225 NC	50NS/200NS
IRG7PH35UDPBF	-	RFQ	2257	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG7PH35UDPBF-600047			1			600V，20a，10ohm，15V											105 ns	沟	1200 v	50 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06µJ（在）上，620µj（（）	85 NC	30NS/160NS
IRFR1205TRPBF	-	RFQ	7056	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
AUIRFP4568-E	1.0000	RFQ	2069	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	171a（TC）	10V	5.9MOHM @ 103A，10V	5V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±30V	10470 pf @ 50 V	-	517W（TC）
AUIRF2807	1.3100	RFQ	6	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	75A（TC）	10V	13mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	3820 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRG8P15N120KDPBF	2.8000	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			600V，10a，10ohm，15V											60 ns	-	1200 v	30 a	30 a	2V @ 15V，10a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	98 NC	15NS/170NS
IRF7306Tr	-	RFQ	8501	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-so	-				2156-IRF7306TR			1	2个p通道			30V	3.6a（ta）		100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		440pf @ 25V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²